Установка для измерения электрических параметров микро- и наноэлектронных структур методами I-V, C-V – метрии Keithley 4200-SCS (USA) и зондовая станция Micromanipulator 7000 (USA).
Спектральный эллипсометр M 2000X(Woolam Co., USA) для измерения оптических характеристик и толщин слоев многослойных микроэлектронных структур с точностью 0.1 нм, спектральныйдиапазон 245 – 1000 нм.
Вибрационный магнитометр LakeShore позволяет проводить измерения намагниченности образцов
