admin-ftian (Page 2)

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические  возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения Подробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средстваПодробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

На основе разработанных методов и средств диагностики in situ плазменных технологических процессов развиты методы контроля параметров анизотропного травления и плазмостимулированного осаждения, которые позволяют обеспечить надежностьПодробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Разработан источник быстрых атомарных и молекулярных нейтральных частиц. Источник работает с инертными и химически активными газами; степень нейтральности формируемых пучков – до 100 %, диапазонПодробнее

24 января, 2022. Научного сотрудника ФТИАН им. К.А. Валиева РАН Алексея Мельникова пригласили выступить с онлайн-докладом в Калифорнийском технологическом институте. Тема доклада: Reinforcement learning forПодробнее

15:00 М. М. Яшин (РТУ МИРЭА) Оптические свойства фотонных кристаллов и магнитооптические методы исследования наноструктур и элементов электроники (По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидатаПодробнее

16:00 А. Ю. Кирьянов (РТУ МИРЭА) Методика испытаний твердотельных СВЧ модулей применяемых в радиолокационных станциях с учетом отказов возникающих в начальный период эксплуатации (По материалам диссертацииПодробнее

13 января, 2022. Поздравляем сотрудников ФТИАН – победителей конкурса 2022 – 2024 года на право получения стипендии Президента РФ молодым учёным и аспирантам – МельниковаПодробнее

Патент на изобретение RU 2717157 C2 « Способ изготовления туннельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки » Авторы:  Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., ЛукичевПодробнее