Патент на изобретение RU 2771009 C1
«Способ и устройство для повышения латеральной однородности и плотности низкотемпературной плазмы в широкоапертурных технологических реакторах микроэлектроники»
Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 01 июня 2021 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 25.04.2022
Патент на изобретение RU 2769536 C1
«Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти»
Мордвинцев В.М., Горлачев Е.С., Кудрявцев С.Е.
Приоритет от 28 декабря 2020 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 01.04.2022
Патент на изобретение RU 2376677 C2
«Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой»
Орликовский А.А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д.
Приоритет от 23 июля 2007 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 20 декабря 2009 г.
Поздравляем Кузьменко Виталия Олеговича, младшего научного сотрудника ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, аспиранта НИУ МФТИ с победой в конкурсе на получение стипендии имени К.А. Валиева для студентов и аспирантов, имеющих значительные достижения в области электронной промышленности.
Ярославский филиал ФТИАН им. К.А. Валиева РАН подготовил, как со-организатор, и успешно провел 21-25 августа 2023 г. в г. Ярославле XXVI международную научную конференцию «Взаимодействие ионов с поверхностью – 2023» (Ion-Surface Interaction 2023). ЯрГУ им. П.Г. Демидова любезно предоставил помещения, оборудование и техническую помощь в её проведении. Конференция, проходившая в очно-дистанционном формате, традиционно вызвала большой интерес среди специалистов. В ней участвовали с приглашенными, устными и стендовыми докладами ученые из России, Белоруссии, Китая, Сербии, Австралии, Болгарии, Индии, Португалии, Венгрии. Мероприятие широко освещалось в региональных СМИ.
5 сентября (вторник) 2023 в 14-00
Актюаторы для микроэлектромеханических систем
(По материалам диссертации на соискание степени доктора технических наук)
Докладчик: И.В. Уваров (ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, г. Ярославль)
В июльском номере журнала «Наука и жизнь» вышло интервью ведущего научного сотрудника ФТИАН Леонида Евгеньевича Федичкина.
Правительство РФ (Постановление от 17 июня 2023 г. № 997) с 1 сентября 2023 года учредило стипендию имени К.А. Валиева для обучающихся федеральных государственных организаций, осуществляющих образовательную деятельность по образовательным программам высшего образования, имеющих значительные достижения в области электронной промышленности: http://static.government.ru/media/files/IXxyLTNi8ewuKvS8Raep1AslzedKrNz4.pdf
© 2024 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук
