Ольга

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники

Программа семинара 23 июня 2026 г. в 15-00

  1. Статья «Thermally Stable HfO2-Based Ferroelectric Transistors for CMOS-Compatible Energy-Efficient Neuromorphic Integrated Circuits» (Перевод: «Термостабильные сегнетоэлектрические транзисторы на основе HfO2 для энергоэффективных нейроморфных интегральных схем, совместимых с КМОП-технологией») авторы Тихоненко Ф.В., Тарков М.С., Попов В.П., Мяконьких А.В., Руденко К.В. для опубликования в открытой печати в журнале «Nanomaterials» издательства «MDPI» (Швейцария). Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Руденко Константин Васильевич, ОФТИ, Москва.
  2. Статья «Подходы к инжинирингу дефектов в оксидных мемристорах» авторы Исаев А. Г., Рогожин А. Е. для опубликования в открытой печати в журнале «Микроэлектроника» издательства «МАИК-Наука». Работа выполнена в рамках гранта РНФ №25-19-90201. Докладчик Исаев Александр Геннадьевич, ОФТИ, Москва.
  3. Статья «Модель пятен и семантическая модель системы нейронной сети» автор Симонов Н.А. для опубликования в открытой печати в журнале «Микроэлектроника» издательства «МАИК-Наука». Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Симонов Николай Анатольевич, ОФТИ, Москва.
  4. Статья «Метод компенсации накопленных инверсий после этапа трассировки на ПЛИС» авторы Чистяков А.Ю., Заплетина М.А. для опубликования в открытой печати в журнале «Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета» издательства Рязанского государственного радиотехнического университета. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Чистяков Александр Юрьевич, ОППМ.
  5. Статья «Разработка программного модуля конфигурирования и генерации библиотек сложно-функциональных блоков для САПР X-CAD» авторы Галлямов Р.И., Тиунов И.В., Гаврилов С.В. для опубликования в открытой печати в журнале «Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника» издательства АО «НИИМЭ» (Научно-исследовательский институт молекулярной электроники). Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Тиунов Иван Викторович, ОППМ.
  6. Статья «Структурированный базовый матричный кристалл: классификация, архитектура и особенности проектирования» авторы Бондаренко С.Ю., Гаврилов С.В. для опубликования в открытой печати в журнале «Информационные технологии» издательства «Новые технологии». Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Бондаренко Сергей Юрьевич, ОППМ.
  7. Статья «Алгоритм обратного распространения ошибки в парадигме потока данных» авторы Змеев Д.Н., Левченко Н.Н., Климов А.В. для опубликования в открытой печати в журнале «Программные системы: теория и приложения» издательства Института программных систем им. А.К. Айламазяна РАН. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Змеев Дмитрий Николаевич, ОППМ.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники

Программа семинара 27 мая 2026 г. в 15-00

  1. Статья «Trion-mediated quantum operations on a double-dot charge qubit» автора Tsukanov А.V. (Перевод: “Квантовые операции на зарядовом кубите с трионным управлением”, Цуканов А. В.) для опубликования в открытой печати в журнале «Physical Review A» издательства «American Physical Society». Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.2. Цуканов Александр Викторович, ОФТИ, Москва.
  2. Статья «Математическое моделирование погрешности векторно-матричного умножения в мемристорном кроссбаре с архитектурой 2D1M», авторы Токарев А. А., Хорин И. А., для опубликования в открытой печати в журнале «Микроэлектроника» издательства МАИК НАУКА. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1.  Токарев Арсений Андреевич, МИРЭА, Москва.
  3. Статья «Silicon-on-Sapphire Pseudo-FeFETs after Rapid Thermal Annealings», авторы Antonov V., Popov V., Miakonkikh A., Rudenko K. (перевод «Псевдо-FeFET-транзисторы на структурах кремний-на-сапфире после быстрых термических отжигов», авторы Антонов В., Попов В., Мяконьких А., Руденко К.), для опубликования в открытой печати в журнале «IEEE Xplore» издательства «IEEE Computer Society» в спецвыпуске по итогам конференции IEEE 27th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), June 27 – July 1, 2026, Altai Republic, Russia (Международная конференция молодых специалистов в области электронных устройств и материалов (EDM), 27 июня – 1 июля 2026 г., Республика Алтай, Россия). Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Мяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва.
  4. Тезисы доклада ” Однородность по пластине плазменных процессов в ИСП установке”, авторы Кузьменко В. О., Халилуллин Р. Р., Мяконьких А. В., для опубликования в открытой печати в виде тезисов в трудах 8-й Школы молодых учёных «Микроэлектроника 2026», г Сочи, Россия, 21 – 29 сентября 2026 г. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Кузьменко Виталий Олегович, ОФТИ, Москва.
  5. Тезисы доклада ” Атомно-слоевой процесс травления оксида гафния селективно к кремнию” авторы Мельников А.Е., Кузьменко В. О., Мяконьких А. В., для опубликования в открытой печати в виде тезисов в трудах 8-й Школы молодых учёных «Микроэлектроника 2026», г Сочи, Россия, 21 – 29 сентября 2026 г. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Мельников Александр Евгеньевич, ОФТИ, Москва.
  6. Тезисы доклада “Оптимизация энергетического спектра ионов в низкоэнергетическом плазменном травлении для микроэлектронных применений” авторы Халилуллин Р. Р., Кузьменко В. О., Мяконьких А. В., для опубликования в открытой печати в виде тезисов в трудах 8-й Школы молодых учёных «Микроэлектроника 2026», г Сочи, Россия, 21 – 29 сентября 2026 г. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Халилуллин Рамис Ринатович, ОФТИ, Москва.
  7. Тезисы доклада ” Влияние диэлектрического слоя SiO2 на точность формирования структуры кроссбара мемристоров при электронно-лучевой литографии” авторы Фетисенкова К. А., Татаринцев А. А., Рогожин А. Е., Иешкин А.Е., Буруто М.Д., для опубликования в открытой печати в виде тезисов в трудах 8-й Школы молодых учёных «Микроэлектроника 2026», г Сочи, Россия, 21 – 29 сентября 2026 г. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Фетисенкова Ксения Алексеевна, ОФТИ, Москва.
  8. Статья «Перспективные материалы и структуры полевых транзисторов», авторы Резнюков А. Ю., Рогожин А.Е., для опубликования в открытой печати в журнале «Микроэлектроника» издательства «МАИК НАУКА». Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1.   Резнюков Алексей Юрьевич, ОФТИ, Москва.

