Патенты

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2817337 C1

«Квантовый регистр на пространственных состояниях электронов в полупроводниковых двойных квантовых точках»

Вьюрков В. В., Дрожжин Д. А., Лукичев В. Ф., Рогожин А. Е., Руденко К. В., Руденко М. К., Свинцов Д. А., Семин Ю. Ф., Федичкин Л. Е., Филиппов С. Н.

Приоритет от 04 июля 2023 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 15.04.2024

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2657096 C2

«Способ формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости»

Рудый А. С., Бердников А. Е., Гусев В. Н., Попов А. А., Черномордик В. Д., Изюмов М. О.

Приоритет от 07 июня 2016 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 08.06.2018

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2796239 C9

«Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление»

Аверкин С.Н., Кузьменко В.О., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 17 ноября 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.05.2023

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2790304 C1

“Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения”

Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.

Приоритет от 07 июня 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 16.02.2023

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2787544 C1

«Пролетный диод с распределенной индуктивной компенсацией емкости для генерации излучения в терагерцовом диапазоне»

Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.

Приоритет от 07 июня 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 10.01.2023

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2785367 C1

«ВЧ-источник плазмы с планарным индуктором для обработки полупроводниковых пластин диаметром до 600 мм»

Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 07 апреля 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 06.12.2022

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2771009 C1

«Способ и устройство для повышения латеральной однородности и плотности низкотемпературной плазмы в широкоапертурных технологических реакторах микроэлектроники»

Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 01 июня 2021 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 25.04.2022

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2376677 C2

«Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой»

Орликовский А.А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д.

Приоритет от 23 июля 2007 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 20 декабря 2009 г.