Директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН В.Ф. Лукичев дал интервью редакции сайта РАН
2022-01-18
18 января, 2022. Директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев дал интервью редакции сайта РАН (1я часть).
admin-ftian (Page 3)
Оптические свойства фотонных кристаллов и магнитооптические методы исследования наноструктур и элементов электроники
2022-01-18
15:00
М. М. Яшин (РТУ МИРЭА)
Оптические свойства фотонных кристаллов и магнитооптические методы исследования наноструктур и элементов электроники
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)
Методика испытаний твердотельных СВЧ модулей применяемых в радиолокационных станциях с учетом отказов возникающих в начальный период эксплуатации
2022-01-18
16:00 А. Ю. Кирьянов (РТУ МИРЭА)
Методика испытаний твердотельных СВЧ модулей применяемых в радиолокационных станциях с учетом отказов возникающих в начальный период эксплуатации
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)
Мельников А. А. и Сидоров Ф. А. стали победителями конкурса 2022 – 2024 года на право получения стипендии Президента РФ молодым учёным и аспирантам
2022-01-13
On:
In: News
13 января, 2022. Поздравляем сотрудников ФТИАН – победителей конкурса 2022 – 2024 года на право получения стипендии Президента РФ молодым учёным и аспирантам – Мельникова Алексея Андреевича и Сидорова Фёдора Алексеевича!
Победители конкурса 2022-2024 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам
Патент на изобретение RU 2717157 C2
2021-12-29
On:
In: Patents
Патент на изобретение RU 2717157 C2
«Способ изготовления туннельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки»
Авторы: Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 07 июня 2018 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.03.2020
Патент на изобретение RU 2691758 C1
2021-12-29
On:
In: Patents
Патент на изобретение RU 2691758 C1
«Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление»
Авторы: Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 17 августа 2018 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.06.2019
Патент на изобретение RU №2468465 C2
2021-12-29
On:
In: Patents
Патент на изобретение RU №2468465 C2
«Источник быстрых нейтральных частиц».
Авторы: Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П., Кудря В.П.
Приоритет от 27 декабря 2010 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 27 ноября 2012 г.
Патент на изобретение RU №2433081 С1
2021-12-29
On:
In: Patents
Патент на изобретение RU №2433081
«Способ ионно-лучевой обработки».
Авторы Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П.
Приоритет от 08 июля 2010 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 10 ноября 2011 г.
Патент на изобретение №2395133 C1
2021-12-29
On:
In: Patents
Патент на изобретение №2395133 C1
«Источник быстрых нейтральных частиц»
Авторы: Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П., Кудря В.П.
Приоритет от 10 марта 2009 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 20 июля 2010 г.
Патент на изобретение RU 2403647 C1
2021-12-29
On:
In: Patents
Патент на изобретение RU 2403647 C1
«Способ формирования электрически изолированных областей кремния в объеме кремниевой пластины»
Авторы: Амиров И.И., Постников А.В., Морозов О.В., Валиев К.А., Орликовский А. А., Кальнов В.А.
Заявка № 2009132804/28, от 31.08.2009
Приоритет от 31 августа 2009 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 10 ноября 2010 г.