Патент на изобретение RU 2376677 C2
«Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой»
Орликовский А.А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д.
Приоритет от 23 июля 2007 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 20 декабря 2009 г.