2016

  1. Загорский, Д.Л. Изучение двухкомпонентных металлических нанопроволок, синтезированных в порах трековых мембран. / Загорский Д.Л., Фролов К.В., Коротков В.В., Бедин С.А., Кругликов С.С., Хмеленин Д.Н., Перунов И.В., Чуев М.А., Мищенко И.Н. // Труды XXVI международной конференции «Радиационная физика твёрдого тела», Севастополь, 4-9 июля 2016. – C. 442–452.
  2. Зимин, С.П. Особенности роста наноструктур по механизму «пар-жидкость-кристалл» на поверхности пленок SnS при плазменной обработке. / Зимин С.П., Горлачев Е.С., Мокров Д.А., Амиров И.И., Гременок В.Ф., Иванов В.А. // 5-ая Международная научно-техническая конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике». Труды конференции. (13-15 апреля 2016 г.) Москва, Россия, 2016, с. 125.
  3. Клементе, И.Э. ПРИМЕНЕНИЕ АДСОРБЦИОННОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКОЙ ПОРОМЕТРИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕГРАДАЦИИ ПОРИСТЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ ВО ВРЕМЯ ТРАВЛЕНИЯ / Клементе И.Э., Мяконьких А.В. // Труды конференции–конкурса молодых физиков. 2 марта 2016г. Москва. – Изд-во: ООО Издательский дом МФО Т. 22. № 1S. С. 123-124.
  4. Ломов, А.А. Рентген дифракционные исследования реальной структуры перекристаллизованных областей кремния, полученных методом термомиграции. / А.А.Ломов, В.Н.Лозовский, Б.М.Середин, Ю.М. Чесноков // Сб.мат.8-го международного научного семинара и 6-ой международной молодежной научной школы–семинара «Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики». – Великий Новгород, 22 июня – 02 июля, 2016. – С.135-138.
  5. Ломов, А.А. Структурные исследования гелиевых пор-пузырей в приповерхностных слоях кремния после плазменно-иммерсионной ионной имплантации. / Ломов А.А., Чесноков Ю.М., Орешко А.П. // Труды XXVI Международной конференции «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 4-9 июля 2016. – C. 94-101.
  6. Маишев, Ю.П. Установка для обработки материалов пучком быстрых нейтральных частиц / Маишев Ю.П., Шевчук С.Л. // Мат. XI Международной научно-технической конференции Вакуумная техника, материалы и технология . – Москва, 2016, 12-14 апреля) (6 стр.).
  7. Маковийчук, М.И. Методические и технологические особенности изготовления фликкер-шумовых биохимических МЭМС сенсоров. / Маковийчук М.И. // Материалы 46-ого Международного научно-методического семинара Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, НИУ «МЭИ», 2016. – С. 66 – 71.
  8. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовые биохимические мультисенсорные системы. / Маковийчук М.И. // Тезисы докладов XXVIII Симпозиума «Современная химическая физика» (19 -30 сентября 2016г., г. Туапсе). – М.: «Парк – медиа», 2016. – С.89.
  9. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовые биохимические МЭМС сенсоры / Маковийчук М.И. // Proceed. Seventh Int. Workshop “Relaxed, Nonlinear and Acoustic Optical Processes and Materials”– RNAOPM-20146. (June 1 – 4, 2016, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2016. – P.214 – 216.
  10. Махвиладзе, Т.М. Механизмы электромиграционной неустойчивости проводящих элементов кремниевой электроники / Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев. // Тезисы докладов XI Конф. «Кремний – 2016», Новосибирск, 12-15 сентября 2016. Институт Физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, 2016, С. 106 (пленарный).
  11. Махвиладзе, Т.М. Области неустойчивости формы границ соединения проводящих тонкоплёночных материалов в условиях токовой нагрузки / Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев. // Тезисы докладов XI Конф. «Кремний – 2016», Новосибирск, 12-15 сентября 2016. Институт Физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, 2016, С. 124.
  12. Мищенко, И.Н. Квантовая модель магнитной динамики однодоменных частиц для описания кривых намагничивания и мёссбауэровских спектров магнитных наноматериалов в слабом магнитном поле. / И.Н. Мищенко, М.А. Чуев. // Сборник тезисов L Школы ПИЯФ по физике конденсированного состояния (ФКС–2016). 14–19.03.2016. Санкт-Петербург. С. 186.
  13. Мищенко, И.Н. Развитие многоуровневых моделей магнитной динамики однодоменных частиц для описания кривых намагничивания и мёссбауэровских спектров магнитных наноматериалов. (По материалам кандидатской диссертации.) / Мищенко И.Н. // Московский объединённый семинар по мёссбауэровской спектроскопии. Москва. 16.06.2016.
  14. Мищенко, И.Н. Развитие многоуровневых моделей магнитной динамики однодоменных частиц для описания кривых намагничивания и мёссбауэровских спектров магнитных наноматериалов. (По материалам кандидатской диссертации.) / Мищенко, И.Н. // Научный семинар Физико-технологического института РАН. Москва. 28.06.2016.
  15. Морозов, О.В. Мониторинг процесса глубокого реактивного ионного травления методом лазерной интерферометрии. / Морозов О.В., Морозов А.О., Амиров И.И. // 5-ая Международная научно-техническая конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике». Труды конференции. (13-15 апреля 2016 г.) Москва, Россия, с. 84.
  16. Мяконьких, А. Криогенное травление кремния для изготовления элементов рентгеновской оптики /А. Мяконьких, А. Рогожин, К. Руденко, В. Лукичев, В. Юнкин, С. Кузнецов, И. Снигирева, А. Снигирев // Сборник тезисов. Конференция «Рентгеновская оптика – 2016» Черноголовка, 26-29 сентября 2016 г. – С.53.
  17. Овчаров, В.В. Волны переключения температуры в кремниевой пластине при нагреве в ламповом реакторе / Овчаров В.В., Рудаков В.И., Пригара В.П., Куреня А.Л. // Труды XXVI Международной конференции «Радиационная физика твердого тела», Севастополь 4-9 июля 2016 г. ./Ред. Г.Г. Бондаренко. С. 283-292.
  18. Привезенцев, В.В. Влияние имплантации ионов Zn+ на процесс зарядки сапфира электронным пучком. / Э.И. Рау, А.А. Татаринцев, В.В. Привезенцев. // Мат.VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Нижний Новгород, 24-27 октября 2016 г.) НИНГУ.- С. 142.
  19. Привезенцев, В.В. ИСЛЕДОВАНИЕ С ПОМОЩЬЮ ПЭМ И СПЭМ МОДИФИКАЦИИ НАНОЧАСТИЦ В КВАРЦЕ, ИМПЛАНТИРОВАННОМ ЦИНКОМ, ПУТЕМ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ 132XE26+. / В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, В.В. Затекин, А.Н. Шемухин, А.Ю. Трифонов, О.А. Сахаров. // Тез.докл. XXVI Российская конференция по электронной микроскопии (Техноюнити – РКЭМ 2016). 30 мая-3 июня 2016 года, г.Зеленоград. C. 222.
  20. Привезенцев, В.В. Исследование структуры SiO2/Si, последовательно имплантированной ионами 64Zn+ и 16О+ и термообработанной в нейтральной среде / В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, В.В. Затекин, В.И. Зиненко, Ю.Н. Агафонов, В.К. Егоров, Э.А. Штейнман, А.Н. Терещенко, К.Д. Щербачев. // 46 Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (PCI-2016). Москва, 31мая -2 июня 2016г. Тез.докл. М., МГУ, НИИЯФ. С.146.
  21. Привезенцев, В.В. Кварц, имплантированный цинком и облученный быстрыми ионами ксенона: модификация поверхности и оптические свойства. / В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, В.В. Затекин, А.А. Шемухин, А.Ю. Дидык, В.А. Скуратов, Э.А. Штейнман, А.Н. Терещенко, Н.Н. Колесников, А.Ю. Трифонов, O.A. Сахаров, К.Д. Щербачев. // Мат. VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Нижний Новгород, 24-27 октября 2016 г.) НИНГУ.- С. 35.
  22. Привезенцев, В.В. Модификация имплантированного цинком кремния путем облучения быстрыми ионами ксенона (объединённый доклад, 20 мин) / В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, В.В. Затекин, А.Ю. Дидык, В.А. Скуратов, Н.Ю. Табачкова, К.Б. Эйдельман. // 46 Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (PCI-2016). Москва, 31мая -2 июня 2016г. Тез.докл. М., МГУ, НИИЯФ., С. 145.
  23. Привезенцев, В.В. Оптические свойства кварца, последовательно имплантированного цинком и фтором. / Привезенцев В.В., Плотниченко В.Г., Колташев В.В., Штейнман Э.А., Терещенко А.Н., Колесников Н.Н. // Сб. тезисов Первого Российского кристаллографического Конгресса. Москва, 21-26 ноября 2016 г. – С. 318. — М1-П11.
  24. Пригара, В.П. Критические параметры лампового отжига в мощном потоке некогерентного излучения / Пригара В.П., Овчаров В.В., Рудаков В.И. // Труды XXVI Международной конференции «Радиационная физика твердого тела», Севастополь 4-9 июля 2016 г./Ред. Г.Г. Бондаренко. С. 293-301.
  25. Соколов, В.Н. КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ АСМ-ИЗОБРАЖЕНИЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ ЦИНКА И ОКИСЛЕННОГО ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ. / В.Н. Соколов, О.В. Разгулина, В.В. Привезенцев,С.В. Ксенич. // Тез.докл. XXVI Российская конференция по электронной микроскопии (Техноюнити – РКЭМ 2016). 30 мая-3 июня 2016 года, г.Зеленоград. С. 558.
  26. Татаринцев, А.А. Зарядовые характеристики сапфира, имплантированного цинком. / Татаринцев А.А., Рау Э.И., Привезенцев В.В. // Сб. тезисов Первого Российского кристаллографического Конгресса. Москва, 21-26 ноября 2016 г. – С. 184. — С2-П71.
  27. Уваров, И.В. Анализ изготовления чувствительного элемента микроакселерометра. / Уваров И.В., Морозов О.В., Изюмов М.О., Лемехов С.С., Козлов А.Н., Амиров И.И. // 5-ая Международная научно-техническая конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике». Труды конференции. (13-15 апреля 2016 г.) Москва, Россия, 2016, с. 217.
  28. Уваров, И.В. Бистабильный МЭМС-переключатель с механизмом активного размыкания электродов. / Уваров И.В., Наумов В.В., Королева О.М., Ваганова Е.И., Амиров И.И. // 5-ая Международная научно-техническая конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике». Труды конференции. (13-15 апреля 2016 г.) Москва, Россия, 2016, с. 139.
  29. Шишаков, А.И. Аппаратная функция в рентгеновской дифракции наночастиц. / А.И. Шишаков, И.Н. Мищенко, М.А. Чуев // Материалы конференции «Рентгеновская оптика». г. Черноголовка, 26-29 сентября 2016. – С.100

Патенты, авторские свидетельства:

  1. Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения изолирующих диэлектрических покрытий на гетероструктурах нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов». / Заявка на изобретение: Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е, Руденко К.В., Семин Ю.Ф. // Рег. № 2016125312 от 24.06.2016.
  2. Адсорбционно-резистивный газовый сенсор. – Гасенкова И.В., Лукичев В.Ф., Мухаров Н.И., Мяконьких А.В., Руденко К.В. – Патент на полезную модель № 165023. – Заявка № 2016108042/28 от 09.03.2016. – Зарегистрирован в ГРИ РФ 095.09.2016. Опубл.27.09.2016, Бюлл.№ 27.
  3. Элемент энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти. Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е. // Заявка № 2016111237 от марта 2016г. на патент РФ

Pages: 1 2 3 4 5 6 7

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.