Обсуждение статей для публикации в журналах

28 октября (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

Часть 1. Председатель В.Ф. Лукичев, Секретарь В.В. Вьюрков

1. Semenikhin, D. Svintsov, V. Vyurkov, K. Rudenko, V. Lukichev «Simulationof a tunnel field-effect transistor with sharp source and drain Schottky Barrier contacts» (И. Семенихин, Д. Свинцов, В. Вьюрков, К. Руденко, В. Лукичев «Моделирование туннельного полевого транзистора с острыми контактами Шоттки на истоке и стоке»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
2. И. Семенихин, Д. Свинцов, В. Вьюрков, К. Руденко, В. Лукичев «Программа численного моделирования туннельного полевого транзистора с барьерами Шоттки на контактах истока и стока». Для государственной регистрации программ для ЭВМ. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ОФТИ, Москва.
3. Semenikhin, D. Svintsov, L. Fedichkin, V. Vyurkov «Simulationof solid-state structures with a single electron» (И. Семенихин, Д. Свинцов, Л. Федичкин, В. Вьюрков «Моделирование твердотельных структур с одиночным электроном»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.2. Докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
4. И. Семенихин, Л. Федичкин, В. Вьюрков «Программа численного моделирования квантового состояния одиночного электрона в твердотельной туннельной структуре». Для государственной регистрации программ для ЭВМ. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ОФТИ, Москва.

Часть 2. Председатель В.Ф. Лукичев, Секретарь А.В. Мяконьких

5. O. Morozov, I.V. Uvarov, A reconfigurable RF MEMS switch for wireless communication systems (М.О. Морозов, И.В. Уваров, Перестраиваемый РЧ МЭМС-переключатель для систем беспроводной связи). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Морозов Матвей Олегович, ОФТИ, Ярославль.
6. Кулагин Н.В. и Цуканов А.В. “Дефазировка зарядового кубита в стохастическом поле осциллирующих электронов». Статья для журнала «Микроэлектроника» издательства «ФГБУ “Издательство “Наука”». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.2. Докладчик Цуканов Александр Викторович, ОФТИ, Москва.
7. V. Uvarov, I.A. Belozerov, M.O. Morozov «Micromechanical RF switch with metal-to-metal contact» (И. В. Уваров, И. А. Белозеров, М. О. Морозов «Микромеханический радиочастотный переключатель с контактом металл-металл»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 25-19-20107. Докладчик Уваров Илья Владимирович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
8. V. Postnikov, I.V. Uvarov, P.S. Schlepakov, V.B. Svetovoy «MEMS as scientific instruments: Precise measurement of the adhesion energy with an adhered cantilever» (А. В. Постников, И. В. Уваров, П. С. Шлепаков, В. Б. Световой «МЭМС как научный инструмент: точное измерение энергии адгезии с помощью залипшего кантилевера»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 24-29-00106. Докладчик Уваров Илья Владимирович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
9. P. B. Mozhaev “Estimation of thin film thickness using the Williamson-Hall decomposition” (П. Б. Можаев “Оценка толщины тонкой пленки с использованием разложения по Вильямсону-Холлу”). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Можаев Петр Борисович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
10. Yu. Buchin “Surface thermomigration of eutectic droplets and molecular clusters” (Бучин Э.Ю. «Поверхностная термомиграция эвтектических капель и молекулярных кластеров») Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Бучин Эдуард Юрьевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
11. В. К. Смирнов, Д. С. Кибалов, А. Б. Чурилов “Периодические наноструктуры на поверхности GaAs и AlGaAs самоформируемые распылением ионами азота”. Статья для журнала «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования» издательства «ФГБУ “Издательство “Наука”». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Кибалов Дмитрий Станиславович, ОФТИ, Ярославль. (ВИП-2025)
12. K. Smirnov, D.S. Kibalov, A.B. Churilov “Temperature Dependence of the Nanostructure Morphology During Sputtering of Silicon by Nitrogen Ions” (В. К. Смирнов, Д. С. Кибалов, А. Б. Чурилов “Зависимость морфологии наноструктуры от температуры при распылении кремния ионами азота”). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Кибалов Дмитрий Станиславович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
13. P.S. Shlepakov, V.B. Svetovoy, I.V. Uvarov «Increasing performance of a microactuator based on a hydrogen-oxygen mixture explosion» (П.С. Шлепаков, В.Б. Световой, И.В. Уваров «Повышение быстродействия микроактюатора на основе взрыва водород-кислородной смеси»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 25-29-00292. Докладчик Шлепаков Павел Сергеевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
14. P. Kudrya «Application of Colloidal Lithography to Create Nanostructures» (В.П. Кудря «Применение коллоидной литографии для создания наноструктур»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Кудря Владимир Петрович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
15. S. Trushin, I.S. Fattakhov, E.A. Grushevsky, A. A. Popov, L.A. Mazaletskiy, A.S. Fedorov, M.V. Logunov «Perspective chiral metamaterials based on nanostructured thin films for photonics and biosensors» (О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, Е.А. Грушевский, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, А.С. Федоров, М.В. Логунов “Перспективные киральные метаматериалы на основе наноструктрированных тонких пленок для фотоники и биосенсорики”) Статья для журнала «RussianMicroelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Трушин Олег Станиславович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
16. M. Chebokhin, O.S. Trushin «Modeling the growth of chiral nanostructures by glancing angle deposition» (М.М. Чебохин, О.С. Трушин “Моделирование роста киральных наноструктур при наклонном напылении”) Статья для журнала «RussianMicroelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Чебохин Максим Михайлович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
17. K. Rudenko, A. Miakonkikh, V. Kuzmenko, K. Fetisenkova, A. Melnikov «Physical principles of in situ sidewall profile control In cryogenic plasma etching of HAR silicon microstructures» (К.В. Руденко, А.В. Мяконьких, В. Кузьменко, К.Фетисенкова, А. Мельников. «Физические принципы управления in situ профилем стенок высокоаспектных кремниевых микроструктур в процессе криогенного плазменного травления»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 24-69-00039 часть работ выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Руденко Константин Васильевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
18. M. Sorokovikov, D. Zverev, I. Lyatun, A. Barannikov, M. Voevodina, V. Yunkin, A. Miakonkikh, K. Rudenko, A. Snigirev. “Comparative characteristics of microelectronic deep etching technologies for X-ray optics applications”. (М. Сороковиков, Д.А. Зверев, И.И. Лятун, А.А. Баранников, М.А. Воеводина, В.А. Юнкин, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, А.А. Снигирев “Сравнительные характеристики микроэлектронных технологий глубокого травления для применений в области рентгеновской оптики”) Статья для журнала «RussianMicroelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 24-69-00039. Докладчик Мяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
19. V. M. Mordvintsev, E. S. Gorlachev «Electroforming of memristors based on open TiN-SiO2-Mo sandwich structures in a moderate regime» (В.М Мордвинцев, Е.С. Горлачев «Электроформовка мемристоров на основе открытых «сэндвич»-структур TiNSiO2Mo в смягченном режиме»). Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Мордвинцев Виктор Матвеевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
20. I.I. Amirov, M.O. Izyumov, O.V. Morozov «Сhange in the reflection of the a-Si film on the surface of Al-4%Cu/Si in the visible range during low-energy sputtering in argon plasma» (И.И. Амиров, М. Изюмов, О.В. Морозов «Изменение отражения пленки a-Si на поверхности Al-4%Cu/Si в видимом диапазоне при низкоэнергетическом распылении в аргоновой плазме»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Морозов Олег Валентинович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
21. A. Grushevsky, N.G. Savinski, L.A. Trushin, L.A. Shendrikova «Featuresof electrochemical synthesis, structure, and magnetometry of iron, cobalt, and nickel nanowires in a porous anodic aluminum oxide matrix» (Грушевский Е.А., Савинский Н.Г., Л.А. О.C.Трушин, Л.А.Шендрикова «Особенности электрохимического синтеза, структура и магнитометрия нанопроволок железа, кобальта, никеля в матрице пористого анодного оксида алюминия»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Савинский Николай Геннадьевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
22. GrushevskyE. A., Savinski N. G., Trushin O. S. «Micromagnetic modeling of hexagonal ensembles of high-aspect nanowires of ferromagnetic iron, nickel and cobalt» (Грушевский Е.А., Савинский Н.Г., Трушин О.С. «Микромагнитное моделирование гексагональных ансамблей высокоаспектных нанопроволок ферромагнитного железа, никеля и кобальта»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Грушевский Егор Алексеевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
23. S.V. Kurbatov, N.S. Melesov, E.O. Parshin, A.S. Rudy, V.V. Naumov « In-situ study of lithium electroplating in anode-free solid-state batteries by RBS method»( С. В. Курбатов, Н. C. Мелесов, Е. О. Паршин, А. С. Рудый, В. В. Наумов «In situ исследование гальванического осаждения лития в твердотельном тонкопленочном аккумуляторе методом резерфордовского обратного рассеяния»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания ЯрГУ № FENZ-2024-0005 и государственного задания НИЦ “Курчатовский институт” № 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Курбатов Сергей Валерьевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
24. S. Shlepakov, O.V. Morozov, I.V. Uvarov «Passive microfluidic valve with reduced threshold pressure»( П.С. Шлепаков, О.В. Морозов, И.В. Уваров «Пассивный микрофлюидный клапан с пониженным пороговым давление»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда, проект № 25-29-00292. Докладчик Шлепаков Павел Сергеевич, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
25. Д.Б. Шокарев, Р.Ж. Чочаев, С.В. Гаврилов «Учет временных ограничений на этапе размещения элементов на ПЛИС». Статья в журнал «Труды ИСП РАН» издательства Институт системного программирования им. В.П. Иванникова РАН.Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Шокарев Дмитрий Борисович, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике)
26. А.В. Климов «От поведенческой модели к синтезируемой RTLна основе языка Julia (Case Study)» журнал «Программные системы: теория и приложения» издательства Институт программных систем им. А.К. Айламазяна РАН. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Климов Аркадий Валентинович, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике)
27. BelozerovI. A., Uvarov I. V. «Finite element simulation of the MEMS switch contact temperature» (Белозеров И.А., Уваров И.В. «Расчет температуры контактов МЭМС-переключателя методом конечных элементов»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Белозеров Игорь Александрович, ОФТИ, Ярославль. (ICMNE)
28. С.Г. Бобков, Н.Н. Левченко «Применение процессора с управлением потоком данных для обработки массивов данных в реальном масштабе времени». Статья в журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника», издаваемый МИЭТ. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ИППМ.1. Докладчик Левченко Николай Николаевич, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике)
29. A.A. Tokarev, I.A. Khorin, «Hybrid Memristor-CMOS System: Circuit Design Solutions for Control and Data Processing» (Гибридная мемристорно-КМОП система: схемотехнические решения для управления и обработки данных. А.А. Токарев, И.А. Хорин). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания НИЦ “Курчатовский институт” № 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Хорин Иван Анатольевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
30. Rogozhin, O. Glaz, A. Reznyukov, A. Melnikov «Ru-based interconnects for memristor crossbars» (А. Рогожин, О. Глаз, А. Резнюков, А. Мельников. «Межсоединения мемристорных кроссбаров на основе рутения»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Рогожин Александр Евгеньевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
31. A.V. Lobachev, M.A. Chuev «Generalized multilevel model for describing magnetization curves of nanoparticles» (А.В. Лобачев, М.А. Чуев, “Обобщенная многоуровневая модель для описания кривых намагничивания наночастиц»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Лобачев Андрей Викторович, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
32. A. Simonov «Spatial Filtering of Image Noise Based on the Spot Apparatus» (Н.А. Симонов“Пространственная фильтрация шума изображения на основе аппарата пятен»). Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Симонов Николай Анатольевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
33. Мяконьких А.В. «Возможности атомно-слоевого травления в индуктивно-связанной плазме для создания приборов наноэлектроники». VI международная конференция «Газоразрядная плазма и синтез наноструктур» Татарстан, Казань, 25 – 27 ноября 2025, приглашенный доклад. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. ДокладчикМяконьких Андрей Валерьевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)
34. V.P. Popov, V.E. Zhilitskii, V.A. Antonov, L.N. Safronov, A.V. Miakonkikh, K.V. «UTBBSOI-structures with local TR-HR ultra-high-resistance layers for radio-photonic integrated circuits» Rudenko (В.П. Попов, В.Е. Жилицкий, В.А. Антонов, Л.Н. Сафронов, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко «UTBB SOI-структуры с локальными слоями сверхвысокого сопротивления и ловушками TR-HR для радиофотонных интегральных схем») Статья для журнала «Russian Microelectronics» издательства «Pleiades Publishing, Ltd». Работа выполнена в рамках грантов РНФ №25-19-20049, РНФ №19-72-30023, государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.1. Докладчик Руденко Константин Васильевич, ОФТИ, Москва. (ICMNE)