Skip to content
 Версия сайта для слабовидящих
  • Русский
  • English (US)

ФТИАН
ФТИАН

VALIEV INSTITUTE OF PHYSICS AND
TECHNOLOGY Of russian academy of sciences
VALIEV IPT RAS

Conference website

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Primary Navigation Menu
Menu
  • Home
  • Institute
    • Official information
      • Противодействие коррупции
    • Historical reference
    • Directorate
    • Laboratories
      • Laboratory for Microstructuring and Submicron Devices
      • Laboratory of ion-beam technologies
      • Micro and nanosystem technology laboratory
      • Laboratory of Surface Physics of Microelectronic Structures
      • Laboratory for Mathematical Modeling of Physical and Technological Processes in Microelectronics
      • Laboratory of Physics of Quantum Computers
      • High Performance Computing Systems Architecture Lab
      • Laboratory of functional dielectrics for microelectronics
      • Лаборатория технологий электронной и оптической литографии
    • Institute structure
    • Equipment
      • Современное аналитическое оборудование ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
      • Технологическое оборудование для проведения процессов литографии
      • Технологическое оборудование для создания микро- и наноэлектронных структур
    • Job contests
    • Госзакупки
    • Документы
  • The science
    • Main directions of research
    • Международное сотрудничество
    • Важнейшие результаты
    • Projects
    • Publications
    • Диссертации и ученые степени сотрудников
    • Научные мероприятия
      • Conference
      • Семинары
    • Департамент трансфера знаний и технологий
    • Издательская деятельность
    • Библиотека
    • Национальный проект «Наука и университеты»
  • Education
    • Сотрудничество с ВУЗами
    • Научно-образовательный центр «Демидовский Центр нанотехнологий и инноваций» ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
    • Центр коллективного пользования «Диагностика микро- и наноструктур» в ЯФ ФТИАН
    • Defense of dissertations
    • Аспирантура
      • Аспирантура
  • Разработки
    • Инновации
    • New technologies
    • Patents
    • Программы для ЭВМ
      • Порядок регистрации программ для ЭВМ
      • Программы для ЭВМ
  • News
  • Профсоюз
  • Contacts
    • Реквизиты института
Выход монографии «Введение в квантовые информационные технологии»

Выход монографии «Введение в квантовые информационные технологии»

By: Ольга
On: June 2, 2025
In: News, Congratulations
Итоги лектория 24 сентября 2024

Итоги лектория 24 сентября 2024

By: Ольга
On: September 30, 2024
In: News
Премия правительства Москвы молодым ученым за 2024 год

Премия правительства Москвы молодым ученым за 2024 год

By: Ольга
On: April 15, 2024
In: Competitions, grants, scholarships, News
«На пути к квантовым информационным технологиям». Форум «Россия». 28 февраля 2024 года. Павильон 57 ВДНХ.

«На пути к квантовым информационным технологиям». Форум «Россия». 28 февраля 2024 года. Павильон 57 ВДНХ.

By: Ольга
On: March 6, 2024
In: News
«Запутанная Вселенная» от лаборатории физики квантовых компьютеров

«Запутанная Вселенная» от лаборатории физики квантовых компьютеров

By: Ольга
On: October 30, 2023
In: News
Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI.  Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

On: March 19, 2022
In: Важнейшие результаты
Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

On: March 19, 2022
In: Важнейшие результаты
  • Home
    Узнать больше
  • Home
    Узнать больше
  • Home
    Узнать больше
  • Home
    Узнать больше
  • Home
  • Home
  • Home
  • Home

НОВОСТИ

View All

Поздравляем Владимира Федоровича Лукичева с присуждением золотой медали имени К.А. Валиева 2026 года

By: Ольга
On: September 8, 2026
In: News, Congratulations

Поздравляем члена-корреспондента РАН Владимира Федоровича Лукичева с присуждением золотой медали имени К. А. Валиева 2026 года за серию работ «Теоретические основы глубокого анизотропного травления кремниевых

Памяти Богдановой Надежды Александровны

By: Ольга
On: May 25, 2026
In: News

Отделение Физико‑технологических исследований имени К.А. Валиева НИЦ «Курчатовский институт» с глубокой скорбью сообщает, что 22 мая 2026 года после продолжительной болезни ушла из жизни Богданова

Премия Правительства Москвы молодым ученым за 2026 год

By: Ольга
On: April 20, 2026
In: Competitions, grants, scholarships, News

Начался прием заявок на соискание премий Правительства Москвы молодым ученым за 2026 год. Премия доступна молодым учёным из столичных организаций: аспирантам, научным работникам, специалистам и кандидатам

СЕМИНАРЫ

View All

Обсуждение материалов для публикации

By: Ольга
On: September 7, 2026
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

Программа семинара 8 сентября 2026 г. Статья «Алгоритмы размещения и трассировки для визуализации цифровых схем на вентильном уровне» авторы Дьяченко Н.С., Тиунов И.В., Гаврилов С.В.

Обсуждение материалов для публикации

By: Ольга
On: August 26, 2026
In: Квантовые компьютеры, Семинары

27 августа (четверг) 2026 года в 15:00 состоится семинар   В программе рассмотрение материалов статей для публикации в журнал Российские нанотехнологии:   Доклад «Влияние статистических

Обсуждение материалов для публикации

By: Ольга
On: August 17, 2026
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

Программа семинара 18 августа 2026 г. Статья «Применение потоковой модели вычислений для задач обработки сетевых пакетов доверенных систем» авторы Бобков С.Г., Левченко Н.Н., Телец В.А.

Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.

Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.

ИЗДАНИЯ И ПУБЛИКАЦИИ

2021

By: Ольга
On: June 3, 2022
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,

2020

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene

2019

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2

2018

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,

ИННОВАЦИИ

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и осаждения пленок из инертных и химически активных газов

In: Инновации

Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические  возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения 

Подробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники

In: Инновации

Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства

Подробнее

Валиев Камиль Ахметович

Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.

Подробнее

Орликовский Александр Александрович

Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).

Подробнее

Владимир Федорович Лукичев

В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».

Подробнее

Руденко Константин Васильевич

Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.

Подробнее

Хорин Иван Анатольевич

Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года ведет педагогическую деятельностью в должности доцента.

Подробнее

Родненкова Ольга Николаевна

Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.

Подробнее
2021-10-02
Contact Information

Меню сайта

  • Home
  • Institute
  • The science
  • Education
  • Development
  • News
  • Contact Information
  • Противодействие коррупции

Рубрики

  • Важнейшие результаты
  • Издания
  • Инновации
  • Квантовые компьютеры
  • News
  • New technologies
  • Patents
  • Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
  • Публикации
  • Семинары

Контакты

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Реквизиты института

© 2026 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук