admin-ftian (Page 3)

Патент на изобретение RU 2691758 C1 «Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление» Авторы: Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., РуденкоПодробнее

Патент на изобретение RU №2468465 C2 «Источник быстрых нейтральных частиц». Авторы: Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П., Кудря В.П. Патентообладатель: ФГБУН Физико-технологический институт Российской академииПодробнее

Патент на изобретение RU №2433081 «Способ ионно-лучевой обработки». Авторы Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П. Патентообладатель: Учреждение РАН Физико-технологический институт РАН. Приоритет изобретения 8 июляПодробнее

Патент на изобретение №2395133 «Источник быстрых нейтральных частиц». Авторы: Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П., Кудря В.П. Патентообладатель: Учреждение РАН Физико-технологический институт РАН. Приоритет изобретенияПодробнее

Патент на изобретение RU 2436190 C1 « Ячейка энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти » Авторы:  Орликовский А. А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д.,Подробнее

Патент на изобретение RU 2403647 C1 « Способ формирования электрически изолированных областей кремния в объеме кремниевой пластины » Авторы:  Амиров И.И., Постников А.В., Морозов О.В.,Подробнее

Патент на изобретение RU 2626392 C1 « Туннельный нелегированный многозатворный полевой нанотранзистор с контактами Шоттки » Авторы:  Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Руденко К.В., Свинцов Д.А.,Подробнее

Патент на изобретение RU 2504861 C1 « Способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки с укороченным управляющим электродом нанометровой длины » Авторы:  Вьюрков В.В., КривоспицкийПодробнее

Патент на изобретение RU 2436190 C1 « Ячейка энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти » Авторы:  Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., 13.04.2010. Заявка № 2010114673/28 от 13.04.2010. СрокПодробнее