2011

  1. Мордвинцев, В.М. Развитие конструкции и улучшение характеристик элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти на основе электроформированных структур / В.М.Мордвинцев, С.Е.Кудрявцев, В.Л.Левин, Л.А.Цветкова // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.129-144.
  2. Мордвинцев, В. М. Исследование радиационного поведения ячеек энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти на самоформирующихся проводящих наноструктурах. I. Режим хранения информации / В.М.Мордвинцев, А.В.Согоян, С.Е.Кудрявцев, В.Л.Левин // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 2. С. 98-108.
  3. Козин, И.А. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИКИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ С НАНЕСЕННОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИЕЙ / И.А.Козин, А.В.Постников, О.В.Морозов // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 12. С. 43-45.
  4. Zimin, S.P. Investigations of PbSe layers after anodic electrochemical etching by scanning electron microscopy / S.P.Zimin, V.M. Vasin, E.S. Gorlachev, V.V. Naumov, E.Yu. Buchin // Physica Status Solidi C. 2011. V.8. No.6. Р. 1918-1922; DOI: 10.1002/pssc.201000026.
  5. Негров, Д. В. Математическое и компьютерное моделирование наносистем: учебное пособие / Д. В. Негров , А. Ю. Озёрин, Д. А. Свинцов, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский, И. А. Семенихин. – М.: Изд-во МФТИ, 2011.
  6. Фадеев, А.В. ОПТИМИЗАЦИЯ ТОМОГРАФИЧЕСКОГО АЛГОРИТМА РЕКОНСТРУКЦИИ ПЛАЗМЕННЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕАКТОРАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ / А.В.Фадеев, К.В.Руденко, В.Ф.Лукичев, А. А.Орликовский // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 2. С. 119-129.
  7. Fadeev, A.V. OPTIMIZATION OF THE TOMOGRAPHIC ALGORITHM OF THE RECONSTRUCTION OF PLASMA IRREGULARITIES IN PROCESS REACTORS OF MICROELECTRONICS / A.V.Fadeev, K.V.Rudenko, V.F.Lukichev, A.A. Orlikovskii// Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 2. С. 108-118.
  8. Orlikovsky, N.A. IMAGE CONTRAST IN THE BACKSCATTERED ELECTRON MODE IN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY AND MICROTOMOGRAPHY / N.A.Orlikovsky, E.I.Rau // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2011. Т. 75. № 9. С. 1234-1239.
  9. Scherbachev, K.D. Defect structure in Zn implanted Si: HRXRD study / K.D.Scherbachev, V.V.Saraykin, A.N.Podgornyi, V.V.Privezentsev // Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science. 2011. V. 208. № 3. P. 653-657.
  10. Kulikauskas, V.S. SIMS and RBS Investigation of Zn Implanted Si. / V.S.Kulikauskas, V.V.Saraykin, V.V.Privezentsev // Journal of Physics: Conference Series. 2011. V. 281. № 1. PС. 012031.
  11. Несмеянов, С.С. Универсальный цифровой измерительный прибор с частотными датчикам / С.С.Несмеянов, В.В.Привезенцев // Прикладная физика. 2011. № 1. С. 123-125.
  12. Privezentsev, V.V. Formation of Voids in SiO2/Si Substrate by Zn Implantation and Furnace Annealing / V.V.Privezentsev, P.N. Chernykh, D.V. Petrov // Solid State Phenomena. Diffusion and Defect Data Pt.B. 2011. Т. 178-179. С. 217-220.
  13. Привезенцев, В.В. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ С ПРИМЕСЬЮ ЦИНКА МЕТОДАМИ АСМ И РЭМ / В.В.Привезенцев // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2011. Т. 75. № 9. С. 1266-1268.
  14. Privezentsev, V.V. AFM AND SEM INVESTIGATION OF A ZN-DOPED SILICON SURFACE / V.V.Privezentsev // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2011. Т. 75. № 9. С. 1197-1199.
  15. Проказников, А.В. Технология формирования и моделирование образования массивов пористых микрокластеров в металлических и полупроводниковых кристаллах / А.В.Проказников // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. -С.95-128 .
  16. Рудаков, В.И. Формирование тонкопленочных структур HfO2/Si (100) методом высокочастотного магнетронного распыления / В.И.Рудаков, Е.А.Богоявленская, Ю.И.Денисенко, В.В.Наумов // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 6. С. 418-423.
  17. Рудаков, В. И. Особенности формирования CoSi2 при двухстадийном быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si (100) / В. И.Рудаков, Ю. И.Денисенко, В. В.Наумов, С. Г.Симакин // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. №3. С. 36-44.
  18. Рудаков, В. И. Контроль образования ультратонких слоев CoSi2 при быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si (100) / В. И.Рудаков, Ю.И.Денисенко, В.В.Наумов, С.Г.Симакин // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 6. С. 424-429.
  19. Ваганова, Е.И. Увеличение эффективности фотоэлектрических элементов наноструктурированием поверхности / Е.И.Ваганова, А.А.Мироненко, В.А.Папорков, Н.А.Рудь, А.С.Рудый, А.В.Проказников // Микроэлектроника. 2011. Т.40. № 1. С. 36 – 44.
  20. Васильев, С.В. Электронографические исследования кальцифицирующих наночастиц. Предварительные результаты / С.В.Васильев, Н.В.Шеховцова, А.С.Рудый, О.Ю.Приходько, А.Ю.Ягушкина // Интеграл. 2011. № 3(59). С. 10-12.
  21. Рудый, А.С. Моделирование процессов формирования наноструктур при распылении поверхности ионной бомбардировкой / А.С.Рудый, А.Н.Куликов, А.В.Метлицкая // Микроэлектроника. 2011. Т.40. № 2. С. 109 – 118.
  22. Трушин, О. С. Получение и исследование магниторезистивных структур и формирование элементов спинтроники на их основе / О. С.Трушин, В.В.Наумов, В. Ф.Бочкарев, А. С.Рудый, А. В.Метлицкая, А. А.Орликовский // Интеграл. 2011. № 4. С. 9-13.
  23. Aminpour, M. Effect of misfit dislocation on surface diffusion / M. Aminpour, O. Trushin, T. Rahman // Phys. Rev. B. 2011. V.84. 035455.
  24. Цуканов, А. В. Сверхпроводящие резонаторы и зарядовые кубиты: спектроскопия и квантовые операции. Часть II. / А.В.Цуканов // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 1. С. 11-20.
  25. Tsukanov, A.V. SUPERCONDUCTING CAVITIES AND CHARGE QUBITS: SPECTROSCOPY AND QUANTUM OPERATIONS. PART II / A.V.Tsukanov // Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 1. С. 8-16.
  26. Цуканов, А. В. Наноэлектромеханические системы и обработка квантовой информации / А.В.Цуканов // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 4. С. 274-287.
  27. Tsukanov, A.V. NANOELECTROMECHANICAL SYSTEMS AND QUANTUM INFORMATION PROCESSING / A.V.Tsukanov // Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 4. С. 254-267.
  28. Цуканов, А.В. ОПТОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ И КВАНТОВАЯ ИНФОРМАТИКА / А.В.Цуканов // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 5. С. 359-369.
  29. Tsukanov, A.V. OPTOMECHANICAL SYSTEMS AND QUANTUM COMPUTING / A.V.Tsukanov // Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 5. С. 333-342.
  30. Чуев, М.А. О механизме температурной эволюции «симметричной» магнитной сверхтонкой структуры мессбауэровских спектров магнитных наночастиц квадрупольному дублету линий / М.А.Чуев // Письма в ЖЭТФ. 2011.Т.94. Вып.4. С.312-317.
  31. Chuev, M.A. ON THE MECHANISM OF THE TEMPERATURE EVOLUTION OF THE SYMMETRIC MAGNETIC HYPERFINE STRUCTURE OF MoSSBAUER SPECTRA OF MAGNETIC NANOPARTICLES TO THE QUADRUPOLE DOUBLET OF LINES / M.A.Chuev // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V. 94. № 4. P. 288-293.
  32. Chuev, M.A. Multi-level relaxation model for describing the Mossbauer spectra of single-domain particles in the presence of quadrupolar hyperfine interaction / M.A.Chuev // J. Phys.: Condens. Matter 2011. V.23. No.426003 (11pp).
  33. Чуев, М.А. Эффективный метод анализа сверхтонкой структуры гамма-резонансных спектров с использованием профиля Фойта / М.А.Чуев // Доклады АН. 2011. Т.438. Вып.6. С.747-751.
  34. Chuev, M.A. AN EFFICIENT METHOD OF ANALYSIS OF THE HYPERFINE STRUCTURE OF GAMMA-RESONANCE SPECTRA USING THE VOIGT PROFILE / M.A.Chuev // Doklady Physics. 2011. Т. 56. № 6. С. 318-322.
  35. Чуев, М.А. Магнитная динамика наночастиц в слабом магнитном поле и ее проявление на кривых намагничивания и в мессбауэровских спектрах / М.А.Чуев, Н.П.Аксенова, И.Н.Мищенко, М.А.Поликарпов, В.М.Черепанов // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199c. – ISBN 0868-7129. -С.155-196.

Pages: 1 2 3 4

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.