2016

  1. Гольдштейн, Р. В. Особенности кинетики процесса СМР периодических структур при нелинейной зависимости скорости полирования от давления / Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев // Микроэлектроника, 2016, Т.45, № 4, С. 289–297.
  2. Гольдштейн, Р.В. Электромиграционная неустойчивость границы соединенных проводящих твердотельных материалов / Р.В. Гольдштейн, Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев. // Физическая мезомеханика. 2016. Т. 19. № 6. С. 19-26.
  3. Залуцкая, А.А. Селективное резонансное поглощение электромагнитного излучения наноструктурированными системами. / Залуцкая А.А., Савинский Н.Г., Проказников А.В. // Нано- и микросистемная техника. 2016. Т. 18. № 3. С. 136-159. РИНЦ
  4. Зимин, С.П. Изменение проводимости тонких пленок селенида свинца после плазменного травления. / Зимин С.П., Амиров И.И., Наумов В.В. // Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, с. 1146. РИНЦ, Scopus, WoS
  5. Зимин, С.П. Особенности роста наноструктур по механизму пар-жидкость-кристалл на поверхности пленок SnS при плазменной обработке. / Зимин С.П., Горлачев Е.С., Мокров Д.А., Амиров И.И., Гременок В.Ф., Иванов В.А. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Том 21. №5. с. 442-447. РИНЦ
  6. Зимин, С.П. Плазменное распыление пленок Pb1–xEuxTe при вариации состава и структуры. / Зимин С.П., Амиров И.И., Горлачев Е.С., Наумов В.В., Abramof E., Rappl P.H.O. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. № 6. С. 55-58. РИНЦ, Scopus
  7. Кемоклидзе, К.Г. Низковакуумная сканирующая электронная микроскопия надпочечника крысы после точечного лазерного воздействия./ Кемоклидзе К.Г., Александров Ю.К., Тюмина Н.А., Пухов Д.Э. // Морфология. 2016. Т. 149. № 3. С. 101. РИНЦ, Scopus
  8. Клементе, И.Э. Применение адсорбционной эллипсометрической порометрии для исследования деградации пористых диэлектриков во время травления/ Клементе И.Э., Мяконьких А.В.// Спец.выпуск журнала Физическое образование в вузах: Труды конференции–конкурса молодых физиков. Москва, 2 марта 2016г. – 2016. Т. 22. № 1С. – С. 123-124.
  9. Красников, Г.Я. Исследование и разработка процессов формирования топологии в толстых полимерных плёнках бензоциклобутена (ВСВ) / Красников Г.Я., Гущин О.П., Кузнецов П.И., Есенкин K.С., Рубинас О.Р., Горнев Е.С., Каширин П.А., Колобова Л.А., Руденко К.В., Мяконьких А.В.//Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2016. № 2 (162). С. 29-38.
  10. Кудря, В.П. Идентификация линий борсодержащих компонент в оптическом эмиссионном спектре BF3-плазмы / Кудря В.П. // Труды ФТИАН, 2016. Т. 25 Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование). – М.: Наука, 2016. 213 с. – ISSN 0868-7129. (С. 137-145).
  11. Кузнецова, И.А. Математическая модель поляризации тонкопленочных электродов. / Кузнецова И.А., Куликов А.Н., Кулова Т.Л., Метлицкая А.В., Мироненко А.А., Рудый А.С., Скундин А.М. // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 3. С. 190-196. РИНЦ, Scopus
  12. Ломов, А.А. Исследования процесса аморфизации имплантированных низкоэнергетичными ионами гелия приповерхностных слоев кремния / Ломов А.А., Мяконьких А.В., Орешко А.П., Шемухин А.А.// Кристаллография. 2016. Т. 61. № 2. С. 195-202.
  13. Ломов, А.А. Структурная диагностика пористых буферных слоев полупроводниковых подложек InP(001) и GaAs(001). / А.А. Ломов, В.И. Пунегов, Д. Нохавица, М.А. Чуев, А.Л. Васильев, Д.В. Новиков. // Труды ФТИАН, 2016. Т. 25 Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование). – М.: Наука, 2016. 213 с. – ISSN 0868-7129. – (С.99-123).