On:
In: News

Памяти Богдановой Надежды Александровны

Отделение Физико‑технологических исследований имени К.А. Валиева НИЦ «Курчатовский институт» с глубокой скорбью сообщает, что 22 мая 2026 года после продолжительной болезни ушла из жизни Богданова Надежда Александровна, кандидат физико‑математических наук, доцент, ведущий научный сотрудник лаборатории математического моделирования наноструктур Отделения ФТИ им. К.А. Валиева.

Надежда Александровна родилась в 1963 году, окончила физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова по специальности «Теоретическая и математическая физика» в 1986 году. В 1990 году она успешно защитила кандидатскую диссертацию, а с 1994 года связала свою профессиональную судьбу с ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.

 

В стенах нашего института Надежда Александровна проявила себя как блестящий учёный и педагог, чьи исследования внесли весомый вклад в развитие отечественной науки:

  • разрабатывала математические модели для описания электронных процессов в наноструктурах;
  • участвовала в проектах по моделированию квантовых точек и низкоразмерных систем;
  • создавала численные методы для решения задач квантовой механики в приложении к наноэлектронике;
  • руководила студенческими и аспирантскими работами в рамках совместных программ с НИУ МИЭТ и МФТИ.

Её преподавательская деятельность была тесно связана с подготовкой молодых кадров для института:

  • проводила спецкурсы по математическому моделированию в нанотехнологиях для аспирантов ФТИАН им. К.А. Валиева РАН;
  • курировала научно‑исследовательские работы студентов‑практикантов;
  • выступала научным консультантом ряда кандидатских диссертаций.

Профессиональные заслуги Надежды Александровны получили широкое признание:

  • в феврале 2025 года стала финалистом Всероссийского конкурса «Знание. Лектор – 2025» от Российского общества «Знание»;
  • осенью 2025 года была удостоена звания победителя Всероссийского конкурса «Золотые Имена Высшей школы»;

Коллеги запомнят Надежду Александровну как человека исключительной порядочности, глубокой эрудиции и душевной щедрости. Её умение просто объяснять сложные вещи, готовность помочь молодым исследователям и неиссякаемый оптимизм создавали в коллективе особую атмосферу научного поиска и взаимоподдержки.

Выражаем искренние соболезнования родным и близким Надежды Александровны. Её уход — тяжёлая утрата для всего научного сообщества. Память о ней навсегда останется в истории ФТИАН и в сердцах тех, кто имел счастье работать и общаться с ней.

Прощание с Надеждой Александровной состоится 26 мая 2026 года в 11.15 по адресу: г. Зеленоград, Никольский пр-д, 1, стр. 1

 

От имени коллектива Отделения ФТИ им. К.А. Валиева НИЦ «Курчатовский институт»

Руководитель Отделения, член‑корреспондент РАН                                                                                           Лукичев В.Ф.

Коллеги и друзья

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

Программа семинара 12 мая 2026 г. в 15-00

  1. Статья ” Формирование одноэлектронных структур окислением легированного бором кремния” авторы С. А. Панкратов, Д. Д. Кусакина, В. В. Шорохов, А. В. Мяконьких, А. Е. Рогожин, В. А. Крупенин, Д. Е. Преснов для опубликования в журнале «Вестник Московского Университета. Серия 3. Физика. Астрономия» издательства «Издательство Московского университета». Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Мяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва.
  2. Статья «Mechanisms determining uniformity across the wafer in low-energy plasma etching for microelectronic applications: ion energy distribution function and edge effects» авторы R. R. Khalilullin, V. O. Kuzmenko, A.V. Miakonkikh (перевод «Механизмы, определяющие однородность пластине при низкоэнергетическом плазменном травлении для микроэлектронных применений: функция распределения энергии ионов и краевые эффекты» Авторы: Р. Р. Халилуллин, В. О. Кузьменко, А. В. Мяконьких) для опубликования в журнале «Physics of Plasmas» издательства «AIP Publishing». Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Мяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва.
  3. Статья «Low-temperature etching of porous organosilicate dielectric in dibromotetrafluoroethane plasma» авторов A.A. Rezvanov, A.V. Miakonkikh, A.S. Vishnevskiy, V.O. Kuzmenko, R.A. Gaidukasov, A.A. Reznik, K.V. Rudenko, K.A. Vorotilov, M.R. Baklanov (перевод «Низкотемпературное травление пористого органосиликатного диэлектрика в плазме дибромтетрафторэтана» авторы А.А. Резванов, А.В. Мяконьких, А.С. Вишневский, В.О. Кузьменко, Р.А. Гайдукасов, А.А. Резник, К.В. Руденко, К.А. Воротилов, М.Р. Бакланов) для опубликования в журнале «Plasma chemistry and plasma processing» издательства «Springer Nature». Работа выполнена в рамках гранта РНФ №23-79-30016. Мяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва.

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

30 апреля в 13:00 состоится семинар

Элементы линейно-оптических квантовых вычислений на основе интегрально-оптических чипов

Докладчик: Николай Скрябин, научный сотрудник.
Кафедра квантовой электроники, Физический факультет и Центр квантовых технологий МГУ имени М.В. Ломоносова

по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Специальность: 1.3.19. Лазерная физика

 

Аннотация:
Диссертационное исследование посвящено разработке и характеризации элементов линейно-оптических квантовых вычислений на основе интегрально-оптических чипов, созданных с помощью технологии фемтосекундной лазерной записи. Актуальность темы обусловлена необходимостью перехода фотонных квантовых вычислений с объемной оптики на твердотельную интегрально-оптическую платформу. В ходе работ были разработаны двухкубитные чипы на основе кварцевого стекла и продемонстрированы эксперименты на их основе в квантовом режиме с одиночными фотонами, а также разработаны различные светоделители в кристалле. Дополнительно была предложена архитектура интерферометра на основе решетки волноводов и теоретически проанализированы её возможности. Полученные результаты могут быть использованы для разработки малокубитных линейно-оптических квантовых вычислителей.

Автореферат и диссертацию можно скачать по ссылке: https://dissovet.msu.ru/dissertation/3868

Ссылка на онлайн форму для оформления пропуска: https://forms.gle/5uLAmUZJfm3V7iZM7

Ссылка на видеовстречу: https://telemost.yandex.ru/j/19424031726165

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Во вторник 02 июня в 15-00 состоится очно-заочный семинар. Очная часть пройдет в к. 602. 
 
Докладчик: Гусев Михаил Рубенович (НИЦ “Курчатовский институт” – НИИСИ)
 
“Исследование и разработка программных методов создания компактных моделей элементов СБИС с учетом статистических отклонений технологического процесса”
 
по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
Специальность: 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств.

 

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники

Программа семинара 21 апреля 2026 г.

  1. Тезисы доклада “Формирование дефектов в пленках оксида гафния для мемристорных кроссбар-массивов высокой плотности” авторы Исаев А. Г., Мяконьких А. В., Рогожин А. Е.,для опубликования в открытой печати в виде тезисов в трудах 8-й Школы молодых учёных «Микроэлектроника 2026», г Сочи, Россия, 21 – 29 сентября 2026 г. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Исаев Александр Геннадьевич, ОФТИ, Москва.
  2. Статья “Параметры плазмы и концентрации атомов фтора в смеси SF6 + He + O2: влияние соотношения компонентов, давления и вкладываемой мощности” авторы  Мяконьких  А. В., Кузьменко  В. О., Ефремов А. М., Руденко К. В.   для опубликования в журнале “Микроэлектроника” издательства   МАИК НАУКА. Работа выполнена за счет гранта Российского научного фонда №24-69-00039, https://rscf.ru/project/24-69-00039/.   Мяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва.
  3. Тезисы доклада “Энергоэффективность элементной базы для реализации систем искусственного интеллекта” авторы Руденко К.В., Мяконьких А.В., Попов В.П. для опубликования в открытой печати в виде тезисов в трудах 36-ой Международной конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» КрыМиКо’2026,06-12 сентября 2026 г. Севастополь, Россия.  Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1.  Руденко Константин Васильевич, ОФТИ, Москва.

On:
In: Competitions, grants, scholarships, News

Начался прием заявок на соискание премий Правительства Москвы молодым ученым за 2026 год. Премия доступна молодым учёным из столичных организаций: аспирантам, научным работникам, специалистам и кандидатам наук, не достигшим (по состоянию на 31.12.2026 года) возраста 36 лет, и докторам наук до 40 лет включительно. Заявку можно подать индивидуально или в составе группы до 3 человек. С подробной информаций о Конкурсе можно ознакомиться на официальном сайте по ссылке https://nauka.mos.ru/. Информацию о наличии соискателей необходимо передать зам. руководителя Отделения ФТИ им. К.А. Валиева Хорину И.А. до 5 мая 2026 года с целью согласования и передачи в установленном порядке. Полный комплект документов согласованных кандидатов должен быть подготовлен в срок 20 мая 2026 года.

On:
In: Competitions, grants, scholarships, News

Совет при Президенте Российской Федерации по науке и образованию начинает приём документов на соискание премии Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых учёных за 2026 год. Премия доступна молодым учёным в возрасте до 35 лет: научным работникам, специалистам, аспирантам и докторантам. С подробной информаций о Премии Президента РФ можно ознакомиться на официальном сайте по ссылке https://grant.rscf.ru/awards/. Информацию о наличии соискателей необходимо передать зам. руководителя Отделения ФТИ им. К.А. Валиева Хорину И.А. до 31 мая 2026 года с целью согласования и передачи в установленном порядке. Полный комплект документов согласованных кандидатов должен быть подготовлен в срок 1 августа 2026 года.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники

Программа семинара 07 апреля 2026 г. в 14-00 (время изменено)

12. Статья «Обзор методов атомно-слоевого травления для создания устройств микроэлектроники» авторы Кузьменко В. О., Халилуллин Р. Р. для опубликования в журнале “Микроэлектроника” издательства МАИК НАУКА. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Халилуллин Рамис Ринатович, ОФТИ, Москва.

23. Статья «Обратимость резистивных переключений в мемристорах филаментарного типа в отсутствии фазового перехода» авторы А.В. Фадеев, К.В. Руденко для опубликования в журнале “Микроэлектроника” издательства МАИК НАУКА. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Фадеев Алексей Владимирович, ОФТИ, Москва.

24. Статья «Тонкие пленки NbNx для сверхпроводниковых микроволновых устройств» авторы Ломов А.А., Щербачев К.Д., Татаринцев А.А., Чекушкин А.М., Ломоносов А.А., Тарасов М.А. для опубликования в журнале “Микроэлектроника” издательства МАИК НАУКА. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Ломов Андрей Александрович, ОФТИ, Москва.

25. Статья «Сверхпроводящие пленки NbNx для резонаторов и параметрических усилителей» авторов А. А. Ломоносов, Д. С. Жогов, М. В. Стрелков, Н. Н. Котова, Р. К. Козулин, А. А. Гунбина, К. Д. Щербачев, А. М. Чекушкин, А. А. Татаринцев, А. Л. Васильев, А. А. Ломов, М. А. Тарасов для опубликования в открытой печати в виде статьи в «Журнале Технической Физики (ЖТФ)» издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. Работа выполнена в рамках Государственного задания НИЦ “Курчатовский институт”, тема 3Ф-ФТИАН.1. Ломов Андрей Александрович, ОФТИ, Москва.

26. Тезисы доклада «Криогенное плазменное травление кремния для создания элементов рентгеновской оптики» авторов МяконькихА.В., Юнкин В.А., Руденко К.В. для опубликования в виде тезисов в в материалах научного мероприятия Балтийский воркшоп «Когерентная рентгеновская оптика для установок Мегасайенс: 30 лет спустя, перспективы развития», 19-22 мая 2026 года, Калининград, Россия. Работа выполнена за счет гранта Российского научного фонда №24-69-00039, https://rscf.ru/project/24-69-00039/. Мяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва.