admin-ftian (Page 3)

Патент на изобретение RU 2717157 C2

«Способ изготовления туннельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки»

Авторы:  Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 07 июня 2018 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.03.2020

Патент на изобретение RU 2691758 C1

«Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление»

Авторы: Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 17 августа 2018 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.06.2019

Патент на изобретение RU №2468465 C2

«Источник быстрых нейтральных частиц».

Авторы: Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П., Кудря В.П.

Приоритет от 27 декабря 2010 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 27 ноября 2012 г.

Патент на изобретение RU №2433081

«Способ ионно-лучевой обработки».

Авторы Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П.

Приоритет от 08 июля 2010 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 10 ноября 2011 г.

Патент на изобретение №2395133 C1

«Источник быстрых нейтральных частиц»

Авторы: Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Терентьев Ю.П., Кудря В.П.

Приоритет от 10 марта 2009 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 20 июля 2010 г.