  14. Маишев, Ю.П. Формирование сверхтонких сплошных пленок металлов методом ионно-лучевой обработки / Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Кудря В.П., Терентьев Ю.П. // Труды ФТИАН, 2016. Т. 25 Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование). – М.: Наука, 2016. 213 с. – ISSN 0868-7129. – (С.124-136).
  15. Махвиладзе, Т.М. Теоретическое исследование кинетики процесса СМР пластин с периодическими микро- и наноэлектронными структурами / Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. // Труды ФТИАН, 2016. Т. 25 Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование). – М.: Наука, 2016. 213 с. – ISSN 0868-7129. – (С. 161-177).
  16. Махвиладзе, Т.М. Теоретическое исследование некоторых самоорганизующихся структур, перспективных для формирования квантово-компьютерных структур / Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. // Труды ФТИАН, 2016. Т. 25 Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование). – М.: Наука, 2016. 213 с. – ISSN 0868-7129. – (С. 178-210).
  17. Митропольский, Ю.И. Концептуальный проект мультиархитексурной вычислительной суперсистемы / Митропольский Ю.И. – Москва: Техносфера, 2016. -146 с. ISBN 978-5-94836-455-1. – тираж 300 экз.
  18. Митропольский, Ю.И. Новые концепции построения вычислительных суперсистем / Митропольский Ю.И. // Труды ФТИАН, 2016. Т. 25 Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование). – М.: Наука, 2016. 213 с. – ISSN 0868-7129. – (С. 22 – 37).
  19. Мордвинцев, В.М. Исследование процесса образования окисной пленки нанометровой толщины на поверхности нитрида титана методом вторично-ионной масс-спектрометрии. / Мордвинцев В.М., Наумов В.В., Симакин С.Г. // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 4. С. 258-272. РИНЦ, Scopus
  20. Привезенцев, В. В. ИССЛЕДОВАНИЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ИОНАМИ ЦИНКА С БОЛЬШОЙ ДОЗОЙ. / В. В. Привезенцев, Н. Ю. Табачкова, К. Б. Эйдельман, С. В. Ксенич. // ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕР. ФИЗ. 2016. Т. 80. № 12. С. 1612–1618.
  21. Привезенцев, В.В. ИССЛЕДОВАНИЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ИОНАМИ 64Zn+ В УСЛОВИЯХ ГОРЯЧЕЙ ИМПЛАНТАЦИИ. / В. В. Привезенцев, В. С. Куликаускас, В. В. Затекин, Е. П. Кириленко, А. В. Горячев, А. А. Батраков. // ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕР. ФИЗ., 2016, том 80, № 2, с. 168–174.
    Privezentsev, V.V. INVESTIGATING 64ZN+ ION-DOPED SILICON UNDER CONDITIONS OF HOT IMPLANTATION / Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Kirilenko E.P., Goryachev A.V., Batrakov A.A. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2016. Т. 80. № 2. С. 149-155.
  22. Резванов, А.А Исследование повреждений low-k-диэлектриков при криогенном травлении / Резванов А.А., Мяконьких А.В., Вишневский А.С., Гущин О.П., Бакланов М.Р.// В сб.: Межд.конф. Микроэлектроника-2015. Интегральные схемы и микроэлектронные модули: проектирование, производство и применение. Сб.докл.Международной конференции. Алушта, Крым, 28 сентября-03 октября 2015 г. Изд-во: РИЦ ТЕХНОСФЕРА. С. 527-531.
  23. Сосенушкин, Е.Н. КИНЕМАТИЧЕСКАЯ И ДИНАМИЧЕСКАЯ МОДЕЛИ МЕХАНИКИ ДЕФОРМИРУЕМОГО ТВЕРДОГО ТЕЛА / Сосенушкин Е.Н., Кадымов В.А., Яновская Е.А., Татаринцев А.А., Сосенушкин А.Е. // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2016. Т. 18. № 1-2. С. 300-308.
