Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения Подробнее
Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средстваПодробнее
На основе разработанных методов и средств диагностики in situ плазменных технологических процессов развиты методы контроля параметров анизотропного травления и плазмостимулированного осаждения, которые позволяют обеспечить надежностьПодробнее
Разработан источник быстрых атомарных и молекулярных нейтральных частиц. Источник работает с инертными и химически активными газами; степень нейтральности формируемых пучков – до 100 %, диапазонПодробнее
Плазменные процессы в технологии кремниевых ИС, исследуемые в лабораториях ФТИАН Широкоапертурный источник плотной плазмы Радиальные зависимости концентраций положительных ионов и электронов, электронной температуры в плазмеПодробнее
Установка плазмохимического травления Тип источника плазмы: плоский ICP Генератор: 13,56 МГц, 1 кВт Источник смещения: до 400 Вт (13,56 МГц) Диаметр пластины: 150, 200 мм Рабочие давления: 0,5-50 мТор СистемаПодробнее
В лаборатории ионно – лучевых технологий ФТИАН созданы и защищены патентами и авторскими свидетельствами методы ионно–лучевой обработки и ряд источников ионов с холодным катодом, предназначенные дляПодробнее