





НОВОСТИ
15-я Международная конференция “Микро- и наноэлектроника – 2023” (ICMNE-2023), включающая расширенную сессию “Квантовая информатика – 2023” (QI-2023)
15-я Международная конференция “Микро- и наноэлектроника – 2023” (ICMNE-2023), включающая расширенную сессию “Квантовая информатика – 2023” (QI-2023), будет проводиться с 2 по 6 октября 2023
Интервью Президента НИЦ «Курчатовский институт» Ковальчука Михаила Валентиновича
16 апреля в 20:00 в эфире общероссийского федерального государственного телеканала «Россия-1» в программе «Вести недели» состоится интервью Президента НИЦ «Курчатовский институт» Ковальчука Михаила Валентиновича. В период с 17 апреля по 21 апреля
Премия Правительства Москвы молодым учёным за 2023 год
Объявлен Конкурс на соискание премии Правительства Москвы молодым учёным (не достигшим возраста 36 лет, или 41 года для докторов наук, по состоянию на 31 декабря
СЕМИНАРЫ
Генерация коррелированных фотонных пар пятиуровневой квантовой точкой в микрорезонаторе
15 июня (четверг) 2023 в 15-00 Генерация коррелированных фотонных пар пятиуровневой квантовой точкой в микрорезонаторе Докладчик: Александр Викторович Цуканов (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)
Микромагнитное моделирование динамики и энергетики одно- и многослойных ферромагнитных структур
13 июня (вторник) 2023 в 14-00 Микромагнитное моделирование динамики и энергетики одно- и многослойных ферромагнитных структур (По материалам диссертации на соискание степени кандидата физико-математических наук)
Квантовый регистр на основе двойных квантовых точек в канале транзистора
01 июня (четверг) 2023 в 15-00 Квантовый регистр на основе двойных квантовых точек в канале транзистора Докладчик: Вьюрков Владимир Владимирович (ФТИАН им. К.А. Валиева
Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.
ИЗДАНИЯ И ПУБЛИКАЦИИ
2021
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,
2020
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene
2019
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2
2018
Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,
ИННОВАЦИИ
Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и осаждения пленок из инертных и химически активных газов
Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения
Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники
Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства
Валиев Камиль Ахметович
Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.
Орликовский Александр Александрович
Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
Владимир Федорович Лукичев
В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».
Руденко Константин Васильевич
Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.
Хорин Иван Анатольевич
Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета.
Родненкова Ольга Николаевна
Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.