2013

Конференции:

  1. Богданов, Ю.И. Динамика сцепленности в квантовых операциях на сверхпроводниковых фазовых кубитах / Ю.И. Богданов, Б.И. Бантыш, В.Ф. Лукичёв, А.А. Орликовский, А.С. Холево // Труды XVII международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника. Нижний Новгород. 11-15 марта 2013. Т.1. С.15-16
  2. Богданов, Ю.И. Математическое моделирование влияния квантовых шумов на точность реализации квантовых алгоритмов / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичёв, А.А. Орликовский, И.А. Семенихин, А.С. Холево, А.Ю. Чернявский // International Conference “Parallel and Distributed Computing Systems” PDCS 2013 (Ukraine, Kharkiv, March 13-14, 2013). P. 50-57
  3. Zanuccoli, M. Optical simulation of ZnO/CdTe and c-Si/a-Si vertical nanowires solar cells / M. Zanuccoli, J. Michallon, I. Semenikhin, A. Cachopo, E. Sangiorgi, C. Fiegna // Proc. 14th International Conference on ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (ULIS-2013). – March 19-21, 2013, University of Warwick, UK. – Р. 209-212.
  4. Gabbasov, R.R. Size effect of magnetic nanoparticles on the shape of the Mossbauer spectrum / R.R.Gabbasov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, M.A.Polikarpov, M.P.Nikitin, S.M.Deyev, V.Y.Panchenko // IEEE Transactions on Magnetics. – 2013. – V.49. – N1. – P. 394-397.
  5. Polikarpov, D.M. Biodegradation of Magnetic Nanoparticles in Rat Brain Studied by Mossbauer Spectroscopy / D.M. Polikarpov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, V.A.Korshunov, M.P.Nikitin, S.M.Deyev, V.Y.Panchenko // IEEE Transactions on Magnetics. – 2013. – V.49. – N1. – P. 436-439.
  6. Makhviladze, T. Theory of electromigration and its application to ULSI metallization / Tariel Makhviladze, Mikhail Sarychev // Доклад на Научной сессии ОНИТ РАН в рамках Междунар. симпозиума «Элементная база кремниевой микро- и наноэлектроники, твердотельных квантовых компьютеров». September 10, 2013. Moscow. Russia.
  7. Makhviladze, T. A quantum mechanical model for calculations of effective ion charges in polycrystalline interconnects / T. Makhviladze, M. Sarychev // Abstracts of 3-rd Int. Conf. on Theoretical Physics “Theoretical Physics and its Applications”. June 24- 28, 2013. Moscow. Russia. P. 2806(a).
  8. Makhviladze, T. The theory and modeling results of electromigration induced phenomena in nano-dimensional thin-films conductors / T.M. Makhviladze, M.E. Sarychev // Abstracts of 3-rd Int. Conf. on Theoretical Physics “Theoretical Physics and its Applications”. June 24- 28, 2013. Moscow. Russia. P. 2706.
  9. Makhviladze, T. Some theoretical aspects of cracks evolution in VLSI interface elements / T. Makhviladze, M.Sarychev // Abstracts of XIV Int. Conf. on Intergranular and Interphase in Materials. June 23 – 28, 2013. Halkidiki. Greece. P. 157.
  10. Svintsov, D. All-Graphene Tunnel Field-Effect Transistor / D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Orlikovsky, V. Ryzhii, and T. Otsuji // Second Ukrainian-French Seminar “Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics” and 7th International Workshop “Functional Nanomaterials and Devices”, 8-11 April, 2013, Kyiv, Ukraine. – Conference Abstracts. – Р. 61.
  11. Orlikovsky, A. Quantum noise in nanotransistors / A. Orlikovsky, V. Vyurkov, S. Filippov, I. Semenikhin // Second Ukrainian-French Seminar “Semiconductor-On-Insulator materials, devices and circuits: physics, technology and diagnostics” and 7th International Workshop “Functional Nanomaterials and Devices”, 8-11 April, 2013, Kyiv, Ukraine, Conference Abstracts. – Р. 53-54.
  12. Vyurkov, V. Quantum Computer in MOSFET Channel: Coulomb Blockade for Measurement / V. Vyurkov, A. Orlikovsky, D. Svintsov, and M. Rudenko // 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC’2013). – 5-7 Dec. 2013, Washington, USA. – Book of Abstracts.
  13. Demirchyan, S. Effect of metal electrodes on single electron states in quantum dots» / S.Demirchyan, M.Rudenko and V.Vyurkov // Book of Abstracts Third Russian-Taiwan School-Seminar «Nonlinear Optics and Photonics». – Suzdal/Vladimir, Russia, June 14-17, 2013. – P.36, .
  14. Мяконьких, А.В. Формирование слоев диэлектрика HfO2 для МДП-структур наноэлектроники в процессе P-ALD: технология, электрические и оптические свойства / А.В.Мяконьких, А.Е.Рогожин, К.В.Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский // Труды 3-го Всероссийского семинара по проблемам химического осаждения из газовой фазы. – Иркутск, 23-27 июня 2013. – С.34-36.
  15. Ломов, А.А. Рентгено-рефлектометрические исследования приповерхностных слоев кремниевых подложек, легированных низкоэнергетичными ионами Не+ / А.А. Ломов, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, Н.А. Карягин, Ю.М. Чесноков, А.Л. Васильев // Сб.мат. 6-го международного семинара «Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики» (Великий Новгород, 19-27 августа 2013 г.) – С. 191-193
  16. Привезенцев, В.В. КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ АСМ-ИЗОБРАЖЕНИЙ СИСТЕМЫ НАНОПОР В СТРУКТУРЕ SiO2/Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ ЦИНКА / В.В. Привезенцев, Д.В. Петров, В.Н. Соколов, О.В. Разгулина // Тез. XVII Росс. Симп. по растр. электр. микроск. и аналит. мет. исслед. тв. тел (РЭМ-2013). Черноголовка, 3-7 июня, 2013г. – Черноголовка:ИПТМ. – C.69-70.
  17. Привезенцев, В.В. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ ZnO В Si, ИМПЛАНТИРОВАННОМ ИОНАМИ 64Zn+ и 16O+ (ФВЗЧК-2013) / В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, В.В.Затекин, Д.В. Петров, А.Н.Шемухин, А.В. Макунин, А.Ю. Трифонов // Тулиновская науч.конф. Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 28-30 мая, 2013). – М.:НИИЯФ МГУ. – С.172.
  18. Privezentsev, V.V. ZnO Defects and Pricipitates in Zn Diffusion Doped Si / V.V. Privezentsev, V.V. Saraykin // Book of Abstr. of the XIV Intern. Conf. on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials (IIB 2013). – Halkidiki, Greece. – P. 128.
  19. Privezentsev, V.V. Nanoparticles in Si, Fabricated by Zn+ Ion Implantation Сombined with Thermal Treatment / V.V. Privezentsev, N.Yu. Tabachkova, Yu.Yu. Lebedinskii, V.V. Saraykin // Booklet of Abstr. of the IVC-19. – Paris, France. – 2013. – Р.158.
  20. Privezentsev, V.V. HRXTEM and XPS Study of Nanoparticle Formation in Zn+ Ion Implanted Si / V.V. Privezentsev, N.Yu. Tabachkova, Yu.Yu. Lebedinskii // Book of Abstr. of the 27 Intern. Conf. on Defects in Semicond (ICDS). – Bologna, Jul 21-26, Italy, 2013. – P.165.
  21. Privezentsev, V.V. ZnO Nanoparticles Formation in Si by subsequent Zn+ and O+ Ion Implantation / V.V. Privezentsev, V.V. Saraykin, A.V. Lutzau A, D.V. Petrov // Book of Abstr. of the XV Intern. Conf. on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2013). – Oxford, Sept 22-27, UK. – P. 128.
  22. Kaminski, P. Deep defect centers in semi-insulation n-type Si revealed by HRPITS / P. Kaminski, R. Kozlovski, V.V. Privezentsev // Book of Abstr. of the 15th Intern. Conf. on Defects- Recogn., Imag. and Phys. In Semicond. (DRIP XV). – Warsaw, Poland, 2013. – P. P48.
  23. Трифонов, А.Ю. Формирование наночастиц в кремнии, имплантированном ионами цинка и кислорода / А.Ю. Трифонов, В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, Д.В. Петров // Сб тез. XI Росс. конфер. по физ. полупроводн. (Санкт-Петербург, 16-20 сент, 2013г.) – СПб: ФТИ РАН. – C. Р134.

