2018

  1. Махвиладзе, Т.М. Модель процесса химико-механического полирования медной металлизации, основанная на фрмировании пассивирующего слоя / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Микроэлектроника. 2018. Т.47. № 5. С.64-73. – DOI: 10.31857/S054412690001739-9 
  2. Malsagova, K.A. Micro-Raman spectroscopy for monitoring of deposition quality of high-k stack protective layer onto nanowire FET chips for highly sensitive miRNA detection / Malsagova K.A., Pleshakova T.O., Kozlov A.F., Shumov I.D., Ilnitskii M.A., Miakonkikh A.V., Popov V.P., Rudenko K.V., Glukhov A.V., Kupriyanov I.N., Ivanova N.D., Rogozhin A.E., Archakov A.I., Ivanov Y.D.// Biosensors. 2018. 8 (3), art. no. 72. DOI: 10.3390/bios8030072
  3. Malykhin, S.A. Photoluminescent properties of single crystal diamond microneedles / Malykhin S.A., Ismagilov R.R., Tuyakova F.T., Obraztsova E.A., Fedotov P. V., Ermakova A., Siyushev P., Katamadze K.G., Jelezko F., Rakovich Y.P., Obraztsov A.N. // Opt. Mater. (Amst). 2018. Vol. 75. P. 49–55. / DOI: 10.1016/j.optmat.2017.10.019 
  4. Melnikov, A.A. Entanglement dynamics of two electrons in noisy quantum walks / A. A. Melnikov, and L. E. Fedichkin // 2017 Progress In Electromagnetics Research Symposium – Spring (PIERS), INSPEC Accession Number: 17490813 Page(s):2900-2903 Date Added to IEEE Xplore: 18 January 2018 DOI: 10.1109/PIERS.2017.8262249 
  5. Melnikov, A.A. Fermionic entanglement via quantum walks in quantum dots / Alexey A. Melnikov, and Leonid E. Fedichkin // AIP Conference Proceedings 4. Сер. “4th International Conference on Quantum Technologies, ICQT 2017” 2018. 1936, 020025 (2018); DOI: 10.1063/1.5025463 
  6. Miakonkikh, A.V. Dependence of the Resistance of the Negative e-Beam Resist HSQ Versus the Dose in the RIE and Wet Etching Processes / Miakonkikh A.V., Orlikovskiy N.A., Rogozhin A.E., Tatarintsev A.A., Rudenko K.V. // Russian Microelectronics. 2018.47 (3), pp. 157-164. DOI: 10.1134/S1063739718030101 
  7. Mishchenko, I. Continual model of magnetic dynamics for antiferromagnetic particles in analysing size-effects on Morin transition in hematite nanoparticles. / Mishchenko, M. Chuev, S. Kubrin, T. Lastovina, V. Polyakov, A. Soldatov. // J. Nanopart. Res., 2018, v. 20, 141 (10 pp.) DOI: 10.1007/s11051-018-4248-9 
  8. Mordvintsev, V.M. Influence of the Silicon Dioxide Layer Thickness on Electroforming in Open TiN–SiO2 –W Sandwiches / Mordvintsev V.M., Kudryavtsev S.E., Levin V.L. // Technical Physics, 2018, 63(11), с. 1629-1635. DOI: 10.1134/S106378421811018X
  9. Мордвинцев, В.М. Влияние толщины слоя диоксида кремния на процесс электроформовки в открытых «сэндвич»-структурах TiN-SiO2-W./ Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. // Журнал технической физики. 2018, выпуск 11, стр. 1681. DOI: 10.21883/JTF.2018.11.46630.2551 . РИНЦ, Scopus, WoS 
  10. Mozhaev, P.B. Three-dimensional graphoepitaxial growth of oxide films by pulsed laser deposition / Peter B. Mozhaev, Julia E. Mozhaeva, Alexey V. Khoryushin, Jorn Bindslev Hansen, Claus S. Jacobsen, Igor K. Bdikin, Iosif M. Kotelyanskii, and Valery A. Luzanov // Phys. Rev. Materials. 2018. 2, 103401. DOI:https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.103401.
  11. Myakonkikh, A.V. Investigation of the Process of Plasma Through Etching of HkMG Stack of Nanotransistor with a 32-nm Critical Dimension / Myakonkikh A.V., Kuvaev K.Y., Tatarintsev A.A., Orlikovskii N.A., Rudenko K.V., Guschin O.P., Gornev E.S. // Russian Microelectronics. 2018. 47 (5), pp. 323-331. DOI: 10.1134/S1063739718050062
  12. Куваев, К.Ю. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА СКВОЗНОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ HKMG СТЕКА НАНОТРАНЗИСТОРА С КРИТИЧЕСКИМ РАЗМЕРОМ 32 НМ / КУВАЕВ К.Ю., ТАТАРИНЦЕВ А.А., ОРЛИКОВСКИЙ Н.А., РУДЕНКО К.В., ГУЩИН О.П., ГОРНЕВ Е.С., МЯКОНЬКИХ А.В. // Микроэлектроника. Т.47. №5. С.44-50. – DOI: 10.31857/S054412690001736-6 
  13. Nikolaev, K.V. Specular reflection intensity modulated by grazing-incidence diffraction in a wide angular range. / K.V. Nikolaev, I.A. Makhotkin, S.N. Yakunin, R.W.E. Kruijs, M.A. Chuev, and F. Bijkerk. // Acta Cryst. A, 2018, v. 74, pp. 545–552. – https://doi.org/10.1107/S2053273318008963 
  14. Ozhigov, Y. Distributed synthesis of chains with one-way biphotonic control / Y. Ozhigov // Quantum Information and Computation. 2018, vol.18, N8, pp0592-0598. – DOI: https://doi.org/10.26421/QIC18.7-8 
  15. Ozhigov, Y.I. Computer Simulation of Atomic Excitation Conductivity Using the Quantum Master Equation / Ozhigov, Y.I., Skovoroda, N.A. // Mathematical Models and Computer Simulations. 2018. 10(4), с. 450-458. DOI https://doi.org/10.1134/S2070048218040105 
  16. Ponomarev, D. S. Lateral terahertz hot-electron bolometer based on an array of Sn nanothreads in GaAs / Ponomarev, D. S.; Lavrukhin, D. V.; Yachmenev, A. E.; Khabibullin, R. A.; Semenikhin, I. E.; Vyurkov, V. V.; Ryzhii, M.; Otsuji, T.; Ryzhii, V. // JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS. 2018. 51. 13. 135101. DOI: 10.1088/1361-6463/aab11d 
  17. Ponomarev, D.S. Sn-nanothreads in GaAs matrix and their sub- and terahertz applications / D.S. Ponomarev, D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, R.A. Khabibullin, I. Semenikhin, V.V. Vyurkov , M. Ryzhii , T. Otsuji, V. Ryzhii // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 1092 (2018) 012166 doi :10.1088/1742-6596/1092/1/012166 
  18. Popov, V. Ferroelectric properties of HfO2 interlayers in SOI and SOS pseudo-MOSFETs / Popov, V., Ilnitsky, M., Antonov, V., Vdovin, V., Tyschenko, I., Miakonkikh, A., Rudenko, K. // Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EUROSOI-ULIS 2018, 2018-January, pp. 1-4. DOI: 10.1109/ULIS.2018.8354731 
  19. Postnikov, A.V. A Device for Mechanical Testing of Elements of Micro- and Nanosystems / MEASUREMENT TECHNIQUES Том: 61 Выпуск: 8 . Стр.: 802-805. – DOI: 10.1007/s11018-018-1505-3. – WOS:000452588100011
  20. Постников, А.В. Устройство для механических испытаний элементов микро- и наносистем. // Измерительная техника, 2018, №8, стр. 43-46. DOI: 10.32446/0368-1025it-2018-8-43-46 . РИНЦ 
