Патент на изобретение RU 2790304 C1
“Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения”
Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.
Приоритет от 07 июня 2022 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 16.02.2023
Патент на изобретение RU 2787544 C1
«Пролетный диод с распределенной индуктивной компенсацией емкости для генерации излучения в терагерцовом диапазоне»
Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.
Приоритет от 07 июня 2022 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 10.01.2023
Патент на изобретение RU 2785367 C1
«ВЧ-источник плазмы с планарным индуктором для обработки полупроводниковых пластин диаметром до 600 мм»
Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 07 апреля 2022 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 06.12.2022
Патент на изобретение RU 2771009 C1
«Способ и устройство для повышения латеральной однородности и плотности низкотемпературной плазмы в широкоапертурных технологических реакторах микроэлектроники»
Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 01 июня 2021 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 25.04.2022
Патент на изобретение RU 2769536 C1
«Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти»
Мордвинцев В.М., Горлачев Е.С., Кудрявцев С.Е.
Приоритет от 28 декабря 2020 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 01.04.2022
Патент на изобретение RU 2376677 C2
«Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой»
Орликовский А.А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д.
Приоритет от 23 июля 2007 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 20 декабря 2009 г.
Совместно с Раменским приборостроительным КБ и ОАО «Инерциальные Технологии «Технокомплекса» проведены обширные исследования по разработке конструкции, технологии изготовления микрогироскопа на основе МЭМС технологии для современных систем навигации.
Кальнов В.А., Лукичев В.Ф., Амиров И.И., Саломатин А.К., Соловьев В.М., Соловьев Ю.В. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники // Всеросс.науч-практ.конф.”Навигация, наведение и управление летательными аппаратами”. – Тез.докл., – М.-Раменское, 20-21 сент.2012. – С.78-79.
Выполнены исследования в области разработки конструкции, математического моделирования и технологии изготовления изделий микросистемной техники. Разработаны маршруты изготовления на основе технологии формирования микроструктур с использованием плазмохимического циклического процесса (травление/пассивация) кремния во фторсодержащей плазме. Изучены условия получения высокоаспектных структур в кремнии, созданы экспериментальные образцы микроакселерометров и микрогироскопов для систем навигации нового поколения.
О.В. Морозов, А.В. Постников, И.И. Амиров, В.А. Кальнов. Технология изготовления микроэлектромеханических устройств на основе изолированных областей в пластине кремния. // Материалы 16 Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» Москва. 2010. 9-11 сентября.С.205-210.
Патент на изобретение №2403647. Способ формирования электрически изолированных областей кремния в объеме кремниевой пластины. Зарегистрировано 10.10.2010.
Уваров И.В., Морозов О.В., Козин И.А., Постников А.В., Амиров И.И., Кальнов В.А. Динамические характеристики чувствительного элемента микрогироскопа с повышенным фактором демпфирования. // Микро- и наносистемная техника. 2011. №6.
Проведены исследования глубокого анизотропного травления Si в циклическом, двухстадийном процессе в плазме SF6/C4F8 ВЧИ разряда (Bosch-процесс) для получения высокоаспектных микроструктур. Создан программный комплекс моделирования формирования таких структур, который позволяет определять влияние большинства технологических параметров на получение заданного профиля травления.
Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О., Кальнов В.А., Орликовский А.А., Валиев К.А. Плазмохимическое травление глубоких канавок в кремнии с высоким аспектным отношением для создания различных элементов микромеханики. // Микросистемная техника. 2004. Т.12. С.15-18.
Амиров И.И., Алов Н.В. Формирование микроструктур на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом процессе травление/пассивация. Химия высоких энергий. 2008. Т.41.№4. С.164-168.
Шумилов А.С., Амиров И.И. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом травление/пассивация процессе // Микроэлектроника. 2007. Т.36. № 4. С. 295-305.
Шумилов С.А., Амиров И.И., Лукичев В.Ф. Моделирование эффектов формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом циклическом процессе. // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. №6. С. 428-435.
Амиров И.И., Морозов О.В., Постников А.В., Кальнов В.А., Орликовский А.А., Валиев К.А. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники. Труды ФТИАН. Квантовые компьютеры, микро-наноэлектроника. М., Наука. 2009. Т. 20. С.159-174.
Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения вертикальных ступенек при травлении через маску; отсутствие ухода размеров элементов; возможность формирования пучков ионов как инертных, так и химически активных газов; возможность управления энергией ионов в широких пределах; высокая однородность и воспроизводимость обработки; разрешающая способность, нм…< 20 (при травлении через резистивную маску с аспектным отношением 50:1); селективность травления, например, SiO2:Si 20:1.
Маишев Ю.П., Терентьев Ю.П., Шевчук С.Л. Источники ионов и ионно-лучевые технологии нанесения и травления пленочных структур для микро- и наноэлектроники. (Часть 1). «Интеграл», №5 (49). 2009. С. 10 – 12.
Маишев Ю.П., Терентьев Ю.П., Шевчук С.Л. Источники ионов и ионно-лучевые технологии нанесения и травления пленочных структур для микро- и наноэлектроники. (Часть 2). «Интеграл», №6 (50). 2009. С. 18 – 19.