admin-ftian (Page 6)

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2016 год

Статьи:

  1. Alymov, G. Abrupt current switching in graphene bilayer tunnel transistors enabled by van Hove singularities. / Alymov, G. , V. Vyurkov, V. Ryzhii, D. Svintsov. // Scientific Reports. 2016. 6:24654. – DOI: 10.1038/srep24654 (2016). и/ф – 5,578
  2. Amirov, I. I. Low Energy Selective Etching of Metal Films in Oxygen-Containing High-Density Argon Plasma / Amirov, I. I.; Izyumov, M. O.; Naumov, V. V. // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION Том: 10 Выпуск: 4 Стр.: 855-859 Опубликовано: JUL 2016. – DOI 10.1134/S1027451016040236.
  3. Амиров, И.И. Низкоэнергетическое, селективное травление пленок металлов в плотной аргоновой плазме с добавками кислорода. / Амиров И.И., Изюмов М.О., Наумов В.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. № 8. С. 82-86. РИНЦ, Scopus
  4. Andreev, V. G. Specific features of the conductivity of chromium films with a thickness of several nanometers / Andreev, V. G.; Angeluts, A. A.; Vdovin, V. A.; Lukichev, V. F.; Shkurinov, A. P. // JOURNAL OF COMMUNICATIONS TECHNOLOGY AND ELECTRONICS. 2016. V.61. #1. P.61-65. – DOI: 10.1134/S1064226915120025
  5. Babushkin, A.S. Influence of ion-plasma treatment on residual stress in the microcantilever / Babushkin A.S., Uvarov I.V., Amirov I.I. // Journal of Physics: Conference Series, 2016, Volume 741, p. 012208. Scopus
  6. Bogdanov, Yu. I. Analysis of quantum tomography protocol efficiency for triphoton polarization states / Yu. I. Bogdanov, Yu. A. Kuznetsov, G. V. Avosopyants, K. G. Katamadze, L. V. Belinsky, N. A. Borshchevskaya // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242R . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266800.
  7. Bogdanov, Yu. I. Quantum states tomography with noisy measurement channels / Yu. I. Bogdanov, B. I. Bantysh, N. A. Bogdanova, A. B. Kvasnyy, V. F. Lukichev // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242O . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2267029.
  8. Bogdanov, Yu. I. Schmidt decomposition and multivariate statistical analysis / Yu. I. Bogdanov, N. A. Bogdanova, D. V. Fastovets, V. F. Luckichev // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242P . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266891.
  9. Bogdanov, Yu. I. Statistical reconstruction of optical quantum states based on mutually complementary quadrature quantum measurements / Bogdanov, Yu. I.; Avosopyants, G. V.; Belinskii, L. V.; Katamadze, K. G.; Kulik, S. P.; Lukichev, V. F. // JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS. 2016. Т.123. N2. Р.212-218. – DOI 10.1134/S1063776116070025.
  10. Богданов, Ю.И. Статистическое восстановление оптических квантовых состояний на основе взаимно-дополнительных квадратурных квантовых измерений / Богданов Ю.И., Авосопянц Г.В., Белинский Л.В., Катамадзе К.Г., Кулик С.П., Лукичев В.Ф. // ЖЭТФ. 2016. Т.150. №2. вып. 2(8). с. 246- 253.
  11. Bogdanov, Yu. I. Study of higher order correlation functions and photon statistics using multiphoton-subtracted states and quadrature measurements / Yu. I. Bogdanov, K. G. Katamadze, G. V. Avosopyants, L. V. Belinsky, N. A. Bogdanova, S. P. Kulik, V. F. Lukichev // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242Q . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266853.
  12. Borzdov, A. V. Ensemble Monte Carlo simulation of electron transport in GaAs/AlAs quantum wire structure under the effect of terahertz electric field / Andrei V. Borzdov, Vladimir M. Borzdov, Vladimir V. V’yurkov // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102240W . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266775.
  13. Bruk, M.A. Formation of micro- and nanostructures with well-rounded profile using a new e-beam lithography principle / M.A. Bruk, E.N. Zhikharev, A.E. Rogozhin, D.R. Streltsov, V.A. Kalnov, S.N., Averkin, A.V. Spirin // Microelectronic Eng.- 2016. 155 Р.92-96. — DOI: 10.1016/j.mee.2016.03.017 — Conference: Micro and Nano Engineering (MNE-2015), At The Hague (Гаага, 21-24 сентября 2015 г.):
  14. Chernyavskiy, A. Effective computation of quantum discord in a multiqubit spin chain / A. Chernyavskiy // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242T . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2267102.
  15. Chernyavskiy, A. Numerical characteristics of quantum computer simulation / A. Chernyavskiy, K. Khamitov, A. Teplov, V. Voevodin, Vl. Voevodin // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242S . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2267077.
  16. Chernyavskiy, A. Properties of the Numerical Algorithms for Problems of Quantum Information Technologies: Benefits of Deep Analysis / Chernyavskiy Andrey, Khamitov Kamil, Teplov Alexey, Voevodin Vadim and Voevodin Vladimir // Proceedings of NUMTA 2016, AIP Proceedings (WOS, Scopus) – DOI 10.1063/1.4965382.
  17. Chuev, M.A. Nutations of Magnetizations of Sublattices and Their Role in the Formation of Mossbauer Spectra of Antiferromagnetic Nanoparticles. / M.A.Chuev. // JETP Lett. 2016. V.103. No. 3. P. 175-180. – DOI 10.1134/S0021364016030036.
  18. Чуев, М.А. Нутации намагниченностей подрешеток и их роль в формировании мессбауэровских спектров антиферромагнитных наночастиц. / А.М.Чуев // Письма в ЖЭТФ,. 2016. Т.103. №3. С. 194-199. [
  19. Clemente, I. Application of spectral ellipsometry to in situ diagnostics of atomic layer deposition of dielectrics on silicon and AlGaN / Iosif E. Clemente, Andrey V. Miakonkikh // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 1022425 . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266634.
  20. Clemente, I. CF3Br plasma cryo etching of low-k porous dielectric / I. Clemente, N. Koehler, A. Miakonkikh, S. Zimmermann, S. E. Schulz and K. Rudenko // Journal of Physics Conference Series 741(1):012204, August 2016, DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012204 .
  21. Denisenko, Y.I. Formation of nanoporous structure in silicon substrate using two-stage annealing process / Yuri I. Denisenko, Valery I. Rudakov // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102240I. – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2267071.
  22. Eidelman, K.B. FORMATION OF NANOPARTICLES CONTAINING ZINC IN SI(001) BY ION-BEAM IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING / Eidelman K.B., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Y., Privezentsev V.V. // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2016. Т. 10. № 3. С. 597-602. — DOI 10.1134/S102745101603023X.
  23. Эйдельман, К. Б. ФОРМИРОВАНИЕ ЦИНКСОДЕРЖАЩИХ НАНОЧАСТИЦ В Si(001) МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ С ПОСЛЕДУЮЩИМ ОТЖИГОМ. / К. Б. Эйдельман, К. Д. Щербачев, Н. Ю. Табачкова, В. В. Привезенцев. // ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 2016. № 6. С. 1–6.
  24. Fadeev, A. V. Optical emission 2D-tomography of plasma: case of rectangular two-view scanning and diagonal symmetry of inhomogeneities / A. V. Fadeev, K. V. Rudenko // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242D . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266838/
  25. Fedichkin, L. Quantum-classical crossover in quantum walks mixing time / Leonid Fedichkin, Fedor Meshchaninov // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242M . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2267246.
  26. Gabbasov, R.R. Mossbauer and X-ray study of biodegradation of 57Fe3O4 magnetic nanoparticles in rat brain. / R.R. Gabbasov, V.M. Cherepanov, M.A. Chuev, A.A. Lomov, I.N. Mischenko, M.P. Nikitin, M.A. Polikarpov, V.Y. Panchenko. // Hyperfine Interact. 2016. V. 237. №1. С.54 (12 pp.). – DOI 10.1007/s10751-016-1237-1.
  27. Katamadze, K. G. Broadband biphotons in the single spatial mode through high pump focusing and walk-off effect / K. G. Katamadze, S. P. Kulik // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242N . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266937.
  28. Kemoklidze, K. G. SCANNING ELECTRON MICROSCOPY OF THE RAT ADRENAL GLAND AFTER SURGICAL LASER EXPOSURE / Kemoklidze, K. G.; Alexandrov, Yu. K.; Tiumina, N. A.; Pukhov, D. E. // BYULLETEN SIBIRSKOY MEDITSINY Том: 15 Выпуск: 2 Стр.: 45-50 Опубликовано: 2016 – DOI 10.20538/1682-0363-2016-2-46-50.
  29. Кемоклидзе, К.Г. Сканирующая электронная микроскопия надпочечника крысы после воздействия хирургическим лазером. / Кемоклидзе К.Г., Александров Ю.К., Тюмина Н.А., Пухов Д.Э. // Бюллетень сибирской медицины. 2016. Т. 15. № 2. С. 45-50. РИНЦ —
  30. Khabutdinov, R. Low-dimensional transit-time diodes for terahertz generation / R. Khabutdinov, I. Semenikhin, F. Davydov, D. Svintsov, V. Vyurkov, L. Fedichkin, K. Rudenko, A. V. Borzdov, V. M. Borzdov // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102240M . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2267243
  31. Khorin, I. Optical coefficients of nanometer-thick copper and gold films in microwave frequency range / I. Khorin, N. Orlikovsky, A. Tatarintsev, S. Pronin, V. Andreev, V. Vdovin, // Proc. SPIE. V. 10224. (December 30, 2016) 1022407. – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266504.
  32. Kudrya, V. Fundamentals of the fast neutral beams diagnostics / V. Kudrya, Yu. Maishev // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 102242C . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266889.
  33. Kulova, T.L. Study of Silicon Composite for Negative Electrode of Lithium-Ion Battery. / Kulova T.L., Mironenko A.A., Skundin A.M., Rudy A.S., Naumov V.V., Pukhov D.E. // Int. J. Electrochem. Sci., 11 (2016) 1370 – 1381. Scopus, WoS
  34. Lomov, A. Evolution of structural properties of Si(001) subsurface layer containing He bubbles by low temperature annealing / Andrey A. Lomov, Kirill D. Shcherbachev, Yury M. Chesnokov, Dmitrii A. Kiselev, Andrew V. Miakonkikh // Proc. SPIE V. 10224. (December 30, 2016) 1022424 . – Int.Conf.on Micro- and Nano-Electronics, October 3-7, 2016, Zvenigorod, Russia. – doi: 10.1117/12.2266944.
  35. Lomov, A. The microstructure of Si surface layers after He+ plasma immersion ion implantation and subsequent annealing./ A. Lomov, K. Shcherbachev, Y. Chesnokov. // Materials structure, Krystalograficka Spolecnost. 2016. Vol.23. N3. P.276-277.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2015 год

Статьи:

