Ольга (Page 13)

On:
In: Patents

Патент на изобретение RU 2796239 C9

«Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление»

Аверкин С.Н., Кузьменко В.О., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 17 ноября 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.05.2023

On:
In: Patents

Патент на изобретение RU 2790304 C1

“Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения”

Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.

Приоритет от 07 июня 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 16.02.2023

On:
In: Patents

Патент на изобретение RU 2787544 C1

«Пролетный диод с распределенной индуктивной компенсацией емкости для генерации излучения в терагерцовом диапазоне»

Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.

Приоритет от 07 июня 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 10.01.2023

On:
In: Patents

Патент на изобретение RU 2785367 C1

«ВЧ-источник плазмы с планарным индуктором для обработки полупроводниковых пластин диаметром до 600 мм»

Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 07 апреля 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 06.12.2022

On:
In: Patents

Патент на изобретение RU 2771009 C1

«Способ и устройство для повышения латеральной однородности и плотности низкотемпературной плазмы в широкоапертурных технологических реакторах микроэлектроники»

Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 01 июня 2021 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 25.04.2022

On:
In: Patents

Патент на изобретение RU 2376677 C2

«Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой»

Орликовский А.А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д.

Приоритет от 23 июля 2007 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 20 декабря 2009 г.

On:
In: News, Congratulations

Поздравляем Кузьменко Виталия Олеговича, младшего научного сотрудника ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, аспиранта НИУ МФТИ с победой в конкурсе на получение стипендии имени К.А. Валиева для студентов и аспирантов, имеющих значительные достижения в области электронной промышленности.

On:
In: News

Ярославский филиал ФТИАН им. К.А. Валиева РАН подготовил, как со-организатор, и успешно провел 21-25 августа 2023 г. в г. Ярославле XXVI международную научную конференцию «Взаимодействие ионов с поверхностью – 2023» (Ion-Surface Interaction 2023). ЯрГУ им. П.Г. Демидова любезно предоставил помещения, оборудование и техническую помощь в её проведении. Конференция, проходившая в очно-дистанционном формате, традиционно вызвала большой интерес среди специалистов. В ней участвовали с приглашенными, устными и стендовыми докладами ученые из России, Белоруссии, Китая, Сербии, Австралии, Болгарии, Индии, Португалии, Венгрии. Мероприятие широко освещалось в региональных СМИ.