Патент на изобретение RU 2717157 C2
« Способ изготовления туннельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки » Авторы: Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., 18.03.2020. Заявка № 2018121044 от 07.06.2018.