  1. Andreev, V. G. Spectral characteristics of nanometer-thick chromium films in terahertz frequency range / V. G. Andreev, A. A. Angeluts, V. A. Vdovin, V. Lukichev // J.Technical Physics Letters 41(2):180-183. – February 2015. – DOI:10.1134/S1063785015020170 · 0.58 Impact Factor
    Андреев, В.Г. Спектральные характеристики пленок хрома нанометровой толщины в терагерцовом диапазоне частот / В.Г. Андреев, А.А. Ангелуц, В.А. Вдовин, В.Ф. Лукичев // Письма в ЖТФ, 2015, том 41, вып. 4. – С.52-60. – Scop_ i/f -0,524
  2. Bogdanov, Y.I. INVESTIGATING THE EFFECT OF AMPLITUDE AND PHASE RELAXATION ON THE QUALITY OF QUANTUM INFORMATION TECHNOLOGIES / Bogdanov Y.I., Bantysh B.I., Chernyavskiy A.U., Lukichev V.F., Orlikovsky A.A. // Russian Microelectronics. 2015. Т. 44. № 4. С. 225-230.
  3. Bogdanov, Yu. I. The study of Lorenz and Rossler strange attractors by means of quantum theory / Yu. I. Bogdanov and N. A. Bogdanova // Laser Physics. 2015. Т. 25. № 3. С. 035203.- 5p.
  4. Borshchevskaya, N.A. THREE-PHOTON GENERATION BY MEANS OF THIRD-ORDER SPONTANEOUS PARAMETRIC DOWN-CONVERSION IN BULK CRYSTALS / Borshchevskaya N.A., Katamadze K.G., Kulik S.P., Fedorov M.V. // Laser Physics Letters. 2015. Т. 12. № 11. С. 115404.
  5. Chuev, M.A. THERMODYNAMICS AND MAGNETIC DYNAMICS OF NONFERROMAGNETIC NANOPARTICLES IN THE MIRROR OF MoSSBAUER SPECTROSCOPY / Chuev M.A. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2015. Т. 79. № 8. С. 955-959. ***
    Чуев, М.А. Термо- и магнитная динамика неферромагнитных наночастиц в зеркале мессбауэровской спектроскопии. / М.А. Чуев // Известия РАН, сер. физическая. 2015. Т.79, N8. С.1074-1079.
  6. Filippov, S.N. Influence of deterministic attenuation and amplification of optical signals on entanglement and distillation of Gaussian and non-Gaussian quantum states // XII International Workshop on Quantum Optics (IWQO-2015). Moscow \ Troitsk, 11-16 August, 2015. – EPJ Web of Conferences 103, 03003 (2015). – DOI http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/201510303003 .
    Филиппов, С.Н. Влияние детерминистического ослабления и усиления оптических сигналов на перепутанность и дистилляцию гауссовских и негауссовских квантовых состояний // 12 международные чтения по квантовой оптике (IWQO-2015): Сборник статей. Москва, Троицк. 11-16 августа 2015 г. – М.: МПГУ. – 2015. – С. 68-70.
  7. Gabbasov, R. Mossbauer, magnetization and X-ray diffraction characterization methods for iron oxide nanoparticles. / R. Gabbasov, M. Polikarpov, V. Cherepanov, M. Chuev, I. Mischenko, A. Lomov, A. Wang, V. Panchenko. // 10th International Conference on the Scientific and Clinical Applications of Magnetic Carriers 10-14 June, 2014, Dresden, Germany. – J. Magn. Magn. Mater.- 2015. V. 380. P. 111-116. – doi:10.1016/j.jmmm.2014.11.032.
  8. Gabbasov, R.R. INVESTIGATING SIZE EFFECTS IN NANOPARTICLES WITH MoSSBAUER AND X-RAY TECHNIQUES / Gabbasov R.R., Polikarpov M.A., Cherepanov V.M., Chuev M.A., Mishchenko I.N., Panchenko V.Y., Lomov A.A. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2015. Т. 79. № 8. С. 990-993. — ***
    Габбасов, Р.Р. Исследование размерных ффектов в наночастицах мессбауэровскими и рентгеновскими методами. / Р.Р.Габбасов, М.А.Поликарпов, В.М.Черепанов, М.А. Чуев, И.Н.Мищенко, А.А.Ломов, В.Я.Панченко // Известия РАН, сер. физическая. 2015. Т.79. N8. С.1118-1121.
  9. Katamadze, K.G. BROADBAND BIPHOTONS IN A SINGLE SPATIAL MODE / Katamadze K.G., Borshchevskaya N.A., Dyakonov I.V., Paterova A.V., Kulik S.P.// Physical Review A – Atomic, Molecular, and Optical Physics. 2015. Т. 92. № 2. С. 023812. – DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevA.92.023812
  10. Kupreenko, S.Y. Determination of thickness of ultrathin surface films in nanostructures from the energy spectra of reflected electrons / S. Yu. Kupreenko, N. A. Orlikovskii, E. I. Rau, A. M. Tagachenkov, and A. A. Tatarintsev. // Technical Physics. The Russian Journal of Applied Physics. 2015. Т. 60. № 10. С. 1515-1518. – DOI: 10.1134/S1063784215100205 — ISSN 1063-7842 – Scopus – и/ф 0,52 — ***
    Купреенко, С.Ю. Определение толщин ультратонких поверхностных пленок в наноструктурах по энергетическим спектрам отраженных электронов /С.Ю. Купреенко, Н.А. Орликовский, Э.И. Рау, А.М. Тагаченков, А.А. Татаринцев // Журнал технической физики. 2015. – Т. 85. – № 10. – С. 101-104. — ISSN 0044-4642 — и/ф РИНЦ -0,624
  11. Mazaletskiy, L.A. Problems of the experimental implementation of MTJ /Mazaletskiy L.A., Rudy A.S., Trushin O.S., Naumov V.V., Mironenko A.A., Vasilev S.V.// Journal of Physics: Conference Series. 643 (2015) 012105. Scopus
  12. Mishchenko, I.N. QUANTUM-MECHANICAL AND CONTINUAL MODELS OF THE MAGNETIC DYNAMICS OF ANTIFERROMAGNETIC PARTICLES IN ANALYZING MoSSBAUER SPECTRA / Mishchenko I.N., Chuev M.A. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2015. Т. 79. № 8. С. 994-998. — ***
    Мищенко, И.Н. Квантово-механическая и континуальная модели магнитной динамики антиферромагнитных частиц в анализе мёссбауэровских спектров / И.Н. Мищенко, М.А. Чуев // Известия РАН, сер. физическая. 2015. Т.79. N8. С. 1122-1127.
  13. Morozov, O. Mechanical strength study of SiO2 isolation blocks merged in silicon substrate. / Morozov O., Postnikov A. // J. Micromech. Microeng. 2015. V.25. N 1. P. 015014. Scopus, WoS
  14. Polikarpov, M. Mossbauer evaluation of the interparticle magnetic Interactions within the magnetic hyperthermia beads. / M. Polikarpov, V. Cherepanov, M. Chuev, R. Gabbasov, I. Mischenko, J. Nirmesh, S. Jones, B. Hawkett, V. Panchenko. // 10th International Conference on the Scientific and Clinical Applications of Magnetic Carriers 10-14 June, 2014, Dresden, Germany. – J. Magn. Magn. Mater. 2015. V. 380. PP. 347-352.
  15. Prigara, V.P. Temperature bistability in a silicon wafer with a doped layer on lamp-based heating. / Prigara V.P., Ovcharov V.V., Rudakov V.I. // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 34. June 2015. Pages 312-325. Scopus, WoS
  16. Privezentsev, V. Properties of near-surface layer of 64Zn+ ion hot-implanted Si. / Vladimir Privezentsev, Vaclav Kulikauskas, Edward Steinman, Alexey Tereshchenko, Anatoly Bazhenov, Nataliya Tabachkova, Alexander Batrakov. // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2015. Т. 12. № 8. С. 1170-1174. – DOI:10.1002/pssc.201400234.
  17. Privezentsev, V. Structure of Si near-surface layer after 64Zn+ ion implantation at elevated temperature / Vladimir Privezentsev, Vaclav Kulikauskas, Eduard Steinman, Alexey Tereshchenko, Anatoly Bazhenov, Nataliya Tabachkova, Alexander Batrakov // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015. Т. 9. № 4. С. 804-811. -DOI:10.1134/S1027451015040321 – 0.36 Impact Factor
    Привезенцев, В.В. СТРУКТУРА ПРИПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ Si ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ 64Zn+ ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ. / В. В. Привезенцев, В. С. Куликаускас, В. В. Затекин, Н. Ю. Табачкова, C. В. Ксенич. // ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 2015. № 8. С. 49–56.
  18. Privezentsev, V.V. Study of the properties of a Si surface layer implanted with 64Zn+ and 16O+ ions during the formation of ZnO nanoparticles under thermal annealing / V. V. Privezentsev, V. S. Kulikauskas, V. V. Zatekin, D. V. Petrov, A. Yu. Trifonov, A. A. Batrakov // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015. Т. 9. № 3. С. 486-495. — DOI:10.1134/S1027451015020160 ·
    Привезенцев, В.В. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПРИПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ Si, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ 64Zn+ И 16O+, В ПРОЦЕССЕ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ ZnO ПРИ ТЕРМИЧЕСКИХ ОТЖИГАХ. / В. В. Привезенцев, В. С. Куликаускас, В. В. Затекин, Д. В. Петров, А. Ю. Трифонов, А. А. Батраков. // ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 2015. № 5. С. 68-77.
  19. Privezentsev, V.V. VISUALIZATION AND IDENTIFICATION OF NANOPARTICLES IN SI SUBJECTED TO THE SUCCESSIVE IMPLANTATION OF 64ZN+ AND 16O+ IONS / Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Shemuhin A.N., Trifonov A.Y., Kirilenko E.P., Batrakov A.A. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2015. Т. 79. № 11. С. 1325-1331.
    Привезенцев, В. В. ВИЗУАЛИЗАЦИЯ И ИДЕНТИФИКАЦИЯ НАНОЧАСТИЦ В Si, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО ИМПЛАНТИРОВАННОМ ИОНАМИ 64Zn+ И 16O+. / В. В. Привезенцев, В. С. Куликаускас, А. Н. Шемухин, А. Ю. Трифонов, Е. П. Кириленко, А. А. Батраков.// ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ. – 2015. Т. 79. № 11. С. 1506–1513.
  20. Privezentsev, V.V. ZnO Nanoparticles Formation in 64Zn+ Ion Implanted Al2O3 . / V.V. Privezentsev, V.S. Kulikauskas, A.N. Palagushkin, E.A. Steinman, A.N. Tereshchenko, A.A. Batrakov, S.N. Ksenich. // Solid State Phenomena. Vol. 242 (2016). Р. 396-401.
  21. Semenikhin, I.A. Application of the iterative approach to modal methods for the solution of Maxwell’s equations / I.A. Semenikhin, M. Zanuccoli// J.Computational Physics.-2015.- V. 300. – РР. 438–454. (2015).
  22. Tsukanov, A.V. SIMULATION OF THE SPECTROSCOPIC RESPONSE OF PHOTONIC ISOMERS WITH NV CENTERS. PART I / Tsukanov A.V. // Russian Microelectronics. 2015. Т. 44. № 4. С. 211-224.
  23. Tsukanov, A. Quantum diamond chip under network optical control / Tsukanov A., Kateev I., Orlikovsky N., and Orlikovsky A. // Proc. of SPIE. 2015. V . 9440. P . 94401G.
  24. Tsukanov, A.V. MODELING OF THE SPECTROSCOPIC RESPONSE OF PHOTONIC ISOMERS WITH NV-CENTERS. PART II / Tsukanov A.V. // Russian Microelectronics. 2015. Т. 44. № 6. С. 355-367. — ***
    Цуканов, А.В. Моделирование спектроскопического отклика фотонных изомеров с NV -центрами. Часть II . // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 6. С. 403.
  25. Tsukanov, A.V. QUANTUM CALCULATIONS ON QUANTUM DOTS IN SEMICONDUCTOR MICROCAVITIES. PART III / Tsukanov A.V., Kateev I.Y. // Russian Microelectronics. 2015. Т. 44. № 2. С. 61-78. *** Цуканов, А.В. КВАНТОВЫЕ ВЫЧИСЛЕНИЯ НА КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОРЕЗОНАТОРАХ. ЧАСТЬ III. / Цуканов А.В., Катеев И.Ю. // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 2. С. 79.

Pages: 1 2 3 4

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2014 год

Статьи:

  1. Arzhanova, N.A. Self-organization phenomena during electrochemical formation of nanostructures in silicon / Arzhanova N.A., Prokaznikov M.A., Prokaznikov A.V. // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014, 944010 (December 18, 2014); doi 10.1117/12.21800533.
  2. Bogdanov, Y.I. ENTANGLEMENT DYNAMICS IN QUANTUM OPERATIONS USING SUPERCONDUCTING PHASE QUBITS / Bogdanov Y.I., Bantysh B.I., Lukichev V.F., Orlikovsky A.A., Holevo A.S. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2014. Т. 78. № 1. С. 1-5.
  3. Bogdanov, Yu. I. Numerical and analytical research of the impact of decoherence on quantum circuits / Yu. I. Bogdanov ; A. Yu. Chernyavskiy ; B. I. Bantysh ; V. F. Lukichev ; A. A. Orlikovsky, I.A. Semenihin, D.V.Fastovets, A.S. Holevo // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014, 94401H .
  4. Bogdanov, Yu. I. Finite frames constructed by solving Fekete problem and accuracy of quantum tomography protocols based on them / Yu. I. Bogdanov and L. V. Belinsky // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014, 94401L .
  5. Bogdanov, Yu. I. Optical polarization echo: Manifestation and study by methods of quantum tomography of states and processes / (Bogdanov, Yu. I., Bantysh, B. I., Kalinkin, A. A., Kulik, S. P., Moreva, E. V., Shershulin, V. A. // JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS Volume: 118 Issue: 6 Pages: 845-855 Published: JUN 2014.
  6. Bogdanov, Yu. I. The study of amplitude and phase relaxation impact on the quality of quantum information technologies / Yu. I. Bogdanov ; B. I. Bantysh ; A. Yu. Chernyavskiy ; V. F. Lukichev and A. A. Orlikovsky // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014, 94401I.
  7. Bogdanov, Yu.I. The study of classical dynamical systems using quantum theory / Yu.I. Bogdanov, N.A. Bogdanova // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014, 94401J.
  8. Bogdanov, Yu.I. Root approach for estimation of statistical distributions and quantum states / Yu.I., Bogdanov, N.A. Bogdanova, F.Yu. Ignatiev, D.Yu. Kulko, M.A. Podtserkovsky // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014, 94401K.
  9. Bogoyavlenskaya, E. A. Formation of W/HfO2/Si gate structures using in situ magnetron sputtering and rapid thermal annealing / Bogoyavlenskaya, E. A., Rudakov, V. I., Denisenko, Yu. I., Naumov, V. V., Rogozhin, A. E.// Technical Physics. The Russian Journal of Applied Physics. 2014. Т. 59. № 5. С. 711-715. – DOI: 10.1134/S1063784214050065. – Published: MAY 2014.
  10. Borzdov, A. V. Monte Carlo simulation of hot electron transport in deep submicron SOI MOSFET / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, V. V. V’yurkov // Proc. of SPIE Vol. 9440, pp. 944013-1-7, 2014.
  11. Borzdov, V.M. EVALUATION OF THE EFFECTIVE THRESHOLD ENERGY OF THE INTERBAND IMPACT IONIZATION IN A DEEP-SUBMICRON SILICON N-CHANNEL MOS TRANSISTOR / Borzdov V.M., Borzdov A.V., Speransky D.S., V’Yurkov V.V., Orlikovsky A.A. // Russian Microelectronics. 2014. Т. 43. № 3. С. 189-193.
  12. Buchin, E.Yu. Magnetomigration effect during the annealing of granular cobalt-copper films / Buchin, E. Yu; Kokanov, D. A.; Simakin, S. G.; Naumov, V. V. // TECHNICAL PHYSICS LETTERS Volume: 40 Issue: 2 Pages: 145-148 Published: FEB 2014.
  13. Cherepanov, V.M. DOUBLE OPTICAL GAMMA RESONANCE IN MoSSBAUER SPECTRA OF EUROPIUM PENTAPHOSPHATE / Cherepanov V.M., Chuev M.A., Polikarpov M.A., Panchenko V.Ya. // Doklady Physics. 2014. Т. 59. № 2. С. 67-72. [Черепанов В.М. Двойной оптико-гамма резонанс в мессбауэровских спектрах пентафосфата европия. / Черепанов В.М., М.А. Чуев, М.А. Поликарпов, В.Я. Панченко. Доклады АН. 2014. T.454. №5. C. 531-536].
  14. Cherepanov, V. Observation of the double optical-gamma resonance in Mossbauer spectra of 151Eu in EuP5O14 single crystal. / V. Cherepanov, M. Chuev, M. Polikarpov, S. Nikoulin, V. Panchenko. // Hyperfine Interactions. 2014. Т. 226. № 1-3. С. 649-659.
  15. Chuev, M. A. Excitation spectrum and magnetic dynamics of antiferromagnetic nanoparticles in Mossbauer spectroscopy / M. A.Chuev // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2014. Т. 99. № 5. С. 278-282.
  16. Chuev, M.A. Macroscopic quantum effects observed in Mossbauer spectra of antiferromagnetic nanoparticles. / M.A. Chuev. // Hyperfine Interactions. 2014. Т. 226. № 1-3. С. 111-122.
  17. Dokukina, K.A. Archaean to Palaeoproterozoic high-grade evolution of the Belomorian eclogite province in the Gridino area, Fennoscandian Shield: Geochronological evidence. / Dokukina K.A., Kaulina T.V., Konilov A.N., Mints M.V., Van K.V., Natapov L., Belousova E., Simakin S.G., Lepekhina E.N. // Gondwana Research. 2014. V. 25. № 2. P. 585–613.
  18. Dubov, G.A. Self-formation of lead telluride nanostructures during argon plasma etching of single-crystal wafers. / Dubov G.A., Zimin S.P., Gorlachev E.S., Amirov I.I., Naumov V.V. and Bagiyeva G.Z. // J. Phys.: Conf. Ser. 541 012017.
  19. Filippov, S.N. Entanglement sensitivity to signal attenuation and amplification / S.N. Filippov and M. Ziman // Physical Review A 90, 010301(R) (2014).
  20. Filippov, S.N. PPT-inducing, distillation-prohibiting, and entanglement-binding quantum channels.// Journal of Russian Laser Research 35, 484 (2014).
  21. Gabbasov, R.R. Size effect of magnetic nanoparticles on the shape of the Mossbauer spectrum. / R.R. Gabbasov, V.M. Cherepanov, M.A. Chuev, M.A. Polikarpov, V.Y. Panchenko. //Hyperfine Interact. 2014. V.226. P.383-387.
  22. GattoMonticone, D. Beating the Abbe Diffraction Limit in Confocal Microscopy via Nonclassical Photon Statistics / D. Gatto Monticone, K. Katamadze, P. Traina, E. Moreva, J. Forneris, I. Ruo-Berchera, P. Olivero, I.?P. Degiovanni, G. Brida, and M. Genovese // Phys. Rev. Lett. 113, 143602 – Published 30 September 2014.
  23. Khomyakov, A.N. A SEMIANALYTICAL MODEL OF A NANOWIRE-BASED FIELD-EFFECT TRANSISTOR / Khomyakov A.N., V’Yurkov V.V. // Russian Microelectronics. 2014. Т. 43. № 1. С. 57-71.
  24. Kuznetsova, I.A. The effect of electrons surface scattering on fine metal particle electromagnetic radiation absorption./ Kuznetsova I.A., Lebedev M.E., Yushkanov A.A. // Condensed Matter Physics. 2014. V. 17, No. 1, 13802:1-9.
  25. Litovchenko, V. PECULIARITIES OF THE IMPURITY REDISTRIBUTION UNDER ULTRA-SHALLOW JUNCTION FORMATION IN SILICON / Litovchenko V., Romanyuk B., Oberemok O., Popov V., Melnik V., Rudenko K., Vyurkov V. // Advanced Materials Research. 2014. Т. 854. С. 141-145. {Litovchenko, V. Peculiarities of the Impurity Redistribution Under Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon / Litovchenko V., Romanyuk, B.; Oberemok, O. ; Popov, V.; Melnik, V.; Rudenko, K.; Vyurkov, V. // Conference: 7th International Workshop on Functional Nanomaterials and Devices Location: Kyiv, UKRAINE Date: APR 08-11, 2013, – FUNCTIONAL NANOMATERIALS AND DEVICES VII Book Series: Advanced Materials Research Volume: 854 Pages: 141-145 Published: 2014.}}
  26. Lomov, A.А. High resolution synchrotron diffraction study of porous buffer InP(001) layers. / A.A. Lomov, V.I. Punegov, D. Nohavica, M.A. Chuev, A.L. Vasiliev, D.V. Novikov. // J. Appl. Cryst., 2014, v.47, 1614-1625.
  27. Lomov, A.А. X-Ray Reflectometry of the Specific Features of Structural Distortions of He+_Implanted Si(001) Surface Layers. / A. A. Lomov, A. V. Myakon’kikh, K. V. Rudenko, Yu. M. Chesnokov. // Crystallography reports, 2014, v.59. N3. pp. 331-337. DOI: 10.1134/S1063774514020138. – Published: MAY 2014.
  28. Maishev, Yu. Formation of fast neutral particle beams and their using for selective etching / Maishev, Yu., Shevchuk S., Kudrya V. // Proceedings of SPIE, 2014, Vol. 9440 “Micro- and Nanoelectronics 2014”, 94400K, pp. 1-13.
  29. Miakonkikh, A.V. Carbon and fluorine co-implantation for boron diffusion suppression in extremely ultra shallow junctions / Andrey V. Miakonkikh ; Aleksander E. Rogozhin ; Valeriy I. Rudakov ; Konstantin V. Rudenko and Vladimir F. Lukichev // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014, 94400L (December 18, 2014); doi:10.1117/12.2181006.
  30. Mischenko, I. ANTIFERROMAGNETIC FLфUCTUATIONS IN CEPDSN KONDO COMPOUND FROM MoSSBAUER SPECTROSCOPY / Mischenko I., Chuev M., Cherepanov V., Polikarpov M. // Hyperfine Interactions. 2014. Т. 226. № 1-3. С. 299-308.
  31. Orlikovsky, A. Quantum noise in nanotransistors / A.Orlikovsky, V. Vyurkov, I. Semenikhin, V. Borzdov // Functional nanomaterials and devices for electronics, sensors and energy harvesting, Eds. A. Nazarov, F. Balestra, D. Flandre, V. Kilchytska. – Springer Verlag, pp. 151-162, 2014.
  32. Ovcharov, V. Effect of the doping level on temperature bistability in a silicon wafer / Ovcharov, V. V., Rudakov, V. I., Prigara, V. P., Kurenya, A. L. // TECHNICAL PHYSICS. Volume: 59. Issue: 8. Pages: 1171-1179. – DOI: 10.1134/S1063784214080167. – Published: AUG 2014
  33. Polikarpov, D. Mossbauer evidence of 57Fe3O4 based ferrofluid biodegradation in the brain. / D. Polikarpov, V. Cherepanov, M. Chuev, R. Gabbasov, I. Mischenko, M. Nikitin, Y. Vereshagin, A. Yurenya, V.Panchenko. // Hyperfine Interactions. 2014. Т. 226. № 1-3. С. 421-430.
  34. Privezentsev, V.V. HRTEM and XPS study of nanoparticle formation in Zn+ ion implanted Si. / V.V. Privezentsev, N.Yu. Tabachkova, Yu.Yu. Lebedinskii // AIP Conference Proceedings, v. 1583, p. 109 (2014). – DOI: 10.1063/1.4865615.
  35. Privezentsev, V.V. ZNO NANOPARTICLE CREATING IN A SIO2/SI STRUCTURE USING THE ZN ION IMPLANTATION WITH SUBSEQUENT HEAT TREATMENT / Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Petrov D.V., Bazhenov V.A., Shteinman E.A. // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2014. Т. 8. № 2. С. 332-337.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2013 год

Статьи:

  1. Bogdanov, Yu.I. Mathematical models of quantum noise / Yu.I. Bogdanov, A.Yu. Chernyavskiy, A.S. Holevo, V.F. Luckichev, A.A. Orlikovsky // Proc.SPIE: “Micro- and Nanotechnologies 2012”. – 2013. – V. 8700. Art. 870019.
  2. Bogdanov, Yu.I. Modeling of quantum noise and the quality of hardware components of quantum computers / Yu.I. Bogdanov, A.Yu. Chernyavskiy, A.S. Holevo, V.F. Luckichev, A.A. Orlikovsky // Proc.SPIE: “Micro- and Nanotechnologies 2012”. – 2013. – V. 8700. Art. 87001A.
  3. Bogdanov, Yu.I. Creating, maintaining, and breaking of quantum entanglement in quantum operations / Yu.I. Bogdanov, A.Yu. Chernyavskiy, A.S. Holevo, V.F. Luckichev, A.A. Orlikovsky, B.I. Bantysh // Proc.SPIE: “Micro- and Nanotechnologies 2012”. – 2013. – V. 8700. Art. 87001B.
  4. Bogdanov, Yu.I. Mathematical modeling and experimental study of polarization echo in optically anisotropic media / Yu.I. Bogdanov, A.A. Kalinkin, S.P. Kulik, E.V. Moreva, V.A. Shershulin, L.V. Belinsky // Proc.SPIE: “Micro- and Nanotechnologies 2012”. – 2013. – V. 8700. Art. 87001C.
  5. Bogdanov, Yu. I. Quantum polarization transformations in anisotropic dispersive medium / Yu. I. Bogdanov, A. A. Kalinkin, S. P. Kulik, E. V. Moreva, V. A. Shershulin // New Journal of Physics. 2013. V.15. 035012. 24 p
  6. Богданов, Ю.И. Вычислительные задачи моделирования элементной базы квантовых компьютеров / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичёв, А.А. Орликовский, И.А.Семенихин, А.С. Холево, А.Ю. Чернявский // Информационные технологии и вычислительные системы. 2013. №3 с.3-14.
  7. Богданов, Ю.И. Методы оценивания качества квантовых информационных технологий на основе квантовых измерений / Ю.И. Богданов, А.К. Гавриченко, В.Ф. Лукичёв, А.А. Орликовский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев – М.:Наука, 2013. – 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.76-108.
  8. Bogdanov, Yu.I. The efficiency of quantum tomography based on photon detection / Yu. I. Bogdanov, S. P. Kulik // Laser Physics Letters. 2013. V.10. №12. 125202. 7p.
  9. Кокин, А.А. Исследования моделей полномасштабных квантовых компьютеров на ядерных спинах в ФТИАН // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев – М.:Наука, 2013. – 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.19-55.
  10. Ryzhii, V. Double injection in graphene p-i-n structures / V. Ryzhii, I. Semenikhin, M. Ryzhii, D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Satou, and T. Otsuji // J. Appl. Phys. 113, 244505 9p (2013)
  11. Zanuccoli, M. Advanced electro-optical simulation of nanowire-based solar cells / M. Zanuccoli, I. Semenihin, J. Michallon, E. Sangiorgi, C. Fiegna // J Comput Electron. – 2013. – V.12. – Р.572–584; DOI 10.1007/s10825-013-0516-1.
  12. Semenikhin, I. Computationally efficient finite-difference modal method for the solution of Maxwell’s equations / I. Semenikhin and M. Zanuccoli // J. Opt. Soc. Am. A. – 2013. – V.30. – P. 2531-2538.
  13. Zanuccoli, M. Numerical simulation of vertical silicon nanowires based heterojunction solar cells / M. Zanuccoli, J. Michallon, I. Semenihin, C. Fiegna, A. Kaminski-Cachopo, E. Sangiorgi, V. Vyurkov // Energy Procedia. 2013. – V.38. – P.216-222. (Proceedings of the 3rd International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV 2013), Hamelin, Germany, March 25-27).
  14. Katamadze, K. G. Intracavity generation of broadband biphotons in a thin crystal / K. G. Katamadze, N. A. Borshchevskaya, I. V. Dyakonov, A. V. Paterova and S. P. Kulik // Laser Physics Letters. – 2013. – V.10(4). – P. 045203.
  15. Цуканов, А.В. Твердотельные зарядовые кубиты на одиночных и двойных квантовых точках / А.В.Цуканов // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев – М.:Наука, 2013. – 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С. 56-75.
  16. Цуканов, А.В. NV-центры в алмазе. Часть III: Квантовые алгоритмы, масштабирование, гибридные системы / А.В.Цуканов // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 3.
  17. Цуканов, А.В. Квантовая память на ансамблевых состояниях NV-центров в алмазе / А.В.Цуканов // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 163.
  18. Цуканов, А.В. Квантовые операции на зарядовых кубитах с электростатическим управлением в полупроводниковых резонаторах / А.В.Цуканов, И.Ю.Катеев // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 246.
  19. Цуканов, А.В. Квантовые точки в фотонных молекулах и квантовая информатика. Часть I / А.В.Цуканов // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 403.
  20. Чуев, М.А. О форме гамма-резонансных спектров ферримагнитных наночастиц в условиях метамагнетизма / М.А.Чуев // Письма в ЖЭТФ. – 2013. – Т.98. – №8. – С. 523-528.
  21. Чуев, М.А. Мессбауэровская спектроскопия магнитных наночастиц: от универсального качественного описания к реалистичным моделям магнитной динамики частиц разной магнитной природы и диагностике наноматериалов / М.А.Чуев // Известия РАН – Сер. физическая. – 2013. – Т.77. – №6. – С. 725–729.
  22. Чуев, М.А. Диагностика магнитных наноматериалов на основе исследования магнитной динамики наночастиц в «статических» и радиочастотных экспериментах / М.А.Чуев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев – М.:Наука, 2013. – 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.175-191.
  23. Поликарпов, Д.М. Применение мессбауэровской спектроскопии для интерпретации результатов гистологического анализа железосодержащих соединений в головном мозге крысы / Д.М.Поликарпов, Р.Р.Габбасов, В.М.Черепанов, М.А.Чуев, В.Я.Панченко // Известия РАН – Cер. физическая. – 2013. -Т.77/ – №6. – С. 803–806.
  24. Polikarpov, D.M. Efficiency analysis of clearance of two types of exogenous iron from the rat brain by Mossbauer spectroscopy / D.M.Polikarpov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, R.R.Gabbasov, I.N.Mischenko, V.A.Korshunov, V.Y.Panchenko // Hyperfine Interact. – 2013. V.219. – P. 83-88.
  25. Mischenko, I. Biodegradation of magnetic nanoparticles evaluated from Mossbauer and magnetization measurements / I.Mischenko, M.Chuev, V.Cherepanov, M.Polikarpov, V.Panchenko // Hyperfine Interact. – 2013. – V.219. – P.57-61.
  26. Мищенко, И.Н. Антиферромагнитные флуктуации в тяжелофермионном соединении CePdSn по данным мессбауэровской спектроскопии / И.Н.Мищенко, М.А.Поликарпов, В.М.Черепанов, М.А.Чуев // Известия РАН – сер. физическая. 2013. T.77. №6. C. 759–762.
  27. Сивков, В.Н. Рентгеновские и синхротронные исследования пористого кремния / В.Н. Сивков, А.А. Ломов, А.Л. Васильев, С.В. Некипелов, О.В. Петрова // Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т. 47. – №8. – С.1048-1054.
  28. Lomov, A. High-resolution X-ray diffraction and electron microscopy study of porous GaAs substrates / Andrey A. Lomov, Jan Grym, Dusan Nohavica, Andrey S. Orehov, Alexander L. Vasiliev, Dmitri V. Novikov // Proc.SPIE: “Micro- and Nanotechnologies 2012”. – 2013. – V. 8700.- P. 87000D-1 87000D7 .
  29. Sizova, N. L. Anisotropy of Microhardness and Fracture in Cs2Ni(SO4)2 6H2O Single Crystals / N. L. Sizova, A. E. Voloshin, V. L. Manomenova, E. B. Rudneva, and A. A. Lomov // Crystallography Reports. 2013. V. 57.No. 3. P. 410-414.
  30. Кудря, В.П. Расчет пропускной способности газового канала источников пучков быстрых нейтральных частиц методом Монте-Карло / В.П.Кудря, Ю.П. Маишев // Микроэлектроника. 2013. T.42. – №3. – C. 227-232.
  31. Bruk, M.A. The new dry method of mask (relief) formation by direct electron-beam etching of resist / M.A. Bruk, E.N. Zhikharev, D.R. Streltsov, V.A. Kalnov, A.V. Spirin // Microelectronic Engineering. V.112, December 2013. Р. 1-4.
  32. Брук, М. А. Новый сухой метод формирования маскирующего изображения (рельефа) непосредственно в процессе электронно-лучевого экспонирования резиста / М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, В. А. Кальнов, А. В. Спирин, Д. Р. Стрельцов //Микроэлектроника. 2013. T. 42. № 5. C.331-340.
  33. Васильев, С.В. Исследование годовой динамики кальцийсодержащих наночастиц, выделенных из гнейсов, вскрытых Воротиловской глубокой научной скважиной / С.В.Васильев, О.Ю.Златоустова (Приходько), Д.Э.Пухов, А.СРудый., А.Б.Чурилов, Н.В.Шеховцова, А.Ю.Ягушкина // Интеграл. 2013. №1,2 (69-70). C. 16-20.
  34. Бердников, А.Е. Кремнийсодержащий нанокомпозит для тонкопленочного литий-ионного аккумулятора / А.Е.Бердников, В.Н.Геращенко, В.Н.Гусев, Т.Л.Кулова, А.В.Метлицкая, А.А.Мироненко, А.С.Рудый, А.М.Скундин // Письма в ЖТФ. 2013. том 39. вып. 7. C. 73-78.
  35. Рудый, А. С. Механизм формирования волнового нанорельефа при эрозии поверхности ионной бомбардировкой в рамках модели Бредли-Харпера / А. С.Рудый, А. Н.Куликов, А.В.Метлицкая // Микроэлектроника. 2013. Т.42. № 4. С. 298–305.
  36. Богоявленский, Д.А. Роль структурных факторов в процессе регенерации нитроксильных радикалов при ингибированном окислении органических соединений / Д.А.Богоявленский, Т И.В.ихонов, Е.М.Плисс, А.И.Русаков // Башкирский хим. журнал. 2013. Т. 20. № 3. С. 77-80.
  37. Сирик, А.В. Влияние эффекта неспецифической сольватации на процесс неингибированного окисления винильных соединений / А.В.Сирик, С.Н.Леднев, С.А.Волкова, А.В.Загрузина, А.Е.Никитина // Башкирский хим. журнал. 2013. Т. 20. № 2. С. 137-139.
  38. Плисс, Е.М. Стабильные нитроксильные радикалы в химических и биохимических процессах / Плисс Е.М., Сень В., Тихонов И.В. // В кн: LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG, – Saarbruchen. 2013. – 96 с.
  39. Morozov, O. The mode matching technology for MEMS gyroscopes with mutually spaced eigenfrequencies / O. Morozov, A. Postnikov, I. Kozin, A. Soloviev, A. Tarasov // Proc.SPIE: “Micro- and Nanotechnologies 2012”. – 2013. – V. 8700. – 87000T (January 8, 2013); doi: 10.1117/12.2016784
  40. Амитонов, С.В. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе неравномерно легированного КНИ / С.В.Амитонов, Д.Е.Преснов, В.И.Рудаков, В.А.Крупенин // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. №. 3. С. 200.

Pages: 1 2 3

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2012 год

Статьи:

  1. Амиров, И.И. Ключевые процессы технологии микросистемной техники : плазомохимические процессы глубокого анизотропного травления кремния / И.И.Амиров, О.В.Морозов, В.А.Кальнов, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский // Интеграл. 2012. №4 (66). С.8-14.
  2. Бердников, A.E. Новые нанокомпозитные материалы для тонкопленочного литий – ионного аккумулятора / A.E.Бердников, В.Н. Гусев, Т.Л. Кулова, А.В. Метлицкая, А.А. Мироненко, В.В. Наумов, А.С.Рудый, А.М. Скундин, А.Б. Чурилов // Интеграл. 2012. №4(66). С. 22-24.
  3. Bogdanov, Y.I. ACCURACY CHARACTERISTICS FOR QUANTUM PROCESS TOMOGRAPHY USING SUPERCONDUCTOR PHASE QUBITS / Y.I.Bogdanov, S.A. Nuyanzin // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2012. Т. 76. № 2. С. 139-142.
  4. Богданов, Ю.И. Характеристики точности томографии квантовых процессов с использованием сверхпроводниковых фазовых кубитов / Ю.И.Богданов, С.А. Нуянзин // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2012. Т. 76. № 2. С. 164–168.
  5. Богданов, Ю.И. Квантовая механика и развитие информационных технологий / Ю.И.Богданов, А.А.Кокин, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И.А.Семенихин, А.Ю.Чернявский // Информационные технологии и вычислительные системы. 2012. №1. С.17-31.
  6. Богданов, Ю.И. Квантовые шумы и контроль качества элементной базы квантовых компьютеров на сверхпроводниковых фазовых кубитах / Ю.И.Богданов, В.Ф. Лукичёв, С.А. Нуянзин, А.А. Орликовский // Микроэлектроника. 2012. Т.41. №6. С.387-398.
  7. Богданов, Ю.И. Математическое моделирование влияния квантовых шумов на качество элементной базы квантовых компьютеров / Ю.И.Богданов, В.Ф.Лукичев, С.А.Нуянзин, А.А.Орликовский, А.С.Холево, А.Ю.Чернявский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.:Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7.- С. 39-77.
  8. Богданов, Ю.И. Поляризационные квантовые операции в анизотропной среде с дисперсией / Ю.И.Богданов, А.А.Калинкин, С.П.Кулик, Е.В.Морева, В.А.Шершулин, Л.В.Белинский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.:Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7.- С.78-102.
  9. Бучин, Э.Ю. Магнитооптические исследования гранулированных пленок Co-Cu / Э.Ю.Бучин, Д.А. Коканов, Н.С. Лапин, В.А. Папорков // Вестник ЯрГУ. Серия Естественные и технические науки. 2012. №1. С.4-12.
  10. Volodin, V.A. Evolution of silicon and hydrogen bonding in silicon-rich nitride films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition and annealed under high pressure / V.A.Volodin, A.A. Popov, A. Misiuk , H. Rinnert, M. Vergnat // Nanoscience and Nanotechnology Letters. 2012. V.4. P. 364-368.
  11. Vyurkov, V. Quantum simulation of an ultrathin body field-effect transistor with channel imperfections / V.Vyurkov, I. Semenikhin, S. Filippov, and A. Orlikovsky // Solid-State Electronics. 2012. V. 70. Р.106–113. (doi: 10.1016/j.sse.2011.11.021.).
  12. Svintsov, D. Hydrodynamic model for electron-hole plasma in graphene / D.Svintsov, V. Vyurkov, S. Yurchenko, T. Otsuji, and V. Ryzhii // Journal of Applied Physics. 2012. V. 111 №8. P.3715.
  13. Zakharova, A. A. Optical anisotropy of InAs/GaSb quantum wells / A. A.Zakharova, I.Semenikhin, K. A. Chao // Journal of Experimental and theoretical physics. 2012. V.114. -N5. P.731-737 ; DOI:10.1134/S1063776112030090.
  14. Zakharova, A.A. OPTICAL ANISOTROPY OF INAS/GASB BROKEN-GAP QUANTUM WELLS / A.A.Zakharova, I.A.Semenikhin, K.A.Chao // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2012. Т. 141. № 5. С. 840-847.
  15. Морозов, О.В. Изготовление микроэлектромеханических устройств на основе технологии встроенной изоляции в пластине кремния / О.В.Морозов, А.В. Постников, И.И. Амиров, В.А. Кальнов // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 7. С.15-19.
  16. Kal’nov, V.A. Operation of an Electronic Lithograph in the Mode of a Scanning Electron Microscope / V.A.Kal’nov, Yu.A. Novikov, A.A.Orlikovsky // Russian Microelectronics. 2012. V. 41. No. 6. Р. 426–429.
  17. Кальнов, В.А. РАБОТА ЭЛЕКТРОННОГО ЛИТОГРАФА В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА / В.А.Кальнов, Ю.А.Новиков, А.А.Орликовский // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 6. С. 426.
  18. Кокин, А.А. Анализ перспектив вариантов полномасштабных твердотельных квантовых регистров, использующих ядерные спины в качестве кубитов / А.А.Кокин // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.: Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7.- С.5-22.
  19. Ломов, А.А. Рассеяние рентгеновских лучей модулированными структурами пористого кремния / А.А.Ломов, В.И. Пунегов, В.А. Караванский, А.Л. Васильев // Кристаллография. 2012. Т.57. № 2. С.232-240.
  20. Lomov, A.A. X-RAY SCATTERING BY POROUS SILICON MODULATED STRUCTURES / A.A.Lomov, V.I.Punegov, V.A.Karavanskii, A.L.Vasilev // Crystallography Reports. 2012. Т. 57. № 2. С. 185-192.
  21. Ломов, А.А. Характеризация структуры и оптических свойств микронных пористых слоев на подложках легированного сурьмой кремния / А.А.Ломов, М.А.Чуев, В.А.Балин, Б.В. Набатов, А.Л.Васильев // Микроэлектроника. 2012. Т.41. № 6. С. 413.
  22. Кудря, В.П. Перспективы использования источников пучков быстрых нейтральных частиц в технологии микро- и наноэлектроники / В.П.Кудря, Ю.П. Маишев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.:Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7.- С. 105-124.
  23. Махвиладзе, Т.М. Неэмпирическое моделирование процессов химического осаждения пленок нитрида кремния в CVD реакторах / Т.М.Махвиладзе, М.Х. Минушев, М.Е.Сарычев // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 3. С.215-224.
  24. Гольдштейн, Р.В. Моделирование влияния внутренних механических напряжений на скорость роста кислородных преципитатов в кремнии / Р.В.Гольдштейн, Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Известия высших учебных заведений. Серия: Материалы электронной техники. 2012. № 2. С.37-42.
  25. Гольдштейн, Р.В. Деформационно-кинетическая модель преципитации кислорода в кремнии / Р.В.Гольдштейн, Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.:Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7. – С.125-139.
  26. Makhviladze, T.M. NONEMPIRICAL SIMULATION OF CHEMICAL DEPOSITION OF SILICON NITRIDE FILMS IN CVD REACTORS / T.M.Makhviladze, A.Kh.Minushev, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2012. Т. 41. № 3. С. 196-205.
  27. Мордвинцев, В.М. ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ НА САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ ПРОВОДЯЩИХ НАНОСТРУКТУРАХ С КРОССБАР-АРХИТЕКТУРОЙ / В.М.Мордвинцев // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 5. С. 351.
  28. Морозов, А.В. ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ МАГНИТНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК ПЕРМАЛЛОЯ ОТ ТОЛЩИНЫ И УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ / А.В.Морозов, В.П.Алексеев, В.А.Папорков, В.А.Наумов // Известия Юго-Западного государственного университета. 2012. № 1-2. С. 48-59.
  29. Рау, Э.И. Функция отклика и оптимальная конфигурация полупроводниковых детекторов отраженных электронов для сканирующих электронных микроскопов / Э.И.Рау, Н.А.Орликовский, Е.С.Иванова // Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №6. С.829–832.
  30. Сирик, А.В. Роль полярности среды в окислении (мет)акриловых эфиров / А.В.Сирик, А.Е.Никитина, С.Н.Леднев, Е.М.Плисс // Башкирский хим. журнал. 2012. Т. 19. № 2. С. 109-110.
  31. Богоявленский, Д.А. Окисление гидроксиламинов пиперидинового ряда молекулярным кислородом / Д.А.Богоявленский, И.В.Тихонов, Е.М.Плисс, А.И.Русаков // Башкирский хим. журнал. 2012. Т. 19. № 2. С. 104-105.
  32. Pliss, E. M. The kinetics and mechanism of reactions of aliphatic stable nitroxyl radicals with alkyl and peroxide radicals during styrene oxidation / E.M.Pliss, I. V.Tikhonov, A. I.Rusakov // Russian Journal of Physical Chemistry B. 2012. Vl. 6. No.3. P. 376-383.
  33. Казнина, М.А. Кинетика и механизм ингибированного стабильными нитроксильными радикалами окисления винилпиридинов / М.А.Казнина, А.С.Копылова, А.М.Гробов, И.В.Тихонов, Е.М.Плисс // Башкирский хим. журнал. 2012. Т. 19. № 2. С. 127-128.
  34. Морозов, О.В. Изготовление кремниевого чувствительного элемента микромеханического вибрационного гироскопа / О.В.Морозов, А.В. Постников, И.В. Уваров, И.А. Козин, И.И. Соловьёв, А.Н. Тарасов // Наноинженергия. 2012. №2. С.12-19.
  35. Kulikauskas, V.S. Transformation of Defect Layer and Dopant Profile in Zinc Implanted Silicon during Thermal Annealing / V.S.Kulikauskas, V.V. Saraikin, D.V. Roshchupkin, V.V. Privezentsev // Crystallography Reports. V. 57. N7. pp. 903–908 (2012).

Pages: 1 2 3 4 5

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2011 год

Статьи:

  1. Уваров, И.В. Динамические характеристики чувствительного элемента микроакселерометра с повышенным фактором демпфирования / И.В.Уваров, О.В.Морозов, И.А.Козин, А.В.Постников, И.И.Амиров, В.А.Кальнов // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – № 12. – С. 38-40. – Библиогр.: с. 40 (7 назв. ) . – ISSN 1813-8586.
  2. Уваров, И. В. Исследование резонансных характеристик металлических микро- и нанобалок / И. В.Уваров, В. В.Наумов, М. К.Аминов, А. Н.Куприянов, И.И. Амиров // Нано- и Микросистемная техника. 2011. № 12. С.45-48.
  3. Бетелин, В.Б. ПАМЯТИ КАМИЛЯ АХМЕТОВИЧА ВАЛИЕВА / В.Б.Бетелин, Е.П.Велихов, Ю.В.Гуляев, А.А.Кокин, Ю.В.Копаев, Г.Я.Красников, Ф.А.Кузнецов, В.Ф.Лукичев, И.Г.Неизвестный, А.А.Орликовский, А.В.Раков, Ю.А.Чаплыгин // Успехи физических наук. 2011. Т. 181. № 5. С. 557-558.
  4. Богданов, Ю.И. Информационные аспекты интерференционных экспериментов “который путь” с микрочастицами / Ю.И.Богданов, К.А.Валиев, С.А.Нуянзин, А.К.Гавриченко // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.3-30.
  5. Богданов, Ю.И. Статистическое восстановление смешанных состояний поляризационных кубитов / Ю.И.Богданов, А.К. Гавриченко, К.С. Кравцов, С.П. Кулик, Е.В. Морева, А.А. Соловьев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.140. Вып.8. С.224-235.
  6. Bogdanov, Yu.I. STATISTICAL RECONSTRUCTION OF MIXED STATES OF POLARIZATION QUBITS / Yu.I.Bogdanov, A.K.Gavrichenko, K.S.Kravtsov, S.P.Kulik, A.A.Soloviev, E.V.Moreva // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2011. V. 113. № 2. P. 192-201.
  7. Bogdanov, Yu.I. Statistical Estimation of Quantum Tomography Protocols Quality / Yu.I.Bogdanov, G. Brida, I. D. Bukeev, M. Genovese, K. S. Kravtsov, S. P. Kulik, E. V. Moreva, A. A. Soloviev, A. P. Shurupov // Phys. Rev. A. 2011. V.84. 042108. 19 p.
  8. Bogdanov, Yu.I. Statistical properties of fidelity in quantum tomography protocols in Hilbert spaces of different dimensions / Yu.I.Bogdanov, I.D. Bukeev, A. K. Gavrichenko // arXiv: 1102.3880 [quant-ph]. 14 p.
  9. Bogdanov, Yu.I. Accuracy features for quantum process tomography using superconductor phase qubits / Yu.I.Bogdanov, S.A. Nuyanzin // arXiv: 1106.2906 [quant-ph]. 7 p.
  10. Богданов, А.Ю. Квантовые компьютеры: достижения, трудности реализации и перспективы / Ю.И.Богданов, К.А.Валиев, А.А.Кокин // Микроэлектроника. 2011. Т.40. №4. С.243-255.
  11. Bogdanov, Yu.I. QUANTUM COMPUTERS: ACHIEVEMENTS, IMPLEMENTATION DIFFICULTIES, AND PROSPECTS / Yu.I.Bogdanov, K.A.Valiev, A.A.Kokin // Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 4. С. 225-236.
  12. Богданов, Ю.И. Исследование адекватности, полноты и точности протоколов квантовых измерений / Ю.И.Богданов, И.Д. Букеев, А.К. Гавриченко // Оптика и спектроскопия. 2011. Т.111. №4. С.680- 689.
  13. Bogdanov, Y.I. STUDYING ADEQUACY, COMPLETENESS, AND ACCURACY OF QUANTUM MEASUREMENT PROTOCOLS / Y.I.Bogdanov, I.D.Bukeev, A.K.Gavrichenko // Optics and Spectroscopy. 2011. V. 111. № 4. P. 647-655.
  14. Filippov, S. Effect of image charge on double quantum dot evolution / S.Filippov, V. Vyurkov, L. Fedichkin // Physica E. 2011. V. 44. P.501-505.
  15. Svintsov, D. Effect of ‘‘Mexican Hat’’ on Graphene Bilayer Field-Effect Transistor Characteristics / D.Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, and T. Otsuji // Japanese Journal of Applied Physics. 2011. V. 50. № 7 PART 1. P. 070112.
  16. Khomyakov, A. Semi-analytical models of field-effect transistors with low-dimensional channels / A.Khomyakov and V. Vyurkov // Advanced Materials Research. 2011. V. 276. P.51-57.
  17. Zakharova, A. Spin-related phenomena in InAs/GaSb quantum wells / A.Zakharova, I.Semenikhin, K. A.Chao // Письма в ЖЭТФ. 2011. Т. 94. № 8. С. 704-709.
  18. Куприянов, Л.Ю. НАНОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК КОМПОЗИТА КРЕМНИЙ – УГЛЕРОД, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ / Л.Ю.Куприянов, Ю.Е.Рогинская, Н.В.Козлова, Е.Д.Политова, В.А.Кальнов, Е.Н. Жихарев // Российские нанотехнологии. 2011. Т. 6. № 9-10. С. 120-124.
  19. Кальнов, В.А. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ ВЫХОДА ГОДНЫХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ / В.А.Кальнов, И.А.Косолапов // Наноинженерия. 2011. № 2. С. 23-26.
  20. Katamadze, K.G. CONTROL OF THE FREQUENCY SPECTRUM OF A BIPHOTON FIELD DUE TO THE ELECTRO-OPTICAL EFFECT / K.G.Katamadze, A.V.Paterova, S.P.Kulik, E.G.Yakimova, K.A.Balygin // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V. 94. № 4. P. 262-265.
  21. Кокин, А.А. О косвенном взаимодействии между ядерными спинами в легкоосном антиферромагнетике / А.А.Кокин, В.А.Кокин // Теоретическая и математическая физика. 2011. Т.168. №3. С. 467-481.
  22. Kokin, A.A. INDIRECT INTERACTION BETWEEN NUCLEAR SPINS IN EASY-AXIS ANTIFERROMAGNETS / A.A.Kokin, V.A.Kokin // Theoretical and Mathematical Physics. 2011. Т. 168. № 3. С. 1258-1270.
  23. Корчагина, Т.Т. Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiNx на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок / Т.Т.Корчагина, В.А.Володин, А.А.Попов, К.С.Хорьков, М.Н. Герке // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 13. С.62-69.
  24. Кудря, В.П. Механизм возбуждения эмиссионной линии 345.1 нм иона бора в низкотемпературной молекулярной плазме / В.П.Кудря // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с.- ISBN 0868-7129. – С.145-154 .
  25. Ломов, А.А. Рассеяние рентгеновских лучей модулированными структурами пористого кремния / А.А.Ломов, В.И. Пунегов, В.А. Караванский, А.Л. Васильев // Кристаллография. 2011. Т.56. № 6 .С.1014-1022.
  26. Соболев, Н.А. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре / Н.А.Соболев, А.Е.Калядин, И.Е.Шек, В.И.Сахаров, И.Т.Серенков, В.И.Вдовин, Е.О.Паршин, М.И.Маковийчук // Физика и техника полупроводников. – 2011. Т. 45. № 8. С. 1038 – 1040.
  27. Алексеев, И.М. Термодинамическая модель влияния атомарных примесей на адгезионную прочность интерфейсов / И.М.Алексеев, Т.М. Махвиладзе, А.Х. Минушев, М.Е. Сарычев // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 5. С. 325-330.
  28. Alekseev, I.M. A THERMODYNAMIC MODEL OF THE INFLUENCE OF ATOMIC IMPURITIES ON THE ADHESION STRENGTH OF INTERFACES / I.M.Alekseev, T.M.Makhviladze, A.Kh.Minushev, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 5. С. 303-308.
  29. Гольдштейн, Р.В. Моделирование кинетики адсорбции решеточных дефектов границей соединенных материалов / Р.В.Гольдштейн, Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Поверхность. 2011. № 8. С.5-11.
  30. Goldshtein, R.V. MODELING THE KINETICS OF LATTICE DEFECT ADSORPTION INTO THE INTERFACE OF JOINT MATERIALS / R.V.Goldshtein, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2011. V. 5. № 4. P. 712-717.
  31. Махвиладзе, Т.М. Использование подхода, основанного на пространственно-временном методе конечных разностей, при моделировании фотолитографического процесса / Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев. // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с.- ISBN 0868-7129. – С.56-65.
  32. Алексеев, А.И. Моделирование влияния примесей на работу разделения интерфейса / А.И.Алексеев, Т.М. Махвиладзе, А.Х. Минушев, М.Е. Сарычев // – В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.: Наука, 2010. – 199 c . – ISBN 978-5-02-037494-2. – С.85-94.
  33. Махвиладзе, Т.М. Расширенный химический механизм осаждения пленок нитрида кремния из химически активной газовой фазы (ab initio моделирование) / Т.М.Махвиладзе, А.Х. Минушев, М.Е.Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.66-84.
  34. Митропольский, Ю.И. Развитие технологии, архитектуры и методов проектирования высокопроизводительных вычислительных систем / Ю.И.Митропольский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.31-54.
  35. Qviller, A.J. INTERMITTENT FLUX PENETRATION AT DIFFERENT TEMPERATURES IN YBA2CU3O7-X ON NDGAO3 SUBSTRATES / A.J.Qviller, V.Yurchenko, J.I.Vestgarden, T.H.Johansen, Y.Galperin, P.B.Mozhaev, J.E.Mozhaeva, J.B.Hansen, C.S.Jacobsen // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2011. V. 24. № 1-2. P. 179-181.

