Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA
Авторы: Руденко К.В., Вьюрков В.В., Рогожин А.Е., Мяконьких А.В., Татаринцев А.А. Разработана технология наноразмерных кремниевых Fin-структур и нанопроводов с критическим размером менее 10 нм. ТехнологияПодробнее