15:00
О. А. Рубан («Московский технологический университет» МИРЭА)
Частотные характеристики нитрид-галлиевых полевых транзисторов с учетом структурной релаксации барьерного слоя AlGaN
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)
2017-10-03