Патенты, авторские свидетельства:

  1. Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах. Брук М.А., Жихарев Е.Н., Кальнов В.А., Спирин А.В., Стрельцов Д.Р. Патент РФ № 2478226, Бюл. изобр., 2013, № 9.
  2. Способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур обладающих эффектом переключения проводимости / Бердников А.Е., Геращенко В.Н., Гусев В.Н., Мироненко А.А., Орликовский А.А., Попов А.А., Рудый А.С. // Патент РФ на изобретение (Заявка на выдачу патента: регистрационный №2012129255, входящий №045780, приоритет от 10.07.2012). 30 мая 2013 уведомление о проведении экспертизы заявки на изобретение по существу.
  3. Способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки с укороченным управляющим электродом нанометровой длины / Вьюрков, В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Окшин А.А., Орликовский А.А., Руденко К.В., Семин Ю.Ф. – Заявка на патент РФ № 2012122887 от 05.06.2012, Положительное решение о выдаче патента на изобретение от 13.09. 2013г.
  4. Конструкция диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости / Орликовский А.А., Рудый А.С., Бердников А.Е., Попов А.А., Мироненко А.А., Гусев В.Н., Черномордик В.Д. – Патент РФ на изобретение (Заявка на выдачу патента: регистрационный №2013121234, входящий №031314, приоритет от 07.05.2013)
  5. Моделирование многокубитового квантового преобразования Фурье и алго-ритма Гровера, подверженных воздействию шумов. Авторы: Семенихин И.А., Богданов Ю.И. Правообладатель: Физико-технологический институт РАН. Свидетельство о государственной регистрации программ для ЭВМ №2013617720 от 22.08.2013.
  6. Расчеты полевого транзистора на основе двойного слоя графена. Авторы: Семенихин, И.А. , Д.А. Свинцов, В.В. Вьюрков. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2013617719, 22.08.2013.
  7. Трехмерные расчеты полевого транзистора на основе сверхтонкого слоя кремния. Авторы : Семенихин, И.А. , В.В. Вьюрков. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2013617587, 20.08.2013.
  8. Расчеты полевого транзистора на основе графена. Авторы: Семенихин, И.А. , В.В. Вьюрков, Д.А. Свинцов. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2013617718, 22.08.2013.
  9. Трехмерные нестационарные расчеты состояний твердотельных кубитов квантового компьютера. Авторы: Вьюрков, В.В., Подливаев А.И. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2013617698. – 21.08.2013.

Pages: 1 2 3

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.