  24. Тюмина, Н.А Низковакуумная сканирующая электронная микроскопия тучных клеток на поверхности надпочечника крысы./ Тюмина Н.А., Кемоклидзе К.Г., Пухов Д.Э. // Морфология. 2016. Т. 149. № 3. С. 211. РИНЦ, Scopus
  25. Уваров, И.В. Анализ изготовления чувствительного элемента микроакселерометра./ Уваров И.В., Морозов О.В., Аминов М.К., Изюмов М.О., Лемехов С.С., Куприянов А.Н., Козлов А.Н., Амиров И.И. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Том 21. №5. с. 448-455.
  26. Уваров, И.В. Бистабильный МЭМС-переключатель с механизмом активного размыкания электродов. / Уваров И.В., Наумов В.В., Королева О.М., Ваганова Е.И., Амиров И.И. // Нано- и микросистемная техника. 2016. Т. 18. № 9. С. 582-586. РИНЦ
  27. Цуканов, А.В. Моделирование спектроскопического отклика и динамики электрона в двойной квантовой точке / Цуканов А.В., Чекмачев В.Г. // Микроэлектроника. 2016. Т. 25. С. 3 – 12 (10 стр.).
    Tsukanov, A.V. SIMULATION OF THE SPECTROSCOPIC RESPONSE AND ELECTRON DYNAMICS IN A DOUBLE QUANTUM DOT / Tsukanov A.V., Chekmachev V.G. // Russian Microelectronics. 2016. Т. 45. № 1. С. 1-10.
  28. Цуканов, А.В. Моделирование спектроскопического отклика кубита на двойной квантовой точке с учетом диссипативных процессов / Цуканов А.В., Чекмачев В.Г. // Труды ФТИАН, 2016. Т. 25 Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование). – М.: Наука, 2016. 213 с.- ISSN 0868-7129. – (С. 58–77).
  29. Цуканов, А.В. Наноэлектромеханические алмазные структуры в квантовой информатике. Часть I / Цуканов А.В. // Микроэлектроника. 2016. Т. 25. С. 83 – 97 (15 стр.).
    Tsukanov, A.V. NANOELECTROMECHANICAL DIAMOND STRUCTURES IN QUANTUM INFORMATICS. PART I / Tsukanov A.V. // Russian Microelectronics. 2016. Т. 45. № 2. С. 77-90.
  30. Цуканов, А.В. Наноэлектромеханические алмазные структуры в квантовой информатике. Часть II / Цуканов А.В. // Микроэлектроника. 2016. Т. 25. С. 163 – 176 (14 стр.).
    Tsukanov, A.V. NANOELECTROMECHANICAL DIAMOND STRUCTURES IN QUANTUM INFORMATICS. PART II / Tsukanov A.V. // Russian Microelectronics. 2016. Т. 45. № 3. С. 153-166.
  31. Цуканов, А.В. Расчет спектральных характеристик одномерных фотонных кристаллов методом конечных временных областей / Цуканов А.В., Катеев И.Ю. // Труды ФТИАН, 2016. Т. 25 Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование). – М.: Наука, 2016. 213 с. – ISSN 0868-7129. – С. 38 – 57 (20 стр.).
  32. Цуканов, А.В. Экспериментальная алмазная фотоника: современное состояние и перспективы развития. Часть I / Цуканов А.В., Катеев И.Ю. // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. С. 325 – 341 (17 стр.).
    Tsukanov, A.V. EXPERIMENTAL DIAMOND PHOTONICS: CURRENT STATE AND PROSPECTS. PART I // Tsukanov A.V., Kateev I.Y. // Russian Microelectronics. 2016. Т. 45. № 5. С. 299-313.
  33. Шумилов, А.С. Моделирование травления высокоаспектных канавок в Si в плазме смеси Cl2/Ar. / Шумилов А.С., Амиров И.И., Лукичев В.Ф. // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 3. С. 177-189. РИНЦ, Scopus
    Shumilov, A.S. Modeling of the high aspect groove etching in Si in a Cl2/Ar mixture plasma / Shumilov, A.S., Amirov, I.I., Lukichev, V.F. // Russian Microelectronics

Pages: 1 2 3 4 5 6 7

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.