Установка глубокого анизотропного плазмохимического травления для создания элементов МЭМС и НЭМС

Установка плазмохимического травления

• Тип источника плазмы: плоский ICP
• Генератор: 13,56 МГц, 1 кВт
• Источник смещения: до 400 Вт (13,56 МГц)
• Диаметр пластины: 150, 200 мм
• Рабочие давления: 0,5-50 мТор
• Система подачи газов: 4 канала, 0-200 Sccm
• Газы: F-, Cl- содержащие, O₂, H₂, Ar
• Плотность плазмы: до 3*10¹² см^-3
• Температура электронов: < 4 эВ (Ar)
• Неравномерность плазмы: < 2% на ø 200 мм
• Скорость травления: до 6 мкм/мин (Si) и до 0,8 мкм/мин (SiO₂)
• Полная автоматизация процесса с управлением от персонального компьютера

Плазменное анизотропное травление кремния для изделий микромеханики