Pages: 1 2 3 4

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2010 год

Статьи:

  1. Зимин, С.П. САМОФОРМИРОВАНИЕ 0-D И 1-D НАНОСТРУКТУР ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА ПОД МАСКОЙ ТРАВЛЕНИЯ В ХОДЕ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ / С.П.Зимин, Е.С.Горлачев, И.И.Амиров, В.В.Наумов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т. 10. № 1-2. С. 200-203.
  2. Амиров, И.И. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПРИРОДНОГО АЛМАЗА / И.И.Амиров, А.Н.Магунов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т. 10. № 1-2. С. 228-231.
  3. Богданов, Ю.И. Квантовая теория как унифицированная информационная модель статистических явлений / Дополнение к книге Бройер Х.-П., Петруччионе Ф. Теория открытых квантовых систем. – М.- Ижевск. РХД. – 2010. – С. 758- 814.
  4. Bogdanov, Yu.I. Statistical Estimation of the Efficiency of Quantum State Tomography Protocols / Yu.I.Bogdanov, G. Brida, M. Genovese, S.P.Kulik, E.V.Moreva, A.P.Shurupov // Phys. Rev. Lett. 2010. V.105. 010404.
  5. Bogdanov, Yu.I. et al. Statistical Estimation of Quantum Tomography Protocols Quality // arXiv: 1002.3477 [quant-ph]. 5 p.
  6. Богданов, Ю.И. Оптимизация протокола статистического восстановления поляризационных кубитов / Ю.И.Богданов, С. П. Кулик, Е. В. Морева, И. В. Тихонов, А. К. Гавриченко // Письма в ЖЭТФ. 2010. Т.91. Вып.12. C.755-761.
  7. Bogdanov, Y.I. OPTIMIZATION OF A QUANTUM TOMOGRAPHY PROTOCOL FOR POLARIZATION QUBITS / Y.I.Bogdanov, A.K.Gavrichenko, S.P.Kulik, I.V.Tikhonov, E.V.Moreva // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2010. V. 91. № 12. PС. 686-692.
  8. Богданов, А.Ю. Информационные аспекты интерференционных экспериментов «который путь» с микрочастицами / Ю.И.Богданов, К.А. Валиев, С.А. Нуянзин, А.К. Гавриченко // Микроэлектроника. 2010. Т.39. №4. С.243-264.
  9. Bogdanov, Yu.I., Valiev K.A., Gavrichenko A.K., Nuyanzin S.A. INFORMATION ASPECTS OF “WHICH-PATH” INTERFERENCE EXPERIMENTS WITH MICROPARTICLES / Yu.I.Bogdanov, K.A.Valiev, A.K.Gavrichenko, S.A.Nuyanzin // Russian Microelectronics. 2010. V. 39. № 4. P. 221-242.
  10. Брук, М.А. Механизм формирования и некоторые свойства тонких фторуглеродных пленок, нанесенных на пластины кремния путем электронно-лучевой полимеризации гексафторпропилена из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н. Жихарев, И.А. Волегова, А.В. Спирин, Н.В. Козлова, Э.Н. Телешов, В.А. Кальнов // Высокомолекулярные соединения. Серия Б. 2010. Т. 52. № 2. С. 330–335.
  11. Bruk, M.A. THE MECHANISM OF FORMATION AND SOME PROPERTIES OF THIN FLUOROCARBON FILMS DEPOSITED ONTO SILICON PLATES BY ELECTRON-BEAM POLYMERIZATION OF HEXAFLUOROPROPYLENE FROM THE VAPOR PHASE / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, N.V.Kozlova, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’Nov // Polymer Science. Series B. 2010. V. 52. № 1-2. P. 81-85.
  12. Vyurkov, V. Quantum computing based on space states without charge transfer / V.Vyurkov, S. Filippov, and L. Gorelik // Physics Letters A. 2010. V. 374. № 33. P. 3285-3291.
  13. Zakharova, A. ELECTRON OPTICAL SPIN POLARIZATION IN BROKEN-GAP HETEROSTRUCTURES / A.Zakharova, K.A.Chao, I.Semenikhin // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75210W.
  14. Semenikhina, I.A. INTERSUBBAND OPTICAL TRANSITIONS IN INAS/GASB QUANTUM WELLS / I.A.Semenikhina, A.A.Zakharova, K.A.Chao // Russian Microelectronics. 2010. Т. 39. № 1. С. 63-72.
  15. Семенихин, И.А. МЕЖПОДЗОННЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ ТИПА INAS/GASB / И.А.Семенихин, А.А.Захарова // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 1. С. 68-77.
  16. Дегтярев, А.В. Математическое моделирование влияния шероховатости поверхности фокусирующего канала на угловые характеристики пучка быстрых нейтральных частиц / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. №6. С. 430-435.
  17. Kudrya, V.P. EXCITATION MECHANISM OF THE B+ EMISSION LINE AT 345.1 NM IN LOW-TEMPERATURE PLASMAS / V.P. Kudrya // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.752109.
  18. Degtyarev, A.V. SIMULATION RESULTS FOR THREE NEUTRALIZATION CHANNEL DESIGNS OF A FAST NEUTRAL BEAM SOURCE / A.V.Degtyarev, V.P.Kudrya, Yu.P.Maishev // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75211G.
  19. Маишев, Ю.П. Установка прецизионного реактивного ионно-лучевого травления наноструктур для автоэмиссионных приборов / Ю.П.Маишев, Ю.П.Терентьев, С.Л.Шевчук, Н.И.Татаренко, В.А.Голиков // Микроэлектроника. 2010. Т.39. №4. С.253-262.
  20. Маковийчук, М.И. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ФЛИККЕР-ШУМОВОЙ ГАЗОВОЙ СЕНСОРИКИ / М.И.Маковийчук, А.Л.Чапкевич, А.А.Чапкевич // Русский инженер. 2010. № 26-27. С. 30-36.
  21. Makhviladze, Т. Electromigration theory and its applications to integrated circuit metallization / Т.Makhviladze, M. Sarychev // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.752117.
  22. Валиев, К.А. Теория и моделирование нано- и микропроцессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть II. Деградация и объемное разрушение поликристаллической проводящей линии / К.А.Валиев Р.В. Гольдштейн, Ю.В. Житников, Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 3. С. 163-176.
  23. Valiev, K.A. NANO-AND MICROMETER-SCALE THIN-FILM-INTERCONNECTION FAILURE THEORY AND SIMULATION AND METALLIZATION LIFETIME PREDICTION, PART 2: POLYCRYSTALLINE-LINE DEGRADATION AND BULK FAILURE / K.A.Valiev, R.V.Goldstein, Yu.VZhitnikov., T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2010. Т. 39. № 3. С. 145-157.
  24. Makhviladze, Т. Projection photolithography modeling using the finite-difference time-domain approach / Т.Makhviladze, M.Sarychev // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.752103.
  25. Alekseev, I. Modeling of the interfacial separation work in relation to impurity concentrations in adjoining materials / I.Alekseev, T. Makhviladze, A. Minushev, M. Sarychev // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.7521C.
  26. Goldstein, R. The thermodynamic theory of interfacial adhesion between materials containing point defects // R.Goldstein, T.Makhviladze, M.Sarychev / Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.7521B.
  27. Makhviladze, Т. Advanced atomic-scale simulation of silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia / Т.Makhviladze, A. Minushev // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75211А.
  28. Махвиладзе, Т.М. Моделирование влияния механических напряжений на кинетику роста кислородных преципитатов в кремнии / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Математическое моделирование физико-механических процессов. – Вестник Пермского национального исследовательского политехнического университета. Механика. 2010. № 1. С. 35-49.
  29. Yurchenko, V.V. Anisotrophic currents and flux jumps in high-Tc superconducting films with self-organized arrays of planar defects / V.V.Yurchenko, A.J. Qviller, P.B. Mozhaev, J.E. Mozhaeva, J.B. Hansen, C.S. Jacobsen, I.M. Kotelyanskii, A.V. Pan, T.H. Johansen // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2010. V. 470. № 19. P. 799-802.
  30. Мордвинцев, В. М. Влияние давления газовой среды и длительности управляющих импульсов на стабильность характеристик элементов памяти на основе электроформованных структур Si-SiO2-W / В. М.Мордвинцев, С.Е.Кудрявцев, В.Л.Левин, Л.А.Цветкова // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 5. С. 337-347.
  31. Miakonkikh, А. Application of Langmuir probe technique in depositing plasmas for monitoring of etch process robustness and for end-point detection / А.Miakonkikh, K.Rudenko // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75210A.
  32. Валиев, К.А. Кремниевая наноэлектроника: проблемы и перспективы / К.А. Валиев, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский // Успехи современной радиоэлектроники. 2010. №.6. С.7-22.
  33. Валиев, К.А. ИЗМЕРЕНИЕ ЛИНЕЙНЫХ РАЗМЕРОВ КРЕМНИЕВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НАНОРЕЛЬЕФА С ПРОФИЛЕМ, БЛИЗКИХ К ПРЯМОУГОЛЬНОМУ, МЕТОДОМ ДЕФОКУСИРОВКИ ЭЛЕКТРОННОГО ЗОНДА РЭМ / К.А.Валиев, В.П.Гавриленко, Е.Н.Жихарев, М.А.Данилова, В.А.Кальнов, Ю.В.Ларионов, В.Б.Митюхляев, А.А.Орликовский, А.В.Раков, П.А.Тодуа, М.Н.Филиппов // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 6. С. 420-425.
  34. Khorin, I.A. Hf-based barrier layers for Cu-metallization / I.A.Khorin, Yu. I.Denisenko, V.N.Gusev, A.A.Orlikovsky, A.E.Rogozhin, V.I.Rudakov, A.G.Vasiliev // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75210J-1.
  35. Rogozhin, А.Е. CoSi2/TiO2/SiO2/Si gate structure formation / А.Е.Rogozhin, I.A Khorin, V.V. Naumov, A.A. Orlikovsky, V.V. Ovcharov, V.I. Rudakov, A.G. Vasiliev // Proce.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P. 75210L. – doi:10.1117/12.854302

Pages: 1 2 3 4

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2009 год

Статьи:

  1. Шумилов, С.А. Моделирование эффектов формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом циклическом процессе / С.А.Шумилов, И.И.Амиров, В.Ф.Лукичев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №6. С.428-435.
  2. Zimin, S.P. Micromasking efert and nanostuctures self-formation on the surface of lead chalcoenide epitaxial films on Si substrates during argon plasma treatment / S.P.Zimin, E.S.Gorlachev, I.I.Amirov, H. Zong // J.Phys.D: Appl. Phys. 2009. V.42. N16. P.165205
  3. Амиров, И.И. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники / И.И. Амиров, О.В.Морозов, А.В.Постников, В.А.Кальнов, А.А.Орликовский, К.А.Валиев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С.159-174.
  4. Shumilov, A.S. SIMULATION OF THE EFFECTS OF DEEP GROOVING IN SILICON IN THE PLASMOCHEMICAL CYCLIC PROCESS / A.S.Shumilov, I.I.Amirov, V.F.Lukichev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P.385-392.
  5. Бачурин, В.И. Влияние облучения ионами аргона на образование интерметаллических соединений в системе никель-алюминий / В.И.Бачурин, С.А.Кривелевич // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 4. С. 63-66.
  6. Moreva, E. V. Optimal protocol for polarization ququart state tomography / E.V.Moreva, Yu I. Bogdanov, A.K. Gavrichenko, I.V. Tikhonov and S.P. Kulik // Applied Mathematics & Information Sciences. – 2009. – 3(1). – C.1-12.
  7. Богданов, Ю.А. Унифицированный метод статистического восстановления квантовых состояний, основанный на процедуре очищения / Ю.А.Богданов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т.135. Вып.6. C.1068-1078.
  8. Bogdanov, Yu.I. UNIFIED STATISTICAL METHOD FOR RECONSTRUCTING QUANTUM STATES BY PURIFICATION / Yu.I.Bogdanov // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2009. V. 108. № 6. P. 928-935.
  9. Бочкарев, В.Ф. ПОЛУЧЕНИЕ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОК ПЛАЗМОСТИМУЛИРУЮЩИМ МЕТОДОМ / В.Ф.Бочкарев, В.В.Овчаров // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 176-180.
  10. Бочкарев, В.Ф. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХТОНКИХ FE-NI ПЛЕНОК ПРИ ПЛАЗМОСТИМУЛИРОВАННОМ МЕТОДЕ ОСАЖДЕНИЯ / В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 181-187.
  11. Валиев, К.А. Перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах / К.А.Валиев, А.А.Кокин // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . -ISBN 978-5-02-036976-4. – С.17-35.
  12. Khomyakov, A.N. A SEMIANALYTICAL MODEL OF A THIN-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR / A.N.Khomyakov, V.V.V’yurkov // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 393-405.
  13. Хомяков, А.Н. ПОЛУАНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ТОНКИМ КАНАЛОМ / А.Н.Хомяков, В.В.Вьюрков // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 6. С. 436-448.
  14. Семенихин, И.А. Межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны / И.А.Семенихин, А.А.Захарова, К.А.Чао // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С. 57.
  15. Изюмов, М.О. Электростатический прижим с температурной стабилизацией полупроводниковых пластин при плазменной обработке / М.О.Изюмов // Приборы и техника эксперимента. 2009. № 6. С. 131-132.
  16. Zvezdin, A.K. Toroidal moment in the molecular magnet V15. / A.K.Zvezdin, V.V.Kostyuchenko, A.I.Popov, A.F.Popkov, and A.Ceulemans // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. 172404.
  17. Kostyuchenko, V.V. Finite Size Effects in Field-Induced Transitions in Magnetic Multilayers / V.V.Kostyuchenko // Solid State Phenomena. 2009. V. 152-153. P. 245-248 .
  18. Костюченко, В.В. Индуцированные магнитным полем переходы в анизотропных магнетиках с двумя точками компенсации / В.В.Костюченко // Физика твердого тела. 2009. Т.51. Вып. 2. С. 316-319.
  19. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование наклонного канала нейтрализации плазменного источника нейтральных пучков / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №3. С.188-197.
  20. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование канала нейтрализации источника пучков быстрых нейтральных частиц / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С.136-158.
  21. Маишев, Ю.П. ИСТОЧНИКИ ИОНОВ И ИОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ НАНЕСЕНИЯ И ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ / Ю.П.Маишев, Ю.П.Терентьев, С.Л.Шевчук // Интеграл. 2009. № 5. С. 10-12.
  22. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовой газовый сенсор / М.И.Маковийчук, А.Л.Чапкевич, А.А.Чапкевич, В.А.Винокуров // Медицинская техника. – 2009. – Т.43. – №3. – С.5-10.
  23. Валиев, К.А. Теория и моделирование нано- и микропроцессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть 1. Общая теория переноса вакансий, генерации механических напряжений и зарождения микрополостей при электромиграции. Деградация и разрушение многоуровневой металлизации / К.А.Валиев, Р.В.Гольдштейн, Ю.В.Житников, Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. № 6. С.404-427.
  24. Гольдштейн, Р.В. Влияние примесей на работу отрыва по границе соединенных материалов / Р.В.Гольдштейн, Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Поверхность. 2009. № 12. С. 73-78.
  25. Махвиладзе, Т.М. Теория электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников и ее приложения / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. – С.85-110.
  26. Махвиладзе, Т.М. Термодинамический анализ прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. – С.111-134.
  27. Valiev, K.A. NANO- AND MICROMETER-SCALE THIN-FILM-INTERCONNECTION FAILURE THEORY AND SIMULATION AND METALLIZATION LIFETIME PREDICTION, PART 1: A GENERAL THEORY OF VACANCY TRANSPORT, MECHANICAL-STRESS GENERATION, AND VOID NUCLEATION UNDER ELECTROMIGRATION IN RELATION TO MULTILEVEL-METALLIZATION DEGENERATION AND FAILURE / K.A.Valiev, R.V.Goldstein, Yu.V.Zhitnikov, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 364-384.
  28. Gol’dshtein, R.V. INFLUENCE OF IMPURITIES ON THE WORK OF SEPARATION ALONG THE INTERFACE OF JOINED MATERIALS / R.V.Gol’dshtein, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2009. V. 3. № 6. P. 956-961.
  29. Можаев, А.В. Трехмерное моделирование динамических процессов формирования микрокластеров в кристаллической матрице / А.В.Можаев, Э.Ю.Бучин, А.В.Проказников // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 3. С. 1-7.
  30. Можаев, А.В. Расчет потенциала в моделях кластерного роста / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Вычислительные методы и программирование. 2009. Т. 10. С. 24-27.
  31. Можаев, А.В. Компьютерное моделирование процессов формирования микрокластеров на основе масштабной инвариантности случайных блужданий / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 5. С. 323-330.
  32. Мордвинцев, В. М. Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 174-182.
  33. Мордвинцев, В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 183-191.
  34. Наумов, В.В. Увеличение адгезии металлических пленок к кремнию с помощью ионной бомбардировки в процессе их роста / В.В.Наумов, В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // ЖТФ. 2009. Том 79. Вып. 7. С. 146-149.
  35. Наумов, В.В. Магнетосопротивление многослойных структур, полученных магнетронным методом / В.В.Наумов, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Том 38. № 5. С. 369-373.
  36. Наумов, В.В. Зависимость экваториального эффекта Керра от угла падения света для сверхтонких пленок кобальта и мультислоев Сo/Сu/Сo. / В.В.Наумов, В.А.Папорков, М.В. Лоханин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 4. С. 273-279.
  37. Gavrilenko, V.P. Measurement of dimentions of resist mask elements below 100 nm with help of a scanning electron microscope / V.P.Gavrilenko, V.A.Kalnov, Yu.A.Novikov, A.A.Orlikovsky, A.V.Rakov, P.A.Todua, K.A.Valiev, E.N.Zhikharev // Proc. SPIE. – 2009. – V.7272 (Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXIII, ed. вy John A.Allgair, Christopher J. Raymond). – P.727227.
  38. Валиев, К.А. НАНОЭЛЕКТРОНИКА, ч.1. Введение в наноэлектроннику / К.А.Валиев, В.В.Вьюрков, В.А.Гридчин, В.П.Драгунов, А.А.Кокин, И.Г.Неизвестный, А.А.Орликовский, Ю.С.Протасов, И.А.Семенихин; под ред.А.А.Орликовского . – М: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2009. – 720 с. – ISBN 978-5-7038-3392-6.
  39. Валиев, К.А. От микро- и наноэлектроники к твердотельным квантовым компьютерам / К.А.Валиев, А.А.Орликовский. – В кн.: Базовые лекции по электронике. Под ред. В.М.Пролейко. Том 2. Твердотельная электроника. Техносфера. М: 2009. – С.72-95.
  40. Вьюрков, В.В. Эволюция моделей транзистора: от классических к квантовым / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И.А.Семенихин, А.Н.Хомяков // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С.66-84.

Pages: 1 2 3

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2008 год

Статьи:

  1. Амиров, И.И. Формирование микроструктур на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом траление/пассивация процессе / И.И.Амиров, Н. В. Алов // Химия высоких энергий. 2008. Т. 42. №2. С.164-168.
  2. Амиров, И.И. Механизм формирования микроигл на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом траление/осаждение процессе / И.И.Амиров, А. С. Шумилов // Химия высоких энергий. 2008. Т. 42. №5. С.446-450.
  3. Зимин, С.П. Формирование микро- и наноструктур на поверхности эпитаксиальных пленок A4В6 при обработке в аргоновой плазме / С.П.Зимин, Е.С.Горлачев, И. И.Амиров, М. Н. Герке // Микроэлектроника. 2008. Т.37. №2. С.200-212.
  4. Postnikov, A.V. Simulation, fabrication, and dynamics characteristics of electrostatically actuated switches / A.V.Postnikov, I. I.Amirov; V.V.Naumov, V.A.Kalnov // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025.
  5. Постников, А.В. Автоматизированный лазерный термометр для исследования плазменных процессов микротехнологии / А.В.Постников, И.Н.Косолапов, А.Н.Куприянов, И.И.Амиров, А.Н.Магунов // Приборы и техника эксперимента. 2008. №2. С.173-176.
  6. Bogdanov, Yu.I. Quantum theory with hidden variables and dynamic chaos / Yu.I.Bogdanov // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7023. – P.702303.
  7. Богданов, Ю.И. Исследование статистической природы неравенств Белла / Ю.И.Богданов // Микроэлектроника. 2008. Т.37. №5. С. 352- 369.
  8. Bogdanov, Yu.I. INVESTIGATION INTO THE STATISTICAL NATURE OF BELL’S INEQUALITIES // Russian Microelectronics. 2008. V. 37. № 5. P. 308-321.
  9. Богданов, А.Ю.Томографический метод моделирования квантовых систем / А.Ю.Богданов, Ю.И. Богданов, А.К. Гавриченко // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. – Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C. 23 – 46.
  10. Moreva, E. V. Optimal protocol for polarization ququart state tomography / E.V. Moreva, Yu I.Bogdanov, A.K.Gavrichenko, I.V.Tikhonov and S.P.Kulik // Applied Mathematics & Information Sciences 2009; LANL report quant-ph/0811.1927.
  11. Аверичкин, П.А. Структурные превращения винилсилсесквиоксанов в пленках при термообработке в различных газовых средах / П.А.Аверичкин, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев, С.Л.Шевчук, А.А.Шлёнский // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C.78-86.
  12. Брук, М.А. Свойства тонких пленок из политетрафторэтилена, нанесенных на твердые субстраты методом электронно-лучевой полимеризации из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов // Высокомолекулярные соединения. 2008. Т.50. N8. С.1566-1571.
  13. Bruk, M.A. PROPERTIES OF THIN POLY (TETRAFLUOROETHYLENE) FILMS DEPOSITED ON SOLID SUBSTRATES BY ELECTRON BEAM POLYMERIZATION FROM VAPOR PHASE / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, T E.N.eleshov, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’nov // Polymer Science. Series B. 2008. V. 50. № 7-8. P. 204-208.
  14. Брук, М.А. Прямое безрезистное нанесение изображения литографической маски электронно-лучевым осаждением из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Журнал физической химии. 2008. Т.82. N10. С.1943-1949.
  15. Брук, М.А. Нанесение маскирующего изображения методом электронно-лучевого осаждения из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Химия высоких энергий. 2008. Т.42. №2. С.134-142.
  16. Bruk, M.A. Mask image formation by electron beam deposition from vapor phase / M.A.Bruk, E.N.Zhikharev, S.L.Shevchuk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, V.A.Kalnov, Yu.P.Maishev // Proc. SPIE. – 2008. – V.7025. – P.702508.
  17. Брук, М.А. Некоторые закономерности безрезистного формирования маскирующего изображения методом электронно-лучевого осаждения из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Химия высоких энергий. 2008. Т.42. №5. С.407-412.
  18. Bruk, M.A. FORMATION OF MASKING PATTERN BY ELECTRON BEAM-INDUCED VAPOR DEPOSITION / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, S.L.Shevchuk, V.A.Kal’nov, Yu.P.Maishev // High Energy Chemistry. 2008. Т. 42. № 2. С. 105-112.
  19. Bruk, M.A. A NEW TYPE OF NANOSTRUCTURE IN SI/C COMPOSITE ELECTRODES FOR LITHIUM-ION BATTERIES / M.A.Bruk, A.V.Klochikhina, Yu.E.Roginskaya, V.A.Bespalov, B.A.Loginov, V.B.Loginov, N.A.Degtyarev, I.D.Zefirov, V.A.Kal’nov, T.L.Kulova, A.V.Skundin // Inorganic Materials. 2008. Т. 44. № 10. С. 1086-1090.
  20. Брук, М.А. НОВЫЙ ТИП НАНОСТРУКТУРЫ В SI/C-ЭЛЕКТРОДАХ ДЛЯ ЛИТИЙ-ИОННЫХ АККУМУЛЯТОРОВ / М.А.Брук, В.А.Беспалов, Б.А.Логинов, В.Б.Логинов, Н.А.Дегтярев, Н.А.Дегтярев, И.Д.Зефиров, В.А.Кальнов, А.В.Клочихина, Т.Л.Кулова, Ю.Е.Рогинская, А.М. Скундин // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 10. С. 1213-1217.
  21. Roginskaya, Yu.E. A NEW TYPE OF THE NANOSTRUCTURED COMPOSITE SI/C ELECTRODES / Yu.E.Roginskaya, T.L.Kulova, A.M.Skundin, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’Nov, V.B.Loginov, M.A.Bruk // Russian Journal of Electrochemistry. 2008. Т. 44. № 11. С. 1197-1203.
  22. Рогинская, Ю.Е. НОВЫЙ ТИП НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ КОМПОЗИТНЫХ SI/C ЭЛЕКТРОДОВ / Ю.Е.Рогинская, Т.Л.Кулова, А.М.Скундин, М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, В.А.Кальнов, В.Б.Логинов // Электрохимия. 2008. Т. 44. № 11. С. 1289-1296.
  23. Bruk, M.A. FEATURES OF RESIST-FREE FORMATION OF MASKING PATTERN BY ELECTRON BEAM-INDUCED VAPOR DEPOSITION / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, .L.Shevchuk, V.A.Kal’nov, Yu.P.Maishev // High Energy Chemistry. 2008. Т. 42. № 5. С. 360-365.
  24. Рогинская, Ю.Е. ВНЕДРЕНИЕ ЛИТИЯ В КРЕМНИЕВЫЕ ПЛЕНКИ, ПОЛУЧЕННЫЕ МАГНЕТРОННЫМ НАПЫЛЕНИЕМ / Ю.Е.Рогинская, Т.Л.Кулова, А.М.Скундин, М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, В.А.Кальнов // Электрохимия. 2008. Т. 44. № 9. С. 1069-1078.
  25. Roginskaya, Yu.E. THE STRUCTURE AND PROPERTIES OF A NEW TYPE OF NANOSTRUCTURED COMPOSITE SI/C ELECTRODES FOR LITHIUM ION ACCUMULATORS / Yu.E.Roginskaya, M.A.Bruk, A.V.Klochikhina, N.V.Kozlova, T.L.Kulova, A.M.Skundin, V.A.Kal’Nov, B.A. Loginov // Russian Journal of Physical Chemistry A. 2008. Т. 82. № 10. С. 1655-1662.
  26. Bruk, M.A. THE DIRECT RESIST-FREE DEPOSITION OF A LITHOGRAPHIC MASK FROM VAPOR INITIATED BY AN ELECTRON BEAM / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, S.L.Shevchuk, V.A.Kal’nov, Y.P.Maishev // Russian Journal of Physical Chemistry A. 2008. Т. 82. № 10. С. 1742-1747.
  27. Валиев, К.А. Поиск оптимальной маски в проекционной фотолитографии, как решение обратной задачи (теоретические исследования) / К.А.Валиев, А.А.Кокин // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – С.113-138.
  28. Vyurkov, V.V. All-quantum simulation of an ultra-small SOI MOSFET / V.V.Vyurkov, I.Semenikhin, V.Lukichev, A.Burenkov, A.Orlikovsky // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025. – P.70251K. ( ISSN: 0277-786X; ISBN: 978-0-8194-7238-0. doi: 10.1117/12.802532).
  29. Вьюрков, В.В. Квантовое моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И. А.Семенихин, А.Н.Хомяков // – В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C.195-216.
  30. Vyurkov, V.V. Effect of Coulomb scattering on graphene conductivity / V.V.Vyurkov, V.Ryzhii // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2008. V. 88. № 5. P. 322-325.
  31. Вьюрков, В.В. Международная конференция по микро-наноэлектронике (ICMNE-2007) / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, К.В.Руденко, А.А.Орликовский // Интеграл. 2008. – № 1. – С. 4-5.
  32. Ефремов, М.Д. Вариация края поглощения света в пленках SiNx с кластерами кремния / М.Д.Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Попов // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 2. С.202-207.
  33. Arzhannikova, S.A. Photoinduced variation of capacitance characteristics of MDS-structures with three-layer SiNx dielectrics / S.A.Arzhannikova,M.D. Efremov, V.A. Volodin, G.N. Kamaev, D.V. Marin, V.S. Shevchuk, S.A. Kochubei, A.A. Popov, Yu.A. Minakov // Solid State Phenomena. 2008. V.131-133. P. 461-466.
  34. Semenikhin, I. Effect of nonrelativistic interface Hamiltonian on optical transitions in broken-gap heterostructures / I.Semenikhin, A.Zakharova, K.A.Chao // Phys. Rev. B. 2008. V.77. 113307.
  35. Semenikhin, I. Intersubband optical transitions in InAs/GaSb broken-gap quantum wells / I.Semenikhin, A.Zakharova, K.Nilsson, K.A.Chao // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025. – P. 70250K.
  36. Zakharova, A. Optical absorption of polarized light in InAs/GaSb quantum wells / A.Zakharova, I.Semenikhin, K.A. Chao // Semiconductor Science and Technology. 2008. V. 23. № 12. P.5044.
  37. Kokin, A.A. An investigation of the antiferromagnet-based NMR quantum register in inhomogeneous magnetic field / A.A.Kokin, B.A.Kokin // Proc. SPIE. – 2008.- V. 7023. – P. 70230B.
  38. Костюченко, В.В. Обменные взаимодействия и спиновые состояния в магнитном молекулярном нанокластере V15. / В.В.Костюченко, М.В.Костюченко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2008. Т.134. N 4(10). С. 697–705.
  39. Kostyuchenko, V.V. Finite size effects in antiferromagnetic multilayers / V.V.Kostyuchenko // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025. – P. 70250T.
  40. Кудря, В.П. Процессы ионизации электронным ударом в плазме BF3 / В.П.Кудря // – В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C.170-184.

Pages: 1 2 3 4

On:
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2007 год

Статьи:

  1. Bachurin, V.I. Study of the interaction of argon and nitrogen ions with the silicon dioxide surface / V.I.Bachurin, S.A.Krivelevich, E.V.Potapov, A.B.Churilov // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2007. V1. No 2. P.136-140.
  2. Богданов, А.Ю. Информация Шмидта и запутанность квантовых систем / А.Ю.Богданов, Ю.И. Богданов, К.А. Валиев // Вестн. Моск. ун-та. Сер.15. Вычислительная математика и кибернетика. 2007. №1. C. 37-48.
  3. Богданов, А.Ю.Многочастичные запутанные квантовые состояния и моделирование статистических распределений термодинамики / А.Ю.Богданов, Ю.И. Богданов, К.А. Валиев // Оптика и спектроскопия. 2007. Т.103. №1. С. 36-43.
  4. Bogdanov, A.Yu. MULTIPARTICLE ENTANGLED QUANTUM STATES AND MODELING OF THERMODYNAMIC STATISTICAL DISTRIBUTIONS / A.Yu.Bogdanov, Yu.I.Bogdanov, K.A.Valiev // Optics and Spectroscopy. 2007. V. 103. № 1. PС. 31-38.
  5. Богданов, Ю.И. Математическое моделирование характеристик точности в задачах прецизионной квантовой томографии двухфотонных состояний / Ю.И.Богданов, Р.Ф. Галеев, С.П. Кулик, Е.В. Морева // Оптика и спектроскопия. 2007. Т.103. №1. С. 112-120.
  6. Bogdanov, Yu.I. MATHEMATICAL MODELING OF THE ACCURACY CHARACTERISTICS IN PROBLEMS OF PRECISION QUANTUM TOMOGRAPHY OF BIPHOTON STATES / Yu.I.Bogdanov, R.F.Galeev, S.P.Kulik, E.V.Moreva // Optics and Spectroscopy. 2007. V. 103. № 1. P. 107-115.
  7. Bogdanov, Yu.I. SIMULATION OF QUANTUM SYSTEMS BY THE TOMOGRAPHY MONTE CARLO METHOD / Yu.I.Bogdanov // Quantum Electronics. 2007. V. 37. № 12. P. 1091-1096.
  8. Богданов, Ю.И. Моделирование квантовых систем тографическим методом Монте-Карло / Ю.И.Богданов // Квантовая электроника. 2007. Т. 37. № 12. С. 1091-1096.
  9. Nilsson, K. Carrier transport in broken-gap heterostructures tuned by a magnetic field / K.Nilsson, A. Zakharova, I. Semenikhin and K. A. Chao // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. 205318.
  10. Vostrikova, E. Electrical excitation of shock and solitonlike waves in two-dimensional electron channels / E.Vostrikova, A. Ivanov, I. Semenikhin and V. Ryzhii // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. 035401.
  11. Мордвинцев, В.М. Исследование проводимости и электроформовки открытых «сэндвич»-структур Si-SiO2-W на высоколегированном кремнии / В.М.Мордвинцев, С.Е.Кудрявцев // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 6. С. 1-14.
  12. Овчаров, В.В. Влияние температурной зависимости коэффициента диффузии на эволюцию гауссова профиля в температурном поле / В.В.Овчаров, В.И.Рудаков // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 2. С. 142-149.
  13. Ozhigov, Yu.I. A COLLECTIVE BEHAVIOR METHOD IN SIMULATION OF MANY-BODY QUANTUM DYNAMICS / Yu.I.Ozhigov, A.Yu.Ozhigov // Optics and Spectroscopy. 2007. V. 103. № 1. P. 39-46.
  14. Orlikovsky, A. All-quantum simulation of ultrathin SOI MOSFET / A.Orlikovsky, V.Vyurkov, V.Lukichev, I.Semenikhin, A.Khomyakov // Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices. – Book Series: NATO Science for Peace and Security Series B – Physics and Biophysics. – 2007. – P.323-340; DOI: 10.1007/978-1-4020-6380-0_21.
  15. Орликовский, А.А. НАНОЭЛЕКТРОНИКА, КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ И ЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ В РОССИИ / А.А.Орликовский // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2007. № 5. С. 4-10.
  16. Александров, А.И. Квантово-химическое и магнито-резонансное исследование Zn-P комплекса в матрице Si. / А.И.Александров, С.Н.Добряков, В.В.Привезенцев // Микроэлектроника. 2007. Т.36, №.2. С.236.
  17. Aleksandrov, A.I. ZN-P COMPLEX IN SI: AN AB-INITIO CALCULATION OF THE STRUCTURE AND ELECTRON-SPIN PROPERTIES / A.I.Aleksandrov, S.N.Dobryakov, V.V.Privezentsev // Russian Microelectronics. 2007. V. 36. № 3. P. 203-207.
  18. Добряков, С.Н. К вопросу о природе векторного обменного взаимодействия в двухспиновой системе / С.Н.Добряков, В.В.Привезенцев // Прикладная физика. 2007. Т.36. Вып.5. С.5.
  19. Якимов, Е.Б. ИССЛЕДОВАНИЕ КРЕМНИЯ С ПРИМЕСЬЮ ЦИНКА МЕТОДОМ НАВЕДЕННОГО ТОКА В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ / Е.Б.Якимов, В.В. Привезенцев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007. № 4. С. 71-73.
  20. Головашкин, A.И. МОДЕЛИРОВАНИЕ СПЕКТРОВ ЯМР 31Р В БЕССПИНОВОЙ МАТРИЦЕ 28SI И ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО КВАНТОВОГО КОМПЬЮТЕРА / A.И.Головашкин, С.Н.Добряков, В.ВПривезенцев., А.М. Цховребов // Краткие сообщения по физике Физического института им. П.Н. Лебедева Российской Академии Наук. 2007. № 1. С. 3-12.

Pages: 1 2 3 4