Семинары

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

18 декабря (четверг) 2025 года в 15:30 состоится семинар

 

В программе рассмотрение материалов статьи в журнал «Physical review letters»:

 

Доклад “Improving QAOA to find approximate QUBO solutions in O(1) shots” – “Улучшенный алгоритм QAOA для поиска приближенных решений QUBO задач за O(1) измерений”. Авторы: Чернявский А. Ю., Куликов Д. А., Бантыш Б. И., Богданов Ю. И., Федоров А. К., Киктенко Е. О. Докладчик: Чернявский А. Ю.

 

Для очного участия заполните форму: https://forms.gle/Dkt8WcdkRJGXHXARA

По остальным вопросам обращаться к Кокшарову К.Б.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

09 декабря (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар

  1. А. А. Ломоносов, Д.С. Жогов, М.В. Стрелков, Н.Н. Котова, К. Д. Щербачев, А. М. Чекушкин, А. А. Татаринцев, А.Л. Васильев, А.А. Ломов, М. А. Тарасов, «Сверхпроводящие тонкие пленки NbN, Nb3N 4 для резонаторов и параметрических усилителей: влияние азота на структурные, резонансные и транспортные характеристики», представлена для опубликования в виде тезисов в материалах конференции «XXX Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», который будет проводиться с 9 по 13 марта 2026 года в Нижнем Новгороде. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 23-79-00022. Докладчик Ломов Андрей Александрович, ОФТИ, Москва.
  2. А.В. Цуканов и И.Ю. Катеев, «Настройка частот электронных переходов в двойной квантовой точке иглой кантилевера». Тезисы доклада на конференцию «XII Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2026», Москва, НИЯУ МИФИ, 02 – 06 февраля 2026 г. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.2. Докладчик Цуканов Александр Викторович,ОФТИ, Москва.
 

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

20 ноября (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

В программе семинара рассмотрение материалов для публикации в журнале «Наноиндустрия»:

  1. Доклад «Столетний юбилей квантовой механики и перспективы развития квантовых информационных технологий». Авторы: Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов, В.Ф. Лукичев. Докладчик: Н.А. Богданова.
  2. Доклад «Формализм производящих функций амплитуд вероятностей в оптических квантовых информационных технологиях». Авторы: Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичев. Докладчик: Ю.И. Богданов.
  3. Доклад «Высокоточная томография поляризационных квантовых состояний с учетом инструментальных ошибок измерений». Авторы: И.К.Голышев, Н.А. Богданова, А.А. Шарапов, Ю.И. Богданов. Докладчик: И.К. Голышев.

Также рассмотрение материалов для публикации в журнале «Микроэлектроника»:

  1. Доклад «Реконструкция поляризационных квантовых состояний с учетом конечной ширины спектра и немарковости квантовых операций». Авторы: И.К.Голышев, Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов, В.Ф. Лукичев. Докладчик: И.К. Голышев.

Также рассмотрение материалов для публикации в журнале «Известия высших учебных заведений. Электроника»:

  1. Доклад «Исследование итерационного алгоритма максимального правдоподобия в задачах реконструкции квантовых состояний». Авторы: И.К.Голышев, Н.А. Богданова, А.А. Шарапов, Ю.И. Богданов. Докладчик: И.К. Голышев.

Для очного участия заполните форму (для оформления пропуска)

По остальным вопросам обращаться к Кокшарову К.Б.

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

18 ноября (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

В программе семинара рассмотрение материалов для публикации в журнале «Наноиндустрия»:

  1. Доклад «Томография кудитов с учётом неидеальности измерений». Авторы: К.Б.Кокшаров, Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов, В.Ф. Лукичев. Докладчик: К.Б. Кокшаров.
  2. Доклад «Томография оптических квантовых состояний с учётом неидеальностей детекторов, различающих число фотонов». Авторы: И.А. Дмитриев, И.К. Голышев, Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов, В.Ф. Лукичев. Докладчик: И.А. Дмитриев.
  3. Доклад «Реконструкция поляризационных квантовых состояний с учетом конечной ширины спектра и немарковости квантовых операций». Авторы: И.К.Голышев, Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов, В.Ф. Лукичев. Докладчик: И.К. Голышев.

Также рассмотрение материалов для публикации в журнале «Письма в ЖЭТФ»:

  1. Доклад «Снижение измерительной сложности при понижении ранга для томографии поляризационных кутритов в естественном базисе». Авторы: Д.Р.Чупахин, Н.А. Борщевская, Б.И. Бантыш, К.Г. Катамадзе, С.П. Кулик, Ю.И. Богданов. Докладчик: Н.А. Борщевская

Для очного участия заполните форму (для оформления пропуска)

По остальным вопросам обращаться к Кокшарову К.Б.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

11 ноября (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

  1. Уваров И. В., Белозеров И. А., Морозов М. О. «Микромеханический СВЧ-переключатель с контактом металл-металл». Статья в журнал «Наноиндустрия» издательства «Техносфера». Работа выполнена при финансовой поддержке  гранта РНФ № 25-19-20107 и государственного задания НИЦ «Курчатовский институт» , тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Уваров Илья Владимирович, ОФТИ, Ярославль. (форум Микроэлектроника)
  2. КузьменкоВ. О., Халилуллин Р. Р., Мяконьких А. В. «Экспериментальное исследование однородности процессов травления и распыления по пластине в установке плазмохимического травления». VIмеждународная конференция «Газоразрядная плазма и синтез наноструктур» Татарстан, Казань, 25 – 27 ноября 2025. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Кузьменко Виталий Олегович, ОФТИ, Москва.
  3. Халилуллин Р.Р., Кузьменко В.О., Мяконьких А.В. «Моделирование эффектов, влияющих на однородность процесса распыления в индуктивно связанной плазме». VIмеждународная конференция «Газоразрядная плазма и синтез наноструктур» Татарстан, Казань, 25 – 27 ноября 2025.
    Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Халилуллин Рамис Ринатович, ОФТИ, Москва.
  4. Рыжова Д.И., Павлов И.В., Михайлова А.В. «Исследование влияния состава газовой смеси при плазмохимическом травлении на формирование металлических межсоединений», статья в журнал «Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии» издательства Отделение проблем радиоэлектроники, нанофизики и информационных технологий РАЕН. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1. ДокладчикРыжоваДарья Игоревна, ОППМ.
  5. V.P. Kudrya «Some Properties of Argon as an Actinometric Atom. III. Parameters of the Reduced Global Model» (В.П. Кудря«Свойствааргона как актинометрического атома. III. Параметры упрощенной глобальной (нульмерной) модели»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Кудря Владимир Петрович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  6. А.В. Лобачев, М.А. Чуев, Гистерезис в кривых намагничивания «идеальных» антиферромагнитных наночастиц. Статья в журнале «Физика твердого тела», издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Лобачев Андрей Викторович, ОФТИ, Москва.

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

6 ноября (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

В программе семинара рассмотрение материалов для публикации в журнале «Russian Microelectronics»:

  1. Доклад «Decoherencemeasure of single-qubit ion gate» – «Метрика декогерентности однокубитного ионного гейта». Авторы: Л. Федичкин, А. Кузнецова. Докладчик: Л. Федичкин.
  2. Доклад«Evaluation of the Efficiency of Quantum Information Processors» – «Оценка эффективности квантовых информационных процессоров». Авторы: Л.Е. Федичкин, Д.А. Тарпанов. Докладчик: Л.Е. Федичкин.
  3. Доклад «Stationarycurrent and shot noise in electron transport through a double quantum dot system» – «Стационарный ток и дробовой шум при транспорте электронов через систему двух квантовых точек». Авторы: Л. Федичкин, Т. Фахрутдинов. Докладчик: Л. Федичкин.
  4. Доклад«International Year of Quantum Science and Technology: History and Prospects» – «Международный год квантовой физики и квантовых технологий: история и перспективы». Авторы: Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов, В.Ф. Лукичев. Докладчик: Н.А. Богданова.
  5. Доклад «Investigationof optical quantum states using probability amplitude generating functions» – «Исследование оптических квантовых состояний с использованием производящих функций амплитуд вероятностей». Авторы: Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичев. Докладчик: Ю.И. Богданов.
  6. Доклад «Tomographyof Optical Quantum States with Imperfect Photon-Number-Resolving Detectors» – «Томография оптических квантовых состояний с учетом неидеальностей детекторов, различающих число фотонов». Авторы: И.А. Дмитриев, И.К. Голышев, Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов, В.Ф. Лукичев. Докладчик: И.А. Дмитриев.
  7. Доклад«Precision Reconstruction of Qudits Accounting for Readout Errors via the Confusion Matrix» – «Прецизионная реконструкция кудитов с учётом ошибок измерений при помощи матрицы несоответствий». Авторы: К.Б. Кокшаров, Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов, В.Ф. Лукичев. Докладчик: К.Б. Кокшаров.
  8. Доклад «Development of methods to control the hardware components of quantum computers taking into account decoherence and quantum noise» – «Разработка методов контроля элементной базы квантовых компьютеров с учетом декогерентизации и квантовых шумов». Авторы: И.К.Голышев, И.А. Дмитриев, Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов. Докладчик: И.К. Голышев.
  9. Доклад «Performance of qutrit QAOA algorithm with fixed parameters under noise» – «Производительность кутритного алгоритма QAOA с фиксированными параметрами под влиянием шумов». Авторы: А.Ю. Чернявский, Б.И. Бантыш, Ю.И. Богданов. Докладчик: А.Ю.Чернявский.
  10. Доклад «Analysisof quantum computing resources in the implementation of the Quantum Fourier Transform and Grover algorithm on qudit systems» – «Анализ квантовых вычислительных ресурсов при реализации квантового преобразования Фурье и алгоритма Гровера на кудитных системах». Авторы: А.С. Чудаков, Н.А. Борщевская, Д.В. Фастовец, А.Ю. Чернявский, Б.И. Бантыш, Ю.И. Богданов. Докладчик: Ю.И. Богданов.

Для очного участия заполните форму (для оформления пропуска)

По остальным вопросам обращаться к Кокшарову К.Б.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

28 октября (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

Часть 1. Председатель В.Ф. Лукичев, Секретарь В.В. Вьюрков

  1. Semenikhin, D. Svintsov, V. Vyurkov, K. Rudenko, V. Lukichev «Simulationof a tunnel field-effect transistor with sharp source and drain Schottky Barrier contacts» (И. Семенихин, Д. Свинцов, В. Вьюрков, К. Руденко, В. Лукичев «Моделирование туннельного полевого транзистора с острыми контактами Шоттки на истоке и стоке»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  2. И. Семенихин, Д. Свинцов, В. Вьюрков, К. Руденко, В. Лукичев «Программа численного моделирования туннельного полевого транзистора с барьерами Шоттки на контактах истока и стока». Для государственной регистрации программ для ЭВМ. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ОФТИ, Москва.
  3. Semenikhin, D. Svintsov, L. Fedichkin, V. Vyurkov «Simulationof solid-state structures with a single electron» (И. Семенихин, Д. Свинцов, Л. Федичкин, В. Вьюрков «Моделирование твердотельных структур с одиночным электроном»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.2. Докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  4. И. Семенихин, Л. Федичкин, В. Вьюрков «Программа численного моделирования квантового состояния одиночного электрона в твердотельной туннельной структуре». Для государственной регистрации программ для ЭВМ. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ОФТИ, Москва.

 

Часть 2. Председатель В.Ф. Лукичев, Секретарь А.В. Мяконьких

  1. O. Morozov, I.V. Uvarov, A reconfigurable RF MEMS switch for wireless communication systems (М.О. Морозов, И.В. Уваров, Перестраиваемый РЧ МЭМС-переключатель для систем беспроводной связи). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Морозов Матвей Олегович, ОФТИ, Ярославль.
  2. Кулагин Н.В. и Цуканов А.В. “Дефазировка зарядового кубита в стохастическом поле осциллирующих электронов». Статья для журнала «Микроэлектроника» издательства «ФГБУ “Издательство “Наука”». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.2. Докладчик Цуканов Александр Викторович, ОФТИ, Москва.
  3. V. Uvarov, I.A. Belozerov, M.O. Morozov «Micromechanical RF switch with metal-to-metal contact» (И. В. Уваров, И. А. Белозеров, М. О. Морозов «Микромеханический радиочастотный переключатель с контактом металл-металл»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 25-19-20107. Докладчик Уваров Илья Владимирович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  4. V. Postnikov, I.V. Uvarov, P.S. Schlepakov, V.B. Svetovoy «MEMS as scientific instruments: Precise measurement of the adhesion energy with an adhered cantilever» (А. В. Постников, И. В. Уваров, П. С. Шлепаков, В. Б. Световой «МЭМС как научный инструмент: точное измерение энергии адгезии с помощью залипшего кантилевера»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 24-29-00106. Докладчик Уваров Илья Владимирович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  5. P. B. Mozhaev “Estimation of thin film thickness using the Williamson-Hall decomposition” (П. Б. Можаев “Оценка толщины тонкой пленки с использованием разложения по Вильямсону-Холлу”). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Можаев Петр Борисович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  6. Yu. Buchin “Surface thermomigration of eutectic droplets and molecular clusters” (Бучин Э.Ю. «Поверхностная термомиграция эвтектических капель и молекулярных кластеров») Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Бучин Эдуард Юрьевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  7. В. К. Смирнов, Д. С. Кибалов, А. Б. Чурилов “Периодические наноструктуры на поверхности GaAs и AlGaAs самоформируемые распылением ионами азота”. Статья для журнала «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования» издательства «ФГБУ “Издательство “Наука”». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Кибалов Дмитрий Станиславович, ОФТИ, Ярославль. (ВИП-2025)
  8. K. Smirnov, D.S. Kibalov, A.B. Churilov “Temperature Dependence of the Nanostructure Morphology During Sputtering of Silicon by Nitrogen Ions” (В. К. Смирнов, Д. С. Кибалов, А. Б. Чурилов “Зависимость морфологии наноструктуры от температуры при распылении кремния ионами азота”). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Кибалов Дмитрий Станиславович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  9. P.S. Shlepakov, V.B. Svetovoy, I.V. Uvarov «Increasing performance of a microactuator based on a hydrogen-oxygen mixture explosion» (П.С. Шлепаков, В.Б. Световой, И.В. Уваров «Повышение быстродействия микроактюатора на основе взрыва водород-кислородной смеси»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 25-29-00292. Докладчик Шлепаков Павел Сергеевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  10. P. Kudrya «Application of Colloidal Lithography to Create Nanostructures» (В.П. Кудря «Применение коллоидной литографии для создания наноструктур»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Кудря Владимир Петрович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  11. S. Trushin, I.S. Fattakhov, E.A. Grushevsky, A. A. Popov, L.A. Mazaletskiy, A.S. Fedorov, M.V. Logunov «Perspective chiral metamaterials based on nanostructured thin films for photonics and biosensors» (О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, Е.А. Грушевский, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, А.С. Федоров, М.В. Логунов “Перспективные киральные метаматериалы на основе наноструктрированных тонких пленок для фотоники и биосенсорики”) Статья для журнала «RussianMicroelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Трушин Олег Станиславович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  12. M. Chebokhin, O.S. Trushin «Modeling the growth of chiral nanostructures by glancing angle deposition» (М.М. Чебохин, О.С. Трушин “Моделирование роста киральных наноструктур при наклонном напылении”) Статья для журнала «RussianMicroelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Чебохин Максим Михайлович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  13. K. Rudenko, A. Miakonkikh, V. Kuzmenko, K. Fetisenkova, A. Melnikov «Physical principles of in situ sidewall profile control In cryogenic plasma etching of HAR silicon microstructures» (К.В. Руденко, А.В. Мяконьких, В. Кузьменко, К.Фетисенкова, А. Мельников. «Физические принципы управления in situ профилем стенок высокоаспектных кремниевых микроструктур в процессе криогенного плазменного травления»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 24-69-00039 часть работ выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Руденко Константин Васильевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  14. M. Sorokovikov, D. Zverev, I. Lyatun, A. Barannikov, M. Voevodina, V. Yunkin, A. Miakonkikh, K. Rudenko, A. Snigirev. “Comparative characteristics of microelectronic deep etching technologies for X-ray optics applications”. (М. Сороковиков, Д.А. Зверев, И.И. Лятун, А.А. Баранников, М.А. Воеводина, В.А. Юнкин, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, А.А. Снигирев “Сравнительные характеристики микроэлектронных технологий глубокого травления для применений в области рентгеновской оптики”) Статья для журнала «RussianMicroelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 24-69-00039. Докладчик Мяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  15. V. M. Mordvintsev, E. S. Gorlachev «Electroforming of memristors based on open TiN-SiO2-Mo sandwich structures in a moderate regime» (В.М Мордвинцев, Е.С. Горлачев «Электроформовка мемристоров на основе открытых «сэндвич»-структур TiNSiO2Mo в смягченном режиме»). Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Мордвинцев Виктор Матвеевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  16. I.I. Amirov, M.O. Izyumov, O.V. Morozov «Сhange in the reflection of the a-Si film on the surface of Al-4%Cu/Si in the visible range during low-energy sputtering in argon plasma» (И.И. Амиров, М. Изюмов, О.В. Морозов «Изменение отражения пленки a-Si на поверхности Al-4%Cu/Si в видимом диапазоне при низкоэнергетическом распылении в аргоновой плазме»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Морозов Олег Валентинович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  17. A. Grushevsky, N.G. Savinski, L.A. Trushin, L.A. Shendrikova «Featuresof electrochemical synthesis, structure, and magnetometry of iron, cobalt, and nickel nanowires in a porous anodic aluminum oxide matrix» (Грушевский Е.А., Савинский Н.Г., Л.А. О.C.Трушин, Л.А.Шендрикова «Особенности электрохимического синтеза, структура и магнитометрия нанопроволок железа, кобальта, никеля в матрице пористого анодного оксида алюминия»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Савинский Николай Геннадьевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  18. GrushevskyE. A., Savinski N. G., Trushin O. S. «Micromagnetic modeling of hexagonal ensembles of high-aspect nanowires of ferromagnetic iron, nickel and cobalt» (Грушевский Е.А., Савинский Н.Г., Трушин О.С. «Микромагнитное моделирование гексагональных ансамблей высокоаспектных нанопроволок ферромагнитного железа, никеля и кобальта»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Грушевский Егор Алексеевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  19. S.V. Kurbatov, N.S. Melesov, E.O. Parshin, A.S. Rudy, V.V. Naumov « In-situ study of lithium electroplating in anode-free solid-state batteries by RBS method»( С. В. Курбатов, Н. C. Мелесов, Е. О. Паршин, А. С. Рудый, В. В. Наумов «In situ исследование гальванического осаждения лития в твердотельном тонкопленочном аккумуляторе методом резерфордовского обратного рассеяния»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания ЯрГУ № FENZ-2024-0005 и государственного задания НИЦ “Курчатовский институт” № 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Курбатов Сергей Валерьевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  20. S. Shlepakov, O.V. Morozov, I.V. Uvarov «Passive microfluidic valve with reduced threshold pressure»( П.С. Шлепаков, О.В. Морозов, И.В. Уваров «Пассивный микрофлюидный клапан с пониженным пороговым давление»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда, проект № 25-29-00292. Докладчик Шлепаков Павел Сергеевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  21. Д.Б. Шокарев, Р.Ж. Чочаев, С.В. Гаврилов «Учет временных ограничений на этапе размещения элементов на ПЛИС». Статья в журнал «Труды ИСП РАН» издательства Институт системного программирования им. В.П. Иванникова РАН.Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Шокарев Дмитрий Борисович, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике)
  22. А.В. Климов «От поведенческой модели к синтезируемой RTLна основе языка Julia (Case Study)» журнал «Программные системы: теория и приложения» издательства Институт программных систем им. А.К. Айламазяна РАН. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Климов Аркадий Валентинович, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике)
  23. BelozerovI. A., Uvarov I. V. «Finite element simulation of the MEMS switch contact temperature» (Белозеров И.А., Уваров И.В. «Расчет температуры контактов МЭМС-переключателя методом конечных элементов»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Белозеров Игорь Александрович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
  24. С.Г. Бобков, Н.Н. Левченко «Применение процессора с управлением потоком данных для обработки массивов данных в реальном масштабе времени». Статья в журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника», издаваемый МИЭТ. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Левченко Николай Николаевич, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике)
  25. A.A. Tokarev, I.A. Khorin, «Hybrid Memristor-CMOS System: Circuit Design Solutions for Control and Data Processing» (Гибридная мемристорно-КМОП система: схемотехнические решения для управления и обработки данных. А.А. Токарев, И.А. Хорин). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания НИЦ “Курчатовский институт” № 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Хорин Иван Анатольевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  26. Rogozhin, O. Glaz, A. Reznyukov, A. Melnikov «Ru-based interconnects for memristor crossbars» (А. Рогожин, О. Глаз, А. Резнюков, А. Мельников. «Межсоединения мемристорных кроссбаров на основе рутения»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Рогожин Александр Евгеньевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  27. A.V. Lobachev, M.A. Chuev «Generalized multilevel model for describing magnetization curves of nanoparticles» (А.В. Лобачев, М.А. Чуев, “Обобщенная многоуровневая модель для описания кривых намагничивания наночастиц»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Лобачев Андрей Викторович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  28. A. Simonov «Spatial Filtering of Image Noise Based on the Spot Apparatus» (Н.А. Симонов“Пространственная фильтрация шума изображения на основе аппарата пятен»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Симонов Николай Анатольевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  29. Мяконьких А.В. «Возможности атомно-слоевого травления в индуктивно-связанной плазме для создания приборов наноэлектроники». VI международная конференция «Газоразрядная плазма и синтез наноструктур» Татарстан, Казань, 25 – 27 ноября 2025, приглашенный доклад. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. ДокладчикМяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
  30. V.P. Popov, V.E. Zhilitskii, V.A. Antonov, L.N. Safronov, A.V. Miakonkikh, K.V. «UTBBSOI-structures with local TR-HR ultra-high-resistance layers for radio-photonic integrated circuits» Rudenko (В.П. Попов, В.Е. Жилицкий, В.А. Антонов, Л.Н. Сафронов, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко «UTBB SOI-структуры с локальными слоями сверхвысокого сопротивления и ловушками TR-HR для радиофотонных интегральных схем») Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках грантов РНФ №25-19-20049, РНФ №19-72-30023, государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Руденко Константин Васильевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

2 октября (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

В программе семинара рассмотрение материалов для публикации статьи в Журнале Экспериментальной и Теоретической Физики.

  1. Доклад «Эффект Бома – Ааронова как материальное явление». Авторы: В.Ю.Рубаев, Л.Е. Федичкин. Докладчик: Л.Е. Федичкин.

Для очного участия заполните форму (для оформления пропуска)

По остальным вопросам обращаться к Кокшарову К.Б.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

23 сентября (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

  1. А.В. Фадеев, К.В. Руденко, “Модель последовательных резистивных переключений мемристорной ячейки филаментарного типа”, для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик, Фадеев Алексей Владимирович, ОФТИ
  2. Грушевский Е.А., Савинский Н.Г., Трушин О.С. «Микромагнитное моделирование групповых и одиночных одномерных ферромагнитных наноструктур» для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнал «Известия РАН. Серия физическая» издательства «МАИК-Наука». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Савинский Николай Геннадьевич, ОФТИ Ярославль.
  3. Грушевский Е.А., Савинский Н.Г., Трушин О.С., Бачурин В.И., Шендрикова Л.А. «Синтез ферромагнитных одномерных наноструктур, электроосаждённых в матрицы оксида алюминия» для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнал «Известия РАН. Серия физическая» издательства «МАИК-Наука». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Савинский Николай Геннадьевич, ОФТИ Ярославль.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
2 сентября (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. Денисенко Ю.И. « Особенности диссипативных процессов при отжиге структур кремния со скрытыми силикатными слоями» , для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Денисенко Юрий Иванович, ОФТИ Ярославль.
  2. Морозов О.В., Белозеров И.А. «Разработка микромеханического емкостного привода для применения в ВЧ переключателях», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Морозов Олег Валентинович, ОФТИ Ярославль.
  3. Белозеров И.А., Уваров И. В. «Расчет температуры контактов МЭМС-переключателя методом конечных элементов», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Белозеров Игорь Александрович, ОФТИ Ярославль.
  4. Курбатов С.В., Мелесов Н.С., Паршин Е.О., Рудый А.С., Наумов В.В. «Исследование осаждения лития в «безанодных» твердотельных тонкопленочных аккумуляторах методом резерфордовского обратного рассеяния», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик, Курбатов Сергей Валерьевич, ОФТИ Ярославль.
  5. О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкbq, А.С. Федоров, М.В. Логунов “ Киральные метаматериалы для фотоники на основе наноструктрированных тонких пленок” », для опубликования в виде тезисов в трудах Российского форума «Микроэлектроника» 2025 , Федеральная территория «Сириус» 21-27 сентября 2025, Россия. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик, Трушин Олег Станиславович, ОФТИ Ярославль.
  6. О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецког, А.С. Федоров, М.В. Логунов, “Влияние управляемого наноструктурирования на оптические свойства пленок меди”, для опубликования в виде статьи в журнал ”Известия РАН, серия Физическая” издательства ”РАН”. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик, Трушин Олег Станиславович, ОФТИ Ярославль.
  7. Шлепаков П. С., Морозов О. В., Уваров И. В. «Пассивный микрофлюидный клапан с пониженным пороговым давлением», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда, проект № 25-29-00292. Докладчик, Шлепаков Павел Сергеевич, ОФТИ Ярославль.
  8. Симонов Н.А., «Пространственная фильтрация шумов изображений на базе аппарата пятен», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик, Симонов Николай Анатольевич , ОФТИ.
  9. Н.В. Островская, В.А. Скиданов «Динамика неоднородного распределения намагниченности в ячейке STT-MRAM под действием внешнего магнитного поля и спин-поляризованного тока», статья в журнал «Физика твердого тела» издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1.Докладчик Островская Наталья Владимировна, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике).
  10. В. А. Скиданов «Преобразование эффекта Керра, вызванное эффектом близости в двухслойных структурах магнитного и немагнитного переходных металлов», статья в журнал «Физика твердого тела» издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Скиданов Владимир Александрович, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике).
  11. Н.В. Островская, В.А. Скиданов, Эволюция магнитной неоднородности в ферромагнитном слое ячейки MRAM с закрепленными границами», 16-я Валиевская Международная конференция «Микро- и наноэлектроника  2025» (ICMNE-2025), Ярославль, Россия, 6–10 октября 2025 г. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1.Докладчик Островская Наталья Владимировна, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике).