2015

  1. Uvarov, I.V.MEMS switch with the active contact breaking mechanism. / Uvarov I.V., Naumov V.V., Koroleva O.M., Amirov I.I. // Journal of Physics: Conference Series. 2015. V.643. P. 012091. Scopus
  2. Zaitsev, S.V. SEMICONDUCTOR DETECTORS OF BACKSCATTERED ELECTRONS IN A SCANNING ELECTRON MICROSCOPE: CHARACTERISTICS AND APPLICATIONS / Zaitsev S.V., Kupreenko S.Y., Rau E.I., Tatarintsev A.A. // Instruments and Experimental Techniques . -2015. V.58. N 6. PP. 757-764.
    Зайцев, С. В. Характеристики и применения полупроводниковых детекторов отраженных электронов в сканирующем электронном микроскопе / С. В. Зайцев, С. Ю. Купреенко, Э. И. Рау, А. А. Татаринцев // Приборы и техника эксперимента. — 2015. — № 6. — С. 51–59.
  3. Zimin, S.P. Application of abnormally high sputtering rate of PbTe(Te) single crystals during inductively coupled argon plasma treatment for fabrication of nanostructures. / Zimin S.P., Gorlachev E.S., Amirov I.I., Naumov V.V., Bagiyeva G.Z. // Semicond. Sci. Technol. 30 (2015) 035017 (6pp). Scopus, WoS
  4. Абрамова, С.В. Сложный магнитооптический отклик от объемных структур типа магнитофотонных кристаллов / Абрамова С.В., Звездин Н.Ю., Изюмов М.О., Папорков В.А., Проказников А.В. // Нано- и микросистемная техника. 2015.№ 9. C. 7-23. РИНЦ
  5. Аверкин, С.Н. АНИЗОТРОПНОЕ ТРАВЛЕНИЕ КАНАВОК В КРЕМНИИ С ВЫСОКИМ АСПЕКТНЫМ ОТНОШЕНИЕМ И АПЕРТУРОЙ 30–50 НМ В ДВУХСТАДИЙНОМ ЦИКЛИЧЕСКОМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ / Аверкин С.Н., Лукичев В.Ф., Орликовский А.А., Орликовский Н.А., Рылов А.А., Тюрин И.А. // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 2. С. 98.
  6. Андреев, В. Г. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОВОДИМОСТИ ПЛЕНОК ХРОМА НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ / В. Г. Андреев, А. А. Ангелуц, В. А. Вдовин, В. Ф. Лукичев, А. П. Шкуринов // Радиотехника и электроника. 2015. Т. 60. № 12. С. 1–6.
  7. Аржанова, Н.А.Самоорганизационные процессы в ходе электролитического наноструктурирования кремния / Аржанова Н.А., Проказников А.В. //Нано- и микросистемная техника. 2015. № 5. С. 20-37. РИНЦ
  8. Богданов, Ю. И. Изучение влияния амплитудной и фазовой релаксации на качество квантовых информационных технологий / Ю. И. Богданов, Б. И. Бантыш, А. Ю. Чернявский, В. Ф. Лукичев, А. А. Орликовский //Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 4. С. 257–262.
  9. Богданов, Ю.И. ИССЛЕДОВАНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ ДИНАМИЧЕСКИХ СИСТЕМ МЕТОДАМИ КВАНТОВОЙ ИНФОРМАТИКИ / Богданов Ю.И., Богданова Н.А., Кулько Д.Ю. // Экономические и социально-гуманитарные исследования. 2015. № 2 (6). С. 35-40.
  10. Брук, М.А. Некоторые особенности нового метода формирования микрорельефа путем прямого электронно-лучевого травления резиста / Брук М.А., Жихарев Е.Н., Стрельцов Д.Р., Кальнов В.А., Спирин А.В., Рогожин А.Е. // Компьютерная Оптика. Том 39. N 2. 2015. С.204-210.
  11. Бучин, Э.Ю. Магнитомиграция в двухслойных пленочных структурах кобальт-медь./ Бучин Э.Ю., Коканов Д.А., Симакин С.Г., Наумов В.В. // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2015. № 1. С. 47-51. РИНЦ
  12. Бучин, Э.Ю. Эффект магнитомиграции в гранулированных пленках Co-Cu. / Бучин Э.Ю., Коканов Д.А. // ЖТФ. 2015. Т. 85. В. 5. С.. 43. РИНЦ, Scopus, WoS
  13. Гольдштейн, Р.В. Влияние электрического тока на устойчивость поверхности проводящей пленки / Гольдштейн Р.В., Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. № 1. С.74-81.
  14. Залуцкая, А.А. Взаимодействие металлических кластерных комплексов с электромагнитным излучением./ Залуцкая А.А., Савинский Н.Г., Проказников А.В. // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2015. № 1. С. 2-15. РИНЦ
  15. Красников, Г.Я. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ CAR-РЕЗИСТОВ В ЭЛЕКТРОННО – ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ / Красников Г.Я., Гущин О.П., Морозов А.Д., Игнатов П.В., Горнев Е.С., Каширин П.А., Овчинников В.А., Базанов Д.В., Орликовский Н.А., Кальнов В.А. // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2015. № 1 (157). С. 41-48.
  16. Кулова, Т.Л. Исследование тонкопленочных кремний-алюминиевых электродов, синтезированных в присутствии кислорода, методом циклической вольтамперометрии / Кулова Т.Л., А.М. Cкундин А.М., Андреев В.Н., Грызлов Д.Ю., Мироненко А.А., Рудый А.С., Гусев В.Н., Наумов В.В. // Электрохимия.2015. Т. 51. № 12. РИНЦ.
  17. Лукичев, В.Ф. Современная элементная база запоминающих устройств / Лукичев В.Ф., Шиколенко Ю.Л. // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 11 (184). С. 40-53.
  18. Лукичев, В.Ф. Постоянные запоминающие устройства на основе хранения заряда / Лукичев В.Ф., Шиколенко Ю.Л. // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 10 (183). С. 42-54.
  19. Маишев, Ю.П. Установка для травления и осаждения тонкопленочных структур с помощью пучков быстрых нейтральных частиц / Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П. // Микроэлектроника, 2015. – Т. 44. – № 5. – С. 346-354
  20. Маковийчук, М.И. Принцип триады количественных мер фликкер-шума в неупорядоченных полупроводниках // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2015. № 2. С. 51-56. РИНЦ
  21. Маковийчук, М.И.Фликкер-шумовые процессы в ионно-имплантированном кремнии. // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2015. № 2. С. 16-21. РИНЦ
  22. Маковийчук, М.И. Введение в низкочастотно-шумовую спектроскопию структурно-неупорядоченных полупроводников. / Маковийчук М.И. // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2015. № 1. С. 52-60. РИНЦ
  23. Маковийчук, М.И. Технологические особенности изготовления фликкер-шумовых газовых сенсоров на базе структур “кремний на изоляторе”./ Маковийчук М.И. // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2015. № 1. С. 41-46. РИНЦ
  24. Митропольский, Ю.И. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И АРХИТЕКТУРА БУДУЩИХ СУПЕРКОМПЬЮТЕРОВ // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 3. С. 163.
  25. Мордвинцев, В.М. Роль эффекта перераспределения электрического поля в изменении характеристик открытых сандвич -структур металл-диэлектрик-металл под воздействием влаги. / Мордвинцев В.М., Левин В.Л., Кудрявцев С.Е., Цветкова Л.А. // ЖТФ. 2015. Т. 85. № 9. С.. 120. РИНЦ, Scopus, WoS.
  26. Наумов, В.В. Влияние ионной бомбардировки на кристаллическую структуру пленок платины /Наумов В.В., Васильев С.В., Селюков Р.В. // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2015. № 2. С. 22-35. РИНЦ
  27. Папорков, В.А.Физическая трактовка магнито-оптического отклика упорядоченных трехмерных структур. / Папорков В.А., Проказников А.В., Царев И.С. // Вестник ЯрГУ. Серия Естественные и технические науки. 2015. № 2. С. 2-9. РИНЦ
  28. Трушин, О.С. Атомные механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальной структуре Cu/Ni(001). / Трушин О.С., Куприянов А.Н., Инг С.-Ч., Гранато Э., Ала-Ниссила Т. // Микроэлектроника. 2015. том 44. № 6. с. 459-463. РИНЦ, Scopus
  29. Уваров, И.В. МЭМС-переключатель электростатического типа на основе кантилевера наноразмерной толщины./ Уваров И.В., Наумов В.В., Селюков Р.В. // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 4. С. 32-41. РИНЦ
  30. Цуканов, А.В. Оптимизация свойств алмазных структур с NV -центрами // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. С. 323.
  31. Шумилов, А.С. Моделирование морфологии поверхности при низкоэнергетическом ионном распылении. / Шумилов А.С., Амиров И.И. //ЖТФ. 2015. Том 85. Выпуск 7. С. 112. РИНЦ, Scopus, WoS.

Pages: 1 2 3 4

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.