

НОВОСТИ
Конкурс на соискание Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых учёных за 2025 год
В НИЦ «Курчатовский институт» стартовал прием от подразделений заявок на участие молодых ученых в конкурсе на соискание Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых
Премия Правительства Москвы для молодых учёных
12 апреля стартовал прием заявок от молодых (до 35 лет включительно, доктора наук — до 40 лет включительно) ученых (индивидуально или в составе научного коллектива не более
X Всероссийский конкурс научно-исследовательских работ студентов и аспирантов
Со 2 апреля по 16 мая 2025 года Минобрнауки проводит приема заявок на X Всероссийский конкурс научно-исследовательских работ студентов и аспирантов (в возрасте не старше 35 лет).
СЕМИНАРЫ
Измерение оптических квантовых состояний с использованием неидеальных детекторов
24 апреля (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар. Измерение оптических квантовых состояний с использованием неидеальных детекторов Докладчики: Ю.И. Богданов, И.К. Голышев (ФТИАН) По
Томография кудитов с учётом неидеальности измерений
17 апреля (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар. Томография кудитов с учётом неидеальности измерений Докладчики: Ю.И. Богданов, К.Б. Кокшаров (ФТИАН) По вопросам оформления
Обсуждение статей для публикации в журналах
15 апреля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар. В программе рассмотрение следующих материалов: A.S. Babushkin , A.N. Kupriyanov, «A molecular dynamics study of mechanical stress changes in
Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.
ИЗДАНИЯ И ПУБЛИКАЦИИ
2021
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,
2020
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene
2019
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2
2018
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,
ИННОВАЦИИ
Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и осаждения пленок из инертных и химически активных газов
Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения
Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники
Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства
Валиев Камиль Ахметович
Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.
Орликовский Александр Александрович
Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
Владимир Федорович Лукичев
В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».
Руденко Константин Васильевич
Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.
Хорин Иван Анатольевич
Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета.
Родненкова Ольга Николаевна
Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.