  21. Postnikov, A.V. Collective behavior of bulk nanobubbles produced by alternating polarity electrolysis / Postnikov, Alexander V.; Uvarov, Ilia V.; Penkov, Nikita V.; Svetovoy, Vitaly B. // NANOSCALE. 2018. 10. 1. 428-435. DOI: 10.1039/c7nr07126d 
  22. Poydasheva, A.G. The dynamics of the m. extensor digitorum communis cortical representation after motor imagery training sessions using brain-computer interface: Controlled study / Poydasheva A.G., Lyukmanov R.X., Aziatskaya G.A. // Clinical Neurophysiology. May 2018. Т.129. №S1. С.e210 — DOI: 10.1016/j.clinph.2018.04.543 
  23. Presnov, D.E. Local sensor based on nanowire field effect transistor from inhomogeneously doped silicon on insulator / Presnov, Denis E.; Bozhev, Ivan V.; Miakonkikh, Andrew V.; Simakin, Sergey G.; Trifonov, Artem S.; Krupenin, Vladimir A. // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018. 123. 5. 54503. DOI: 10.1063/1.5019250 
  24. Privezentsev, V.V. Evolution of Phase Composition and Structure in Sapphire Implanted with64Zn+Ions and Heat-Treated in Oxygen / Privezentsev, V.V., Zilova, O.S., Burmistrov, A.A., Batrakov, A.A., Presnyakov, M.Y. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2018. 82(2), с. 163-169. DOI https://doi.org/10.3103/S1062873818020193 
  25. Privezentsev, V.V. Formation of Precipitates in Si Implanted with Zn-64(+) and O-16(+) Ions / Privezentsev, V. V.; Kirilenko, E. P.; Goryachev, A. V.; Lutzau, A. V. // SEMICONDUCTORS. 2018. 52. 8. C.961-968. DOI: 10.1134/S106378261808016X
  26. Привезенцев, В.В. Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами 64Zn+ и 16O+ . / В.В. Привезенцев, Е.П. Kириленко, А.В. Горячев, А.В. Лютцау // ФТП, 2018, том 52, вып. 8, сс. 827-835. DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46205.8702 
  27. Privezentsev, V.V. Modification of Zinc-Implanted Silicon by Swift Xenon Ion Irradiation / Privezentsev, V. V.; Skuratov, V. A.; Kulikauskas, V. S., Makunin, A. V., Ksenich, S. V.), Steinman, E. A., Tereshchenko, A. N., Goryachev, A. V. // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION Том: 12 Выпуск: 5 Стр.: 893-897 Опубл: SEP 2018. DOI: 10.1134/S1027451018050099
  28. Привезенцев, В.В. МОДИФИКАЦИЯ Si, ИМПЛАНТИРОВАННОГО Zn, ПУТЕМ ОБЛУЧЕНИЯ БЫСТРЫМИ ИОНАМИ Xe. / В.В. Привезенцев, В.А. Скуратов, В.С. Куликаускас, А.В. Макунин, С.В. Ксенич, Э.А. Штейнман, А.Н. Терещенко, А.В. Горячев // ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, 2018, № 9, сс. 67–72. DOI: 10.1134/S0207352818090093 
  29. Privezentsev, V.V. Nanoparticle Formation in Zn+ and O+ Ion Sequentially Implanted SiO2 Film / Privezentsev, V. V.; Makunin, A. V.; Batrakov, A. A.; Ksenich, S. V.; Goryachev, A. V. // SEMICONDUCTORS. 2018. 52. 5. 645-650. DOI: 10.1134/S106378261805024X 
  30. Pukhov, D.E. Specific Features of Energy Dispersive X-Ray Electron Probe Microanalysis in the Low Vacuum Mode / Pukhov, D.E., Kurbatov, S.V. // Journal of Analytical Chemistry. 2018. 73(3), с. 249-256 . DOI https://doi.org/10.1134/S1061934818030103

Pages: 1 2 3 4 5 6

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.