Skip to content
 Версия сайта для слабовидящих
  • Русский
  • English (US)

ФТИАН
ФТИАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение наукиОтделение физико-технологических исследований имени К.А. ВалиеваНационального исследовательского центра “Курчатовский институт”

Сайт конференции

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Primary Navigation Menu
Menu
  • Главная
  • Институт
    • Официальная информация
      • Противодействие коррупции
    • Историческая справка
    • Дирекция
    • Лаборатории
      • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов
      • Лаборатория ионно-лучевых технологий
      • Лаборатория технологии микро и наносистем
      • Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур
      • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники
      • Лаборатория физики квантовых компьютеров
      • Лаборатория архитектуры высокопроизводительных вычислительных систем
      • Лаборатория функциональных диэлектриков для микроэлектроники
      • Лаборатория технологий электронной и оптической литографии
    • Структура института
    • Приборная база
      • Современное аналитическое оборудование ФТИАН
      • Технологическое оборудование для проведения процессов литографии
      • Технологическое оборудование для создания микро- и наноэлектронных структур
    • Конкурсы на замещение вакантных должностей
    • Госзакупки
    • Документы
  • Наука
    • Основные направления исследований
    • Международное сотрудничество
    • Важнейшие результаты
    • Научные проекты и НИР
    • Публикации
    • Диссертации и ученые степени сотрудников
    • Научные мероприятия
      • Конференции
      • Семинары
    • Департамент трансфера знаний и технологий
    • Издательская деятельность
    • Библиотека
    • Национальный проект «Наука и университеты»
  • Образование
    • Сотрудничество с ВУЗами
    • Научно-образовательный центр «Демидовский Центр нанотехнологий и инноваций»
    • Центр коллективного пользования «Диагностика микро- и наноструктур» в ЯФ ФТИАН
    • Диссертационный совет
    • Аспирантура
      • Целевое обучение
  • Разработки
    • Инновации
    • Новые технологии
    • Патенты
    • Программы для ЭВМ
      • Порядок регистрации программ для ЭВМ
      • Перечень зарегестрированных программ
  • Новости
  • Профсоюз
  • Контактная информация
    • Реквизиты института
Выход монографии «Введение в квантовые информационные технологии»

Выход монографии «Введение в квантовые информационные технологии»

By: Ольга
On: 2 июня, 2025
In: Новости, Поздравления
Итоги лектория 24 сентября 2024

Итоги лектория 24 сентября 2024

By: Ольга
On: 30 сентября, 2024
In: Новости
Премия правительства Москвы молодым ученым за 2024 год

Премия правительства Москвы молодым ученым за 2024 год

By: Ольга
On: 15 апреля, 2024
In: Конкурсы, гранты, стипендии, Новости
«На пути к квантовым информационным технологиям». Форум «Россия». 28 февраля 2024 года. Павильон 57 ВДНХ.

«На пути к квантовым информационным технологиям». Форум «Россия». 28 февраля 2024 года. Павильон 57 ВДНХ.

By: Ольга
On: 6 марта, 2024
In: Новости
«Запутанная Вселенная» от лаборатории физики квантовых компьютеров

«Запутанная Вселенная» от лаборатории физики квантовых компьютеров

By: Ольга
On: 30 октября, 2023
In: Новости
Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

On: 19 марта, 2022
In: Важнейшие результаты
Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

On: 19 марта, 2022
In: Важнейшие результаты
  • Главная
    Узнать больше
  • Главная
    Узнать больше
  • Главная
    Узнать больше
  • Главная
    Узнать больше
  • Главная
  • Главная
  • Главная
  • Главная

НОВОСТИ

Смотреть все

Памяти Богдановой Надежды Александровны

By: Ольга
On: 25 мая, 2026
In: Новости

Отделение Физико‑технологических исследований имени К.А. Валиева НИЦ «Курчатовский институт» с глубокой скорбью сообщает, что 22 мая 2026 года после продолжительной болезни ушла из жизни Богданова

Премия Правительства Москвы молодым ученым за 2026 год

By: Ольга
On: 20 апреля, 2026
In: Конкурсы, гранты, стипендии, Новости

Начался прием заявок на соискание премий Правительства Москвы молодым ученым за 2026 год. Премия доступна молодым учёным из столичных организаций: аспирантам, научным работникам, специалистам и кандидатам

Премия Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых учёных за 2026 год

By: Ольга
On: 20 апреля, 2026
In: Конкурсы, гранты, стипендии, Новости

Совет при Президенте Российской Федерации по науке и образованию начинает приём документов на соискание премии Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых

СЕМИНАРЫ

Смотреть все

Обсуждение материалов для публикации

By: Ольга
On: 26 мая, 2026
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники

Программа семинара 27 мая 2026 г. в 15-00 Статья «Trion-mediated quantum operations on a double-dot charge qubit» автора Tsukanov А.V. (Перевод: “Квантовые операции на зарядовом

Обсуждение материалов для публикации

By: Ольга
On: 8 мая, 2026
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

Программа семинара 12 мая 2026 г. в 15-00 Статья ” Формирование одноэлектронных структур окислением легированного бором кремния” авторы С. А. Панкратов, Д. Д. Кусакина, В.

Элементы линейно-оптических квантовых вычислений на основе интегрально-оптических чипов (по материалам кандидатской диссертации)

By: Ольга
On: 27 апреля, 2026
In: Квантовые компьютеры, Семинары

30 апреля в 13:00 состоится семинар Элементы линейно-оптических квантовых вычислений на основе интегрально-оптических чипов Докладчик: Николай Скрябин, научный сотрудник. Кафедра квантовой электроники, Физический факультет и

Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.

Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.

ИЗДАНИЯ И ПУБЛИКАЦИИ

2021

By: Ольга
On: 3 июня, 2022
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,

2020

By: admin-ftian
On: 4 октября, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene

2019

By: admin-ftian
On: 4 октября, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2

2018

By: admin-ftian
On: 4 октября, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,

ИННОВАЦИИ

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и осаждения пленок из инертных и химически активных газов

In: Инновации

Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические  возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения 

Подробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники

In: Инновации

Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства

Подробнее

Валиев Камиль Ахметович

Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.

Подробнее

Орликовский Александр Александрович

Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).

Подробнее

Владимир Федорович Лукичев

В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».

Подробнее

Руденко Константин Васильевич

Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.

Подробнее

Хорин Иван Анатольевич

Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года ведет педагогическую деятельностью в должности доцента.

Подробнее

Родненкова Ольга Николаевна

Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.

Подробнее
2021-10-02
Контактная информация

Меню сайта

  • Главная
  • Институт
  • Наука
  • Образование
  • Разработки
  • Новости
  • Контактная информация
  • Противодействие коррупции

Рубрики

  • Важнейшие результаты
  • Издания
  • Инновации
  • Квантовые компьютеры
  • Новости
  • Новые технологии
  • Патенты
  • Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
  • Публикации
  • Семинары

Контакты

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Реквизиты института

© 2026 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук