Latest developments of our institute (Page 2)

Патент на изобретение RU 2796239 C9

«Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление»

Аверкин С.Н., Кузьменко В.О., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 17 ноября 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.05.2023

Патент на изобретение RU 2790304 C1

“Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения”

Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.

Приоритет от 07 июня 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 16.02.2023

Патент на изобретение RU 2787544 C1

«Пролетный диод с распределенной индуктивной компенсацией емкости для генерации излучения в терагерцовом диапазоне»

Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.

Приоритет от 07 июня 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 10.01.2023

Патент на изобретение RU 2785367 C1

«ВЧ-источник плазмы с планарным индуктором для обработки полупроводниковых пластин диаметром до 600 мм»

Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 07 апреля 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 06.12.2022

Патент на изобретение RU 2771009 C1

«Способ и устройство для повышения латеральной однородности и плотности низкотемпературной плазмы в широкоапертурных технологических реакторах микроэлектроники»

Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 01 июня 2021 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 25.04.2022