Patents

Патент на изобретение RU 2796239 C9 «Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление» Аверкин С.Н., Кузьменко В.О., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., РуденкоПодробнее

Патент на изобретение RU 2790304 C1 “Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения” Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е.,Подробнее

Патент на изобретение RU 2787544 C1 «Пролетный диод с распределенной индуктивной компенсацией емкости для генерации излучения в терагерцовом диапазоне» Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В.,Подробнее

Патент на изобретение RU 2785367 C1 «ВЧ-источник плазмы с планарным индуктором для обработки полупроводниковых пластин диаметром до 600 мм» Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф.,Подробнее

Патент на изобретение RU 2771009 C1 «Способ и устройство для повышения латеральной однородности и плотности низкотемпературной плазмы в широкоапертурных технологических реакторах микроэлектроники» Аверкин С.Н., АнтиповПодробнее

Патент на изобретение RU 2769536 C1 «Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти» Мордвинцев В.М., Горлачев Е.С., Кудрявцев С.Е. Приоритет от 28 декабря 2020 г. ЗарегистрированоПодробнее

Патент на изобретение RU 2376677 C2 «Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой» Орликовский А.А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д. Приоритет отПодробнее