Skip to content
 Версия сайта для слабовидящих
  • Русский
  • English (US)

ФТИАН
ФТИАН

VALIEV INSTITUTE OF PHYSICS AND
TECHNOLOGY Of russian academy of sciences
VALIEV IPT RAS

Conference website

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Primary Navigation Menu
Menu
  • Home
  • Institute
    • Official information
      • Противодействие коррупции
    • Historical reference
    • Directorate
    • Laboratories
      • Laboratory for Microstructuring and Submicron Devices
      • Laboratory of ion-beam technologies
      • Micro and nanosystem technology laboratory
      • Laboratory of Surface Physics of Microelectronic Structures
      • Laboratory for Mathematical Modeling of Physical and Technological Processes in Microelectronics
      • Laboratory of Physics of Quantum Computers
      • High Performance Computing Systems Architecture Lab
      • Laboratory of functional dielectrics for microelectronics
      • Лаборатория технологий электронной и оптической литографии
    • Institute structure
    • Equipment
      • Современное аналитическое оборудование ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
      • Технологическое оборудование для проведения процессов литографии
      • Технологическое оборудование для создания микро- и наноэлектронных структур
    • Job contests
    • Госзакупки
    • Документы
  • The science
    • Main directions of research
    • Международное сотрудничество
    • Важнейшие результаты
    • Projects
    • Publications
    • Диссертации и ученые степени сотрудников
    • Научные мероприятия
      • Conference
      • Семинары
    • Департамент трансфера знаний и технологий
    • Издательская деятельность
    • Библиотека
    • Национальный проект «Наука и университеты»
  • Education
    • Сотрудничество с ВУЗами
    • Научно-образовательный центр «Демидовский Центр нанотехнологий и инноваций» ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
    • Центр коллективного пользования «Диагностика микро- и наноструктур» в ЯФ ФТИАН
    • Defense of dissertations
    • Аспирантура
      • Аспирантура
  • Разработки
    • Инновации
    • New technologies
    • Patents
    • Программы для ЭВМ
      • Порядок регистрации программ для ЭВМ
      • Программы для ЭВМ
  • News
  • Профсоюз
  • Contacts
    • Реквизиты института
Выход монографии «Введение в квантовые информационные технологии»

Выход монографии «Введение в квантовые информационные технологии»

By: Ольга
On: June 2, 2025
In: News, Congratulations
Итоги лектория 24 сентября 2024

Итоги лектория 24 сентября 2024

By: Ольга
On: September 30, 2024
In: News
Премия правительства Москвы молодым ученым за 2024 год

Премия правительства Москвы молодым ученым за 2024 год

By: Ольга
On: April 15, 2024
In: Competitions, grants, scholarships, News
«На пути к квантовым информационным технологиям». Форум «Россия». 28 февраля 2024 года. Павильон 57 ВДНХ.

«На пути к квантовым информационным технологиям». Форум «Россия». 28 февраля 2024 года. Павильон 57 ВДНХ.

By: Ольга
On: March 6, 2024
In: News
«Запутанная Вселенная» от лаборатории физики квантовых компьютеров

«Запутанная Вселенная» от лаборатории физики квантовых компьютеров

By: Ольга
On: October 30, 2023
In: News
Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI.  Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

On: March 19, 2022
In: Важнейшие результаты
Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

On: March 19, 2022
In: Важнейшие результаты
  • Home
    Узнать больше
  • Home
    Узнать больше
  • Home
    Узнать больше
  • Home
    Узнать больше
  • Home
  • Home
  • Home
  • Home

НОВОСТИ

View All

Конкурс на получение стипендий имени И.В. Курчатова для молодых ученых

By: Ольга
On: September 15, 2025
In: Competitions, grants, scholarships, News

В НИЦ «Курчатовский институт» объявлен конкурс на получение в 2026 году стипендий имени И.В. Курчатова для молодых ученых. Прием заявок будет осуществляться в период с

Поздравление с получением степени доктора наук

By: Ольга
On: July 10, 2025
In: News, Congratulations

Руководство и коллектив Отделения физико-технологических исследований им. К.А. Валиева поздравляет нашего коллегу старшего научного сотрудника Уварова Илью Владимировича с присуждением ученой степени доктора технических наук.

Конкурс на соискание премии имени И.В. Курчатова

By: Ольга
On: July 10, 2025
In: Competitions, grants, scholarships, News

В НИЦ «Курчатовский институт» стартовал конкурс на соискание премии имени И.В. Курчатова. Конкурс проводится в следующих номинациях: конкурс в области научных исследований; конкурс в области

СЕМИНАРЫ

View All

Обсуждение статей для публикации в журналах

By: Ольга
On: November 1, 2025
In: Квантовые компьютеры, Семинары

6 ноября (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар. В программе семинара рассмотрение материалов для публикации в журнале «Russian Microelectronics»: Доклад «Decoherencemeasure of single-qubit ion gate» – «Метрика декогерентности

Обсуждение статей для публикации в журналах

By: Ольга
On: October 27, 2025
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

28 октября (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар. Часть 1. Председатель В.Ф. Лукичев, Секретарь В.В. Вьюрков Semenikhin, D. Svintsov, V. Vyurkov, K. Rudenko, V.

Обсуждение статей для публикации в журналах

By: Ольга
On: October 1, 2025
In: Квантовые компьютеры, Семинары

2 октября (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар. В программе семинара рассмотрение материалов для публикации статьи в Журнале Экспериментальной и Теоретической Физики. Доклад «Эффект

Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.

Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.

ИЗДАНИЯ И ПУБЛИКАЦИИ

2021

By: Ольга
On: June 3, 2022
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,

2020

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene

2019

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2

2018

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,

ИННОВАЦИИ

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и осаждения пленок из инертных и химически активных газов

In: Инновации

Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические  возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения 

Подробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники

In: Инновации

Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства

Подробнее

Валиев Камиль Ахметович

Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.

Подробнее

Орликовский Александр Александрович

Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).

Подробнее

Владимир Федорович Лукичев

В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».

Подробнее

Руденко Константин Васильевич

Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.

Подробнее

Хорин Иван Анатольевич

Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета.

Подробнее

Родненкова Ольга Николаевна

Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.

Подробнее
2021-10-02
Contact Information

Меню сайта

  • Home
  • Institute
  • The science
  • Education
  • Development
  • News
  • Contact Information
  • Противодействие коррупции

Рубрики

  • Важнейшие результаты
  • Издания
  • Инновации
  • Квантовые компьютеры
  • News
  • New technologies
  • Patents
  • Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
  • Публикации
  • Семинары

Контакты

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Реквизиты института

© 2025 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук