Совместно с Раменским приборостроительным КБ и ОАО «Инерциальные Технологии «Технокомплекса» проведены обширные исследования по разработке конструкции, технологии изготовления микрогироскопа на основе МЭМС технологии для современныхПодробнее
Выполнены исследования в области разработки конструкции, математического моделирования и технологии изготовления изделий микросистемной техники. Разработаны маршруты изготовления на основе технологии формирования микроструктур с использованием плазмохимическогоПодробнее
Проведены исследования глубокого анизотропного травления Si в циклическом, двухстадийном процессе в плазме SF6/C4F8 ВЧИ разряда (Bosch-процесс) для получения высокоаспектных микроструктур. Создан программный комплекс моделирования формированияПодробнее
Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения Подробнее
Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средстваПодробнее
На основе разработанных методов и средств диагностики in situ плазменных технологических процессов развиты методы контроля параметров анизотропного травления и плазмостимулированного осаждения, которые позволяют обеспечить надежностьПодробнее
Разработан источник быстрых атомарных и молекулярных нейтральных частиц. Источник работает с инертными и химически активными газами; степень нейтральности формируемых пучков – до 100 %, диапазонПодробнее
Патент на изобретение RU 2717157 C2 « Способ изготовления туннельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки » Авторы: Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., ЛукичевПодробнее
Патент на изобретение RU 2691758 C1 «Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление» Авторы: Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., РуденкоПодробнее
Патент на изобретение RU №2468465 C2 «Источник быстрых нейтральных частиц». Авторы: Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П., Кудря В.П. Патентообладатель: ФГБУН Физико-технологический институт Российской академииПодробнее