Программа для ЭВМ RU 2013617720
Программа для ЭВМ RU 2013617720
Моделирование многокубитового квантового преобразования Фурье и алгоритма Гровера, подверженных воздействию шумов
Авторы: Семенихин И.А., Богданов Ю.И.
Приоритет от 25.06.2013
Программа для ЭВМ RU 2013617720
Моделирование многокубитового квантового преобразования Фурье и алгоритма Гровера, подверженных воздействию шумов
Авторы: Семенихин И.А., Богданов Ю.И.
Приоритет от 25.06.2013
Программа для ЭВМ RU 2013617719
Расчёты полевого транзистора на основе двойного слоя графена
Авторы: Семенихин И.А., Свинцов Д.А., Вьюрков В.В.
Приоритет от 25.06.2013
Программа для ЭВМ RU 2013617718
Расчёты полевого транзистора на основе графена
Авторы: Семенихин И.А., Вьюрков В.В., Свинцов Д.А.
Приоритет от 25.06.2013
Программа для ЭВМ RU 2013617698
Трёхмерные нестационарные расчёты состояний твердотельных кубитов квантового компьютера
Авторы: Вьюрков В.В., Подливаев А.И.
Приоритет от 25.06.2013
Программа для ЭВМ RU 2013617587
Трёхмерные расчёты полевого транзистора на основе сверхтонкого слоя кремния
Авторы: Семенихин И.А., Вьюрков В.В.
Приоритет от 25.06.2013
Патент на изобретение RU 2796239 C9
«Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление»
Аверкин С.Н., Кузьменко В.О., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 17 ноября 2022 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.05.2023
Патент на изобретение RU 2790304 C1
“Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения”
Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.
Приоритет от 07 июня 2022 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 16.02.2023
Патент на изобретение RU 2787544 C1
«Пролетный диод с распределенной индуктивной компенсацией емкости для генерации излучения в терагерцовом диапазоне»
Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.
Приоритет от 07 июня 2022 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 10.01.2023
Патент на изобретение RU 2785367 C1
«ВЧ-источник плазмы с планарным индуктором для обработки полупроводниковых пластин диаметром до 600 мм»
Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 07 апреля 2022 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 06.12.2022
Патент на изобретение RU 2771009 C1
«Способ и устройство для повышения латеральной однородности и плотности низкотемпературной плазмы в широкоапертурных технологических реакторах микроэлектроники»
Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 01 июня 2021 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 25.04.2022
© 2024 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук