Skip to content
 Версия сайта для слабовидящих
  • Русский
  • English (US)

ФТИАН
ФТИАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение наукиОтделение физико-технологических исследований имени К.А. ВалиеваНационального исследовательского центра “Курчатовский институт”

Сайт конференции

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Primary Navigation Menu
Menu
  • Главная
  • Институт
    • Официальная информация
      • Противодействие коррупции
    • Историческая справка
    • Дирекция
    • Лаборатории
      • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов
      • Лаборатория ионно-лучевых технологий
      • Лаборатория технологии микро и наносистем
      • Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур
      • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники
      • Лаборатория физики квантовых компьютеров
      • Лаборатория архитектуры высокопроизводительных вычислительных систем
      • Лаборатория функциональных диэлектриков для микроэлектроники
      • Лаборатория технологий электронной и оптической литографии
    • Структура института
    • Приборная база
      • Современное аналитическое оборудование ФТИАН
      • Технологическое оборудование для проведения процессов литографии
      • Технологическое оборудование для создания микро- и наноэлектронных структур
    • Конкурсы на замещение вакантных должностей
    • Госзакупки
    • Документы
  • Наука
    • Основные направления исследований
    • Международное сотрудничество
    • Важнейшие результаты
    • Научные проекты и НИР
    • Публикации
    • Диссертации и ученые степени сотрудников
    • Научные мероприятия
      • Конференции
      • Семинары
    • Департамент трансфера знаний и технологий
    • Издательская деятельность
    • Библиотека
    • Национальный проект «Наука и университеты»
  • Образование
    • Сотрудничество с ВУЗами
    • Научно-образовательный центр «Демидовский Центр нанотехнологий и инноваций»
    • Центр коллективного пользования «Диагностика микро- и наноструктур» в ЯФ ФТИАН
    • Диссертационный совет
    • Аспирантура
      • Целевое обучение
  • Разработки
    • Инновации
    • Новые технологии
    • Патенты
    • Программы для ЭВМ
      • Порядок регистрации программ для ЭВМ
      • Перечень зарегестрированных программ
  • Новости
  • Профсоюз
  • Контактная информация
    • Реквизиты института
Выход монографии «Введение в квантовые информационные технологии»

Выход монографии «Введение в квантовые информационные технологии»

By: Ольга
On: 2 июня, 2025
In: Новости, Поздравления
Итоги лектория 24 сентября 2024

Итоги лектория 24 сентября 2024

By: Ольга
On: 30 сентября, 2024
In: Новости
Премия правительства Москвы молодым ученым за 2024 год

Премия правительства Москвы молодым ученым за 2024 год

By: Ольга
On: 15 апреля, 2024
In: Конкурсы, гранты, стипендии, Новости
«На пути к квантовым информационным технологиям». Форум «Россия». 28 февраля 2024 года. Павильон 57 ВДНХ.

«На пути к квантовым информационным технологиям». Форум «Россия». 28 февраля 2024 года. Павильон 57 ВДНХ.

By: Ольга
On: 6 марта, 2024
In: Новости
«Запутанная Вселенная» от лаборатории физики квантовых компьютеров

«Запутанная Вселенная» от лаборатории физики квантовых компьютеров

By: Ольга
On: 30 октября, 2023
In: Новости
Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

On: 19 марта, 2022
In: Важнейшие результаты
Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

On: 19 марта, 2022
In: Важнейшие результаты
  • Главная
    Узнать больше
  • Главная
    Узнать больше
  • Главная
    Узнать больше
  • Главная
    Узнать больше
  • Главная
  • Главная
  • Главная
  • Главная

НОВОСТИ

Смотреть все

Памяти Богдановой Надежды Александровны

By: Ольга
On: 25 мая, 2026
In: Новости

Отделение Физико‑технологических исследований имени К.А. Валиева НИЦ «Курчатовский институт» с глубокой скорбью сообщает, что 22 мая 2026 года после продолжительной болезни ушла из жизни Богданова

Премия Правительства Москвы молодым ученым за 2026 год

By: Ольга
On: 20 апреля, 2026
In: Конкурсы, гранты, стипендии, Новости

Начался прием заявок на соискание премий Правительства Москвы молодым ученым за 2026 год. Премия доступна молодым учёным из столичных организаций: аспирантам, научным работникам, специалистам и кандидатам

Премия Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых учёных за 2026 год

By: Ольга
On: 20 апреля, 2026
In: Конкурсы, гранты, стипендии, Новости

Совет при Президенте Российской Федерации по науке и образованию начинает приём документов на соискание премии Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых

СЕМИНАРЫ

Смотреть все

Обсуждение материалов для публикации

By: Ольга
On: 17 августа, 2026
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

Программа семинара 18 августа 2026 г. Статья «Применение потоковой модели вычислений для задач обработки сетевых пакетов доверенных систем» авторы Бобков С.Г., Левченко Н.Н., Телец В.А.

Обсуждение материалов для публикации

By: Ольга
On: 13 июля, 2026
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

Программа семинара 14 июля 2026 г. Статья «Автоматизация сборки и контроля качества исходного кода САПР СБИС с применением изолированных конвейеров» авторы Данилкин Д.А., Железников Д.А.,

Безкалибровочное восстановление передаточной матрицы перестраиваемых линейно-оптических чипов

By: Ольга
On: 6 июля, 2026
In: Квантовые компьютеры, Семинары

9 июля (четверг) 2026 года в 15:00 состоится семинар.   В плане семинара рассмотрение следующих материалов: «Безкалибровочное восстановление передаточной матрицы перестраиваемых линейно-оптических чипов». Докладчик: Бигуаа

Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.

Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.

ИЗДАНИЯ И ПУБЛИКАЦИИ

2021

By: Ольга
On: 3 июня, 2022
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,

2020

By: admin-ftian
On: 4 октября, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene

2019

By: admin-ftian
On: 4 октября, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2

2018

By: admin-ftian
On: 4 октября, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,

ИННОВАЦИИ

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и осаждения пленок из инертных и химически активных газов

In: Инновации

Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические  возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения 

Подробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники

In: Инновации

Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства

Подробнее

Валиев Камиль Ахметович

Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.

Подробнее

Орликовский Александр Александрович

Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).

Подробнее

Владимир Федорович Лукичев

В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».

Подробнее

Руденко Константин Васильевич

Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.

Подробнее

Хорин Иван Анатольевич

Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года ведет педагогическую деятельностью в должности доцента.

Подробнее

Родненкова Ольга Николаевна

Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.

Подробнее
2021-10-02
Контактная информация

Меню сайта

  • Главная
  • Институт
  • Наука
  • Образование
  • Разработки
  • Новости
  • Контактная информация
  • Противодействие коррупции

Рубрики

  • Важнейшие результаты
  • Издания
  • Инновации
  • Квантовые компьютеры
  • Новости
  • Новые технологии
  • Патенты
  • Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
  • Публикации
  • Семинары

Контакты

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Реквизиты института

© 2026 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук