Патент на изобретение RU 2785367 C1
«ВЧ-источник плазмы с планарным индуктором для обработки полупроводниковых пластин диаметром до 600 мм»
Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 07 апреля 2022 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 06.12.2022
Патент на изобретение RU 2771009 C1
«Способ и устройство для повышения латеральной однородности и плотности низкотемпературной плазмы в широкоапертурных технологических реакторах микроэлектроники»
Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 01 июня 2021 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 25.04.2022
Патент на изобретение RU 2769536 C1
«Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти»
Мордвинцев В.М., Горлачев Е.С., Кудрявцев С.Е.
Приоритет от 28 декабря 2020 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 01.04.2022
Патент на изобретение RU 2376677 C2
«Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой»
Орликовский А.А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д.
Приоритет от 23 июля 2007 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 20 декабря 2009 г.
Поздравляем Кузьменко Виталия Олеговича, младшего научного сотрудника ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, аспиранта НИУ МФТИ с победой в конкурсе на получение стипендии имени К.А. Валиева для студентов и аспирантов, имеющих значительные достижения в области электронной промышленности.
Ярославский филиал ФТИАН им. К.А. Валиева РАН подготовил, как со-организатор, и успешно провел 21-25 августа 2023 г. в г. Ярославле XXVI международную научную конференцию «Взаимодействие ионов с поверхностью – 2023» (Ion-Surface Interaction 2023). ЯрГУ им. П.Г. Демидова любезно предоставил помещения, оборудование и техническую помощь в её проведении. Конференция, проходившая в очно-дистанционном формате, традиционно вызвала большой интерес среди специалистов. В ней участвовали с приглашенными, устными и стендовыми докладами ученые из России, Белоруссии, Китая, Сербии, Австралии, Болгарии, Индии, Португалии, Венгрии. Мероприятие широко освещалось в региональных СМИ.
5 сентября (вторник) 2023 в 14-00
Актюаторы для микроэлектромеханических систем
(По материалам диссертации на соискание степени доктора технических наук)
Докладчик: И.В. Уваров (ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, г. Ярославль)
В июльском номере журнала «Наука и жизнь» вышло интервью ведущего научного сотрудника ФТИАН Леонида Евгеньевича Федичкина.
Правительство РФ (Постановление от 17 июня 2023 г. № 997) с 1 сентября 2023 года учредило стипендию имени К.А. Валиева для обучающихся федеральных государственных организаций, осуществляющих образовательную деятельность по образовательным программам высшего образования, имеющих значительные достижения в области электронной промышленности: http://static.government.ru/media/files/IXxyLTNi8ewuKvS8Raep1AslzedKrNz4.pdf
© 2026 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук
