Семинары

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
10 июня (вторник) 2025 года в 13-00 состояиться семинар.
 
В программе семинара три доклада по диссертациям, выполненным в ОФТИ им. К.А. Валиева:
 

1. Шлепаков Павел Сергеевич, «Разработка микрофлюидного насоса на основе электрохимического актюатора» , по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

2. Гайдукасов Рафаэль Алексеевич «Характеризация наноструктурированных материалов микроэлектроники методами спектральной эллипсометрии и рефлектометрии», по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

3. Исаев Александр Геннадьевич “Процессы кристаллизации и образования проводящих филаментов в структурах на основе оксида и оксинитрида гафния”, по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

5 июня (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

В программе рассмотрение материалов для выступлений со стендовыми докладами на 8-ой Международной конференции по квантовым технологиям (ICQT-2025), которая состоится в Москве в период с 21 по 25 июля 2025 года:

  1. доклад «Measurement of Optical Quantum States UsingNon‑Ideal Detectors» – «Измерение оптических квантовых состояний с использованием неидеальных детекторов», докладчик м.н.с. Дмитриев И.А.;
  2. доклад «Qudit State Tomography with Imperfect Readout» – «Томография кудитов с учётом неидеальности измерений», докладчик м.н.с. Кокшаров К.Б.;
  3. доклад «Reconstruction of polarization quantum states taking into account finite spectral bandwidth and non-Markovian features of quantum operations» – «Реконструкция поляризационных квантовых состояний с учетом конечной ширины спектра и немарковости квантовых операций», докладчик инженер Голышев И.К.

И рассмотрение следующих материалов:

4.  доклад «Квантовый компьютер: достижения и перспективы», авторы Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е. Презентация (без опубликования) представлена для выступления на Международном военно-техническом форуме «Армия-2025», 11-14 августа 2025г., Москва (докладчик В.В. Вьюрков).
5. доклад по материалам статьи “Benchmarking single-qubit gates on a neutral atom quantum processor” – “Бенчмаркинг однокубитных гейтов на квантовом процессоре на основе нейтральных атомов”. Авторы: A. Rozanov, B. Bantysh, I. Bobrov, G. Struchalin, S. Straupe. Докладчик: с.н.с. Бантыш Б.И. Статья подготовлена для публикации в журнале Physical Review A.

Для очного участия заполните форму (для оформления пропуска)

По остальным вопросам обращаться к Кокшарову К.Б.

 

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
14 мая (среда) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. “О корректности модельного описания состава плазмы в смеси SF6 + He + O2” А. В. Мяконьких, В. О. Кузьменко, А. М. Ефремов, К. В. Руденко, статья для опубликования в Журнале “Микроэлектроника” издательства “Наука”. Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
  2. “Сегнетоэлектрические свойства легированного HfO2 и перспективы создания транзисторов FeFET и нейроморфных интегральных схем”. Руденко К.В., Мяконьких А.В., Ломов А.А., Лукичев В.Ф., В.А. Антонов, М.С. Тарков, В.П. Попов,   материалы доклада на  конференции посвященной 80-летию академика РАН, Президента РТУ МИРЭА Александра Сергеевича Сигова.  3 июня 2025 г. РТУ МИРЭА, Москва (по приглашению оргкомитета). Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
  3. “Моделирование влияния технологических параметров на рост киральных метаповерхностей” М. М. Чебохин, О. С. Трушин, опубликование в трудах конференции “Физика, техника и технология сложных систем”, Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, Ярославль, 23 апреля по 7 мая 2025 года. Чебохин Максим Михайлович , ЯФ ФТИАН
  4. «Влияние ионной бомбардировки на структуру тонких пленок Pt и напряжения в них»  Р.В. Селюков, В.В. Наумов, М.О. Изюмов, С.В. Васильев, Л.А. Мазалецкий. Статья в журнал «Письма в Журнал технической физики» издательства “ФТИ им. А.Ф.Иоффе”. Селюков Роман Вячеславович, ЯФ ФТИАН
  5. “Метод тестирования радиационной стойкости материалов полупроводниковой электроники в электронном микроскопе» В.А. Киселевский, А. А. Татаринцев, статья в журнал “Микроэлектроника” издательства “Наука”. Киселевский Всеволод Алексеевич, ФТИАН
  6. “ИОННО-СТИМУЛИРОВАННАЯ ПОВЕРХНОСТНАЯ ДИФФУЗИЯ” А.В. Фадеев, Ю.Н. Девятко статья в журнал “Микроэлектроника” издательства “Наука”. Фадеев Алексей Владимирович, ФТИАН

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

24 апреля (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

Измерение оптических квантовых состояний с использованием неидеальных детекторов

Докладчики: Ю.И. Богданов, И.К. Голышев, И.А. Дмитриев (ФТИАН)

 

По вопросам оформления пропусков писать Кокшарову Кириллу Борисовичу или заполнить форму.

 

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

17 апреля (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

Томография кудитов с учётом неидеальности измерений

Докладчики: Ю.И. Богданов, К.Б. Кокшаров (ФТИАН)

 

По вопросам оформления пропусков писать Кокшарову Кириллу Борисовичу или заполнить форму.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
15 апреля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. A.S. Babushkin , A.N. Kupriyanov, «A molecular dynamics study of mechanical stress changes in Cr and Cu polycrystalline films due to low energy Ar ion bombardment» (А.С. Бабушкин, А.Н. Куприянов «Исследование методом молекулярной динамики изменения механических напряжения в поликристаллических пленках Cr и Cu в результате низкоэнергетической бомбардировки ионами Ar»,). Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion–Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Бабушкин Артем Сергеевич, ЯФ ФТИАН
  2. A.V. Tsukanov “Exciton qubit on spatial states of a triple quantum dot”. (А.В. Цуканов, «Экситонный кубит на пространственных состояниях тройной квантовой точки»). Опубликование в виде статьи в журнале “ Optical and Quantum Electronics” издательства “Springer”. Докладчик Цуканов Александр Викторович, ФТИАН
  3. A.V. Tsukanov, I. Yu. Kateev “Tunnel–optical electron transitions in an asymmetric double quantum dot under correction field” (А.В. Цуканов и И.Ю. Катеев «Туннельно-оптические электронные переходы в асимметричной двойной квантовой точке с корректирующим полем») Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале “Laser Physics Lettres” издательства   IOP Publishing, Докладчик Цуканов Александр Викторович, ФТИАН
  4. И.И. Амиров, А.Н. Куприянов, М.О. Изюмов, Л.А. Мазалецкий. НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ РАСПЫЛЕНИЕ Al-Cu В АРГОНОВОЙ ПЛАЗМЕ. ЭКСПЕРИМЕНТ И МОДЕЛИРОВАНИЕ. Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г. Докладчик Амиров Ильдар Искандерович, ЯФ ФТИАН
  5. Д.Э. Пухов, М.Е. Лебедев «Неразрушающий электронно-зондовый энергодисперсионный анализ массовой толщины и коэффициента ослабления рентгеновского излучения тонких пленок». Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Журнал технической физики»  издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Докладчик Пухов Денис Эдуардович, ЯФ ФТИАН
  6. А.С. Бабушкин*, Р.В. Селюков, Моделирование самосборки микроиндукторов производимой за счет остаточных механических напряжений. Для опубликования в открытой печати в виде: статьи в журнале «Микроэлектроника» издательства «НАУКА». Докладчик Бабушкин Артем Сергеевич, ЯФ ФТИАН
  7. Халилуллин Р. Р., Кузьменко В. О., Мяконьких А.В. «Влияние технологических параметров процесса травления на энергетический спектр ионов.» Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Журнал технической физики» издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Докладчик Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
  8. Isaev A. G., Permyakova O. О., Kalimova I.F., Lomov A.A., Chesnokov Y.M., Miakonkikh A. V., Rogozhin A. Е. «Crystallization and conductive filament growth in HfO2 and HfOxNy–based structures». (Исаев А.Г., Пермякова О.О., Калимова И.Ф., Ломов А.А., Чесноков Ю.М., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е. «Кристаллизация и рост проводящих филаментов в структурах на основе HfO2 и HfOxNy»). Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Nanomaterials» издательства “MDPI”. Докладчик Исаев Александр Геннадьевич, ФТИАН
  9. М.А. Смирнова, В.И. Бачурин, М.Е. Лебедев, К.Н. Лобзов, Л.А. Мазалецкий, Д.Э. Пухов, С.Г. Симакин, А.Б. Чурилов «Развитие топографии поверхности полупроводников А3В5 при облучении фокусированным ионным пучком галлия». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion-Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Смирнова Мария Александровна, ЯФ ФТИАН
  10. А.С. Рудый, М.А. Смирнова, В. И. Бачурин, А.Н. Куликов «Формирование террасированного рельефа на поверхности кремния при облучении ионами галлия». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г. Докладчик Смирнова Мария Александровна, ЯФ ФТИАН
  11. В.К. Смирнов, Д.С. Кибалов, В.И. Бачурин, А.Б. Чурилов, А.С. Рудый «Периодические наноструктуры на поверхности GaAs и AlGaAs самофмируемые распылением ионами азота». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion-Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Бачурин Владимир Иванович, ЯФ ФТИАН
  12. Ю.А. Данилов, И.Н. Антонов, В.И. Бачурин, М.В. Ведь, О.В. Вихрова, Ю.А. Дудин, И.Л. Калентьева, Р.Н. Крюков, А.В. Нежданов, А.Е. Парафин, С.Г. Симакин, П.А. Юнин «Формирование ферромагнитных слоев GaMnAs имплантацией ионов Mn в ускорителе с вакуумно-дуговым источником» для публикации в Журнале технической физики. Докладчик: Бачурин Владимир Иванович, ЯФ ФТИАН
  13. «Quantum register based on double quantum dots in semiconductor nanowires» (перевод «Квантовый регистр на основе двойных квантовых точек в полупроводниковых нанопроводах» В.В. Вьюрков, Л.Е. Федичкин, И.А. Семенихин, Д.А. Дрожжин, К.В. Руденко, В.Ф.Лукичев. 1) в открытой печати в виде статьи в журнале “Physical Review” (B, X Quantum) издательства “American Physical Society”. 2) в виде препринта на сайте ArXiv (https://arxiv.org/), Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.
  14. Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е., «Применение квантового компьютера в Арктике», Презентация (без опубликования в печати) представлена для выступления на 9-ом Международном Арктическом саммите «Арктика: перспективы, инновации и развитие регионов» (Саммит Арктика 2025) 23 апреля, Москва, докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.
  15. Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е., «Квантовый компьютер: достижения и перспективы. Презентация (без опубликования в печати) представлена для выступления на XXIX форуме Связь-2025, 25 апреля, Москва, докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
1 апреля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. V. Popov, M. Tarkov, V. Antonov, F. Tikhonenko, A. Miakonkikh, K. Rudenko, Energy-efficient VLSI ferroelectric elements for neuromorphic AI systems (В. Попов, М. Тарков, В. Антонов, Ф. Тихоненко, А. Мяконьких, К. Руденко,  Энергоэффективные сегнетоэлектрические элементы СБИС для нейроморфных систем искусственного интеллекта). 2025 IEEE 26th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials June 27 — July 1, 2025, The Altai Republic, Russia, IEEE Xplore Digital Library (2025 IEEE (Институт инженеров электротехники и электроники) 26-я Международная конференция молодых специалистов в области электронных приборов и материалов 27 июня — 1 июля 2025, Республика Алтай, Россия), Докладчик Мяконьких А.В. ФТИАН
  2. Термостабильный сегнетоэлектрик HfO2:Al2O3 (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением (В.П. Попов, В.А. Антонов, В.Е. Жилицкий, А.А. Ломов, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко) Статья в журнал ”Письма В ЖЭТФ” издательства ”Наука”,   Докладчик Мяконьких А.В. ФТИАН
  3. “Стабилизация состояний мемристорной ячейки в процессе начальных переключений после формовки” (Фадеев А.В., Руденко К.В.)  Статья в журнал ”Микроэлектроника” издательства ”Наука”, Докладчик Фадеев А.В., ФТИАН
  4. Морозов М.О. МЭМС-переключатель для высокоскоростных систем связи, тезисы в трудах конференции Физика, техника и технология сложных систем, г. Ярославль, Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, 23.04.2025 – 07.05.2025, Докладчик Морозов М.О. ЯФ ФТИАН
  5. Исаев А. Г., Фетисенкова К. А., Мельников А. Е., Бобров Г. В., Рогожин А. Е. «Исследование нанесения, экспонирования и плазмостойкости отечественных фоторезистов ФП-9120 и ФП-05Ф», статья в журнал Микроэлектроника издательства «Наука», докладчик Исаев А.Г. ФТИАН

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
19 марта (среда) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. Метод исследования магнитооптического отклика отдельных магнитных нанослоев трехслойной системы (Р.В. Селюков, А.В. Проказников, В.А. Папорков, М.А. Лях, В.В. Наумов) тезисы доклада на научном мероприятии: XXVII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» ВИП-2025. Рязань, Россия. 25 – 29 августа 2025 г., докладчик Р.В. Селюков ЯФ ФТИАН
  2. «Application of the Spot Apparatus for Representation of Semantic Information and Consciousness with Mental Imagery and Cognitive Modeling» (перевод Применение аппарата пятен для представления семантической информации и сознания с помощью ментальных образов и когнитивного моделирования). Представлена для опубликования в открытой печати в виде: статьи в материалах конференции “Science and Spirituality for Global Peace and Harmony”, April 9-12 2025, Hyderabad, India.  («Наука и духовность для всеобщего мира и гармонии», 9-12 апреля 2025 г., Хайдарабад, Индия) издательства «Institute of Ancient Philosophy Trust, Hyderabad, India» , докладчик Симонов Н.А. ФТИАН
  3. «Капиллярные силы между шероховатыми поверхностями, полученными методами микро/нанотехнологии» И.В. Уваров, В.Б. Световой,  статья в журнал «Коллоидный журнал» , докладчик Уваров И.В., ЯФ ФТИАН
  4. Разработка методов повышения быстродействия микроактюатора на основе взрыва водород-кислородной смеси, Шлепаков П. С., Уваров И. В. Тезисы в трудах конференции 32 Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Микроэлектроника и информатика – 2025» с международным участием, Зеленоград, Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 24-25 апреля 2025 года, докладчик Шлепаков П.С., ЯФ ФТИАН
  5. Methods for increasing the performance of a microactuator based on a hydrogen-oxygen mixture explosion, Shlepakov P. S., Svetovoy V. B., Uvarov I. V. (Перевод Методы повышения быстродействия микроактюатора на основе взрыва водород-кислородной смеси, Шлепаков П. С., Световой В. Б., Уваров И. В.) тезисы в трудах конференции 12 th International School and Conference “Saint-Petersburg OPEN 2025” on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Saint-Petersburg, Higher School of Economics, 20-23 may 2025 (12-ая Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам Saint Petersburg OPEN, г. Санкт-Петербург, НИУ ВШЭ, 20-23 мая 2025 г.), докладчик Шлепаков П.С., ЯФ ФТИАН
  6. Эффекты маски в приповехностной области микроструктур при глубоком криогенном травлении кремния в плазме SF6/O2, К.В. Руденко, А.Е. Мельников, А.В. Мяконьких, тезисы в трудах  ВИП-2025 XXVII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» 25 – 29 августа 2025 г.Рязань, Россия) , докладчик Руденко К.В., ФТИАН
  7. Реализация ионно-стимулированного атомно-слоевого травления в ICP реакторе: влияние распределения ионов по энергиям на поверхности А.В. Мяконьких, В.О. Кузьменко, Р.Р. Халилуллин, К.В. Руденко, тезисы в трудах  ВИП-2025 XXVII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» 25 – 29 августа 2025 г.Рязань, Россия) , докладчик Мяконьких А.В., ФТИАН
  8. Microelectronic technologies for elements of silicon refractive X-ray optics, Kuzmenko V., Miakonkikh A., Rudenko K.,  Zverev D., Snigirev A. (Микроэлектронные технологии для элементов кремниевой преломляющей рентгеновской оптики, Кузьменко В., Мяконьких А., Руденко К., Зверев Д., Снигирев А.) Для публикации в онлайн издании 2025 IEEE 26th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials June 27 — July 1, 2025, The Altai Republic, Russia, Издательство (только электронная версия) IEEE Xplore Digital Library (2025 IEEE (Институт инженеров электротехники и электроники) 26-я Международная конференция молодых специалистов в области электронных приборов и материалов 27 июня — 1 июля 2025, Республика Алтай, Россия) , докладчик Мяконьких А.В., ФТИАН

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
5 марта (среда) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. «Формирование полупроводниковых наноструктур методом термомиграции» (Бучин Э.Ю.) статья в журнал «Нано- и микросистемная техника», Издательство «Новые технологии», докладчик Бучин Э.Ю. – ЯФ ФТИАН
  2. «Наноструктированное травление рутения в трехкомпонентной плазме Сl2/O2/Ar» (И.И. Амиров, М.О. Изюмов, Д.В. Лопаев, Т.В. Рахимова, А.Н. Кропоткин, Д.В. Волошин, А.П. Палов) статья в журнал «Микроэлектроника», докладчик Амиров И.И. – ЯФ ФТИАН
  3. «Effect of annealing on resistive switching process in HfOX-based memristors deposited by different atomic layer deposition processes» (A. G. Isaev, O. O. Permyakova, I. F. Kalimova, A. E. Rogozhin) (Перевод: Влияние отжигов на процесс резистивного переключения в мемристорах на основе HfOx полученных в разных процессах атомно-слоевого осаждения. (А. Г. Исаев, О. О. Пермякова, И. Ф. Калимова, А. Е. Рогожин)), тезисы в трудах конференции Saint Petersburg OPEN 2025, Санкт-Петербург, Россия, 20-23 мая 2025 г., докладчик Исаев А.Г. ФТИАН
  4. Кремниевые технологии интерпозеров для 3D интеграции кристаллов ИС различного функционального назначения (Руденко К.В., Мяконьких А.В., Кузьменко В.О.) тезисы в трудах 35-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2025) 7—13 сентября 2025 г., г. Севастополь. Докладчик Руденко К.В. ФТИАН
  5. «Mathematical modeling of the growth of nanostructured thin films by glancing angle deposition» (M. M. Chebokhin, I. S. Fattakhov, A. A. Popov, O. S. Trushin) (Перевод: «Математическое моделирование роста наноструктурированных тонких пленок при наклонном напылении», М. М. Чебохин, И. С. Фаттахов, А. А. Попов, О. С. Трушин), тезисы в трудах конференции Saint Petersburg OPEN 2025, Санкт-Петербург, Россия, 20-23 мая 2025 г., докладчик М. М. Чебохин, ЯФ ФТИАН
  6. Optical properties of nanostructured nickel films obtained by oblique angle deposition (I.S. Fattakhov, O.S. Trushin, A.A. Popov, L.A. Mazaletsky, M.V. Logunov, A.S. Fedorov) (Перевод: Оптические свойства наноструктурированных пленок никеля, полученных методом наклонного напыления, (И.С. Фаттахов, О.С. Трушин, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, Д.Р.Титов, М.В. Логунов, А.С. Федоров)), тезисы в трудах конференции Saint Petersburg OPEN 2025, Санкт-Петербург, Россия, 20-23 мая 2025 г., докладчик И.С. Фаттахов, ЯФ ФТИАН
  7. Управляемое наноструктурирование тонких пленок методом наклонного напыления (О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, М.М.Чебохин, Д.Р. Титов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий.) тезисы в трудах конференции XXVII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» 25 – 29 августа 2025 г. Рязань, Россия, докладчик Трушин О.С. ЯФ ФТИАН
  8. «MEMS switch with an intermediate electrode for high-speed communication networks» (Morozov M. O., Uvarov I. V. (Перевод: МЭМС-переключатель с дополнительным электродом для систем высокоскоростной связи Морозов М. О., Уваров И. В.) , тезисы в трудах конференции SaintPetersburg OPEN 2025, Saint-Petersburg, Russia, 20.05.2025-23.05.2025 (SaintPetersburg OPEN 2025, г. Санкт-Петербург, Россия, 20.05.2025-23.05.2025), докладчик Морозов M. O., ЯФ ФТИАН
  9. «Magnetic properties of iron nanowires in a porous aluminum oxide matrix» (Grushevsky E. A., Savinski N. G., Trushin O. S., Naumov V.V., Vasiliev S.V., Shendrikova L.A.), Перевод: «Магнитные свойства нанопроволок железа в пористой матрице из оксида алюминия», (Грушевский Е.А., Савинский Н.Г., Трушин О.С., Наумов В.В., Васильев С.В., Шендрикова Л.А. ) , тезисы в трудах конференции SaintPetersburg OPEN 2025, Saint-Petersburg, Russia, 20.05.2025-23.05.2025 (SaintPetersburg OPEN 2025, г. Санкт-Петербург, Россия, 20.05.2025-23.05.2025), докладчик Грушевский Е.А., ЯФ ФТИАН
  10. Синтез ферромагнитных одномерных наноструктур, электроосаждённых в матрицы оксида алюминия. Грушевский Е.А., Савинский Н.Г., Трушин О.С., Бачурин В.И., Шендрикова Л.А. тезисы в трудах ВИП-2025 XXVII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» 25 – 29 августа 2025 г.Рязань, Россия), докладчик Грушевский Е.А., ЯФ ФТИАН.
  11. Микромагнитное моделирование групповых одиночных одномерных ферромагнитных наноструктур. Грушевский Е.А., Савинский Н.Г., Трушин О.С. тезисы в трудах ВИП-2025 XXVII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» 25 – 29 августа 2025 г.Рязань, Россия), докладчик Савинский Н.Г., ЯФ ФТИАН
  12. «A compact MEMS switch based on a cantilever with three elastic elements» (Belozerov I. A., Uvarov I. V.) («Компактный МЭМС-переключатель на основе кантилевера с тремя упругими элементами» (Белозеров И.А., Уваров И.В.) , тезисы в трудах конференции SaintPetersburg OPEN 2025, Saint- Petersburg, Russia, 20.05.2025-23.05.2025 (SaintPetersburg OPEN 2025, г. Санкт-Петербург, Россия, 20.05.2025-23.05.2025), докладчик Белозеров И.А., ЯФ ФТИАН
 
 

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
18 февраля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. «Влияние отжигов на количество проводящих филаментов в мемристорных структурах на основе оксида гафния, сформированных различными видами атомно-слоевого осаждения» (А. Г. Исаев, О. О. Пермякова, И. Ф. Калимова, А. Е. Рогожин), тезисы в трудах 67-й Всероссийской научной конференции МФТИ, г Долгопрудный, Россия, 31 марта – 5 апреля 2025 г., докладчик А.Г. Исаев, ФТИАН
  2. «Experimental and Model-Based Study of Ar- and He-rich SF6 + Ar + He Plasmas for Dry Etching Applications» (A. Miakonkikh, V. Kuzmenko, A. Efremov, K. Rudenko), Экспериментальное и модельное исследование плазмы SF6 + Ar + He, богатой Ar и He, для применения в сухом травлении А.Мяконьких, В.Кузьменко, А. Ефремов, К. Руденко, статья в журнал Vacuum издательства Elsevier, докладчик А.В. Мяконьких ФТИАН
  3. «Структура тонких пленок нитрида титана, сформированных методом магнетронного распыления» (Исаев А.Г. Рогожин А.Е.), статья в журнал «Микроэлектроника», докладчик Рогожин А.Е. ФТИАН
  4. “Application of the spot apparatus for representation of semantic information and consciousness with mental imagery and cognitive modeling” («Применение аппарата пятен для представления семантической информации и сознания с помощью ментальных образов и когнитивного моделирования») Симонов Н.А., тезисы в трудах конференции “Science and Spirituality for Global Peace and Harmony”, April 9-12 2025, Hyderabad, India. («Наука и духовность для всеобщего мира и гармонии», 9-12 апреля 2025 г., Хайдарабад, Индия), докладчик Симонов Н.А. ФТИАН
  5. «Аппарат пятен для когнитивного моделирования и нейроморфных устройств» Симонов Н.А., Русалова М.Н., статья в журнал «Асимметрия» издательства «ФГБНУ Научный центр неврологии», докладчик Симонов Н.А. ФТИАН
  6. «МЭМС-переключатель с увеличенным отношением емкостей для передовых радиоэлектронных систем» Морозов М.О., Уваров И.В., тезисы в трудах конференции Ломоносов-2025, г. Москва, Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 11.04.2025 – 25.04.2025, докладчик Морозов М.О. ЯФ ФТИАН