Skip to content
 Версия сайта для слабовидящих
  • Русский
  • English (US)

ФТИАН
ФТИАН

VALIEV INSTITUTE OF PHYSICS AND
TECHNOLOGY Of russian academy of sciences VALIEV IPT RAS

Conference website

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Primary Navigation Menu
Menu
  • Home
  • Institute
    • Official information
    • Historical reference
    • Directorate
    • Laboratories
      • Laboratory for Microstructuring and Submicron Devices
      • Laboratory of ion-beam technologies
      • Micro and nanosystem technology laboratory
      • Laboratory of Surface Physics of Microelectronic Structures
      • Laboratory for Mathematical Modeling of Physical and Technological Processes in Microelectronics
      • Laboratory of Physics of Quantum Computers
      • High Performance Computing Systems Architecture Lab
      • Лаборатория функциональных диэлектриков для микроэлектроники
      • Лаборатория технологий электронной и оптической литографии
    • Institute structure
    • Equipment
      • Современное аналитическое оборудование ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
      • Технологическое оборудование для проведения процессов литографии
      • Технологическое оборудование для создания микро- и наноэлектронных структур
    • Job contests
    • Госзакупки
    • Документы
  • The science
    • Main directions of research
    • Международное сотрудничество
    • Важнейшие результаты
    • Projects
    • Publications
    • Диссертации и ученые степени сотрудников
    • Научные мероприятия
      • Conference
      • Семинары
    • Издательская деятельность
    • Библиотека
    • Национальный проект «Наука и университеты»
  • Education
    • Сотрудничество с ВУЗами
    • Научно-образовательный центр «Демидовский Центр нанотехнологий и инноваций» ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
    • Центр коллективного пользования «Диагностика микро- и наноструктур» в ЯФ ФТИАН
    • Defense of dissertations
    • Аспирантура
  • Разработки
    • Инновации
    • New technologies
    • Patents
  • News
  • Профсоюз
  • Contacts
    • Реквизиты института
Национальный проект «Наука и университеты»

Национальный проект «Наука и университеты»

By: Ольга
On: January 25, 2023
In: Национальный проект «Наука и университеты»
Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

By: admin-ftian
On: March 19, 2022
In: Важнейшие результаты
Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

By: admin-ftian
On: March 19, 2022
In: Важнейшие результаты
Разработка технологии изготовления чувствительного элемента микрогироскопа для систем навигации

Разработка технологии изготовления чувствительного элемента микрогироскопа для систем навигации

By: admin-ftian
On: January 25, 2022
In: New technologies
Развитие технологий плазменных процессов формирования трехмерных микро-и наноструктур

Развитие технологий плазменных процессов формирования трехмерных микро-и наноструктур

By: admin-ftian
On: January 25, 2022
In: New technologies
Плазмохимические процессы травления высокоаспектных структур в кремнии

Плазмохимические процессы травления высокоаспектных структур в кремнии

On: January 25, 2022
In: New technologies
Разработка конструкций и технологий создания чувствительных элементов для систем инерциальной навигации, построенных на микромеханических  сенсорах

Разработка конструкций и технологий создания чувствительных элементов для систем инерциальной навигации, построенных на микромеханических  сенсорах

On: December 1, 2021
In: New technologies
Important results

Решение уравнения Шредингера на квантовом компьютере методом Залки-Визнера с учетом квантовых шумов

On: October 18, 2021
In: Важнейшие результаты
Important results

Многослойные гетероструктуры кремний-сегнетоэлектрик (Silicon-on-Ferroelectric)

On: August 18, 2021
In: Важнейшие результаты

НОВОСТИ

View All

15-я Международная конференция “Микро- и наноэлектроника – 2023” (ICMNE-2023), включающая расширенную сессию “Квантовая информатика – 2023” (QI-2023)

By: Ольга
On: May 22, 2023
In: News, Объявления

15-я Международная конференция “Микро- и наноэлектроника – 2023” (ICMNE-2023), включающая расширенную сессию “Квантовая информатика – 2023” (QI-2023), будет проводиться с 2 по 6 октября 2023

Интервью Президента НИЦ «Курчатовский институт» Ковальчука Михаила Валентиновича

By: Ольга
On: April 15, 2023
In: News

16 апреля в 20:00 в эфире общероссийского федерального государственного телеканала «Россия-1» в программе «Вести недели» состоится интервью Президента НИЦ «Курчатовский институт» Ковальчука Михаила Валентиновича. В период с 17 апреля по 21 апреля

Премия Правительства Москвы молодым учёным за 2023 год

By: Ольга
On: April 12, 2023
In: Competitions, grants, scholarships, News

Объявлен Конкурс на соискание премии Правительства Москвы молодым учёным (не достигшим возраста 36 лет, или 41 года для докторов наук, по состоянию на 31 декабря

СЕМИНАРЫ

View All

Генерация коррелированных фотонных пар пятиуровневой квантовой точкой в микрорезонаторе

By: Ольга
On: June 2, 2023
In: Квантовые компьютеры, Семинары

15 июня (четверг) 2023 в 15-00   Генерация коррелированных фотонных пар пятиуровневой квантовой точкой в микрорезонаторе Докладчик: Александр Викторович Цуканов (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

Микромагнитное моделирование динамики и энергетики одно- и многослойных ферромагнитных структур

By: Ольга
On: May 30, 2023
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

13 июня (вторник) 2023 в 14-00   Микромагнитное моделирование динамики и энергетики одно- и многослойных ферромагнитных структур (По материалам диссертации на соискание степени кандидата физико-математических наук)

Квантовый регистр на основе двойных квантовых точек в канале транзистора

By: Ольга
On: May 25, 2023
In: Квантовые компьютеры, Семинары

01 июня (четверг) 2023 в 15-00   Квантовый регистр на основе двойных квантовых точек в канале транзистора Докладчик: Вьюрков Владимир Владимирович (ФТИАН им. К.А. Валиева

Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.

Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.

ИЗДАНИЯ И ПУБЛИКАЦИИ

2021

By: Ольга
On: June 3, 2022
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,

2020

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene

2019

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2

2018

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,

ИННОВАЦИИ

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и осаждения пленок из инертных и химически активных газов

In: Инновации

Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические  возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения 

Подробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники

In: Инновации

Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства

Подробнее

Валиев Камиль Ахметович

Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.

Подробнее

Орликовский Александр Александрович

Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).

Подробнее

Владимир Федорович Лукичев

В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».

Подробнее

Руденко Константин Васильевич

Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.

Подробнее

Хорин Иван Анатольевич

Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета.

Подробнее

Родненкова Ольга Николаевна

Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.

Подробнее
2021-10-02
Contact Information

Меню сайта

  • Home
  • Institute
  • The science
  • Education
  • Development
  • News
  • Contact Information
  • Противодействие коррупции

Рубрики

  • Важнейшие результаты
  • Издания
  • Инновации
  • Квантовые компьютеры
  • News
  • New technologies
  • Patents
  • Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
  • Публикации
  • Семинары

Контакты

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Реквизиты института

© 2023 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук