2018

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год

Статьи:

  1. Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov, D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, A. Satou // Physical Review B 97, 205411 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.205411
  2. Amirov, I. I. Self-formation of a nanonet of fluorinated carbon nanowires on the Si surface by combined etching in fluorine-containing plasma / Amirov, I. I., Gorlachev, E. S., Mazaletskiy, L. A., Izyumov, M. O., Alov, N. V. //JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS. – 2018. Т.51. В.1. DOI: 10.1088/1361-6463/aaacbe
  3. Avosopiants, G. V. Non-Gaussianity of multiple photon-subtracted thermal states in terms of compound-Poisson photon number distribution parameters: theory and experiment / Avosopiants, G. V.; Katamadze, K. G.; Bogdanov, Yu I.; Bantysh, B. I.; Kulik, S. P. // LASER PHYSICS LETTERS. 2018. 15. 7. 75205. DOI: 10.1088/1612-202X/aabed6
  4. Bachurin, V.I. Sputtering of Silicon and Silicon Dioxide by Low-Energy Ions of Dense Nitrogen and Argon Plasma / Bachurin, V.I., Izyumov, M.O., Amirov, I.I., Shuvaev, N.O. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2018. 82(2), с. 127-130. DOI https://doi.org/10.3103/S1062873818020053
  5. Бачурин, В.И.  Распыление кремния и диоксида кремния низкоэнергетичными ионами плотной азотной и аргоновой плазмы / Бачурин В.И., Изюмов М.О., Амиров И.И., Шуваев Н.О. // Известия РАН. Серия физическая. 2018. Т. 82. № 2. С. 146-149. DOI: 10.7868/S0367676518020035 . РИНЦ, Scopus 
  6. Bandurin, D.A. Dual Origin of Room Temperature Sub-Terahertz Photoresponse in Graphene Field Effect Transistors. / D.A. Bandurin, I. Gayduchencko, Y. Cao, M. Moskotin, A. Principi, I. Grigorieva, G. Goltsman, G. Fedorov, D. Svintsov // Applied Physics Letters 112, 141101 (2018). DOI: 10.1063/1.5018151 
  7. Bogdanov, Yu. I. Tomography of multi-photon polarization states in conditions of non-unit quantum efficiency of detectors / Bogdanov, Yu I.; Bantysh, B. I.; Bogdanova, N. A.; Lukichev, V. F. // LASER PHYSICS. – 2018. Т.28. В.2. 25204. DOI: 10.1088/1555-6611/aa9a9f 
  8. Bogdanov, Yu.I. Methods for analysing the quality of the element base of quantum information technologies / Bogdanov Yu.I., Fastovets D.V., Bantysh B.I., Chernyavskii A.Yu., Semenikhin I.A., Bogdanova N.A., Katamadze K.G., Kuznetsov Yu.A., Kokin A.A., Lukichev V.F. // Quantum Electronics, V. 48, 11, 2018, P. 1016-1022. – DOI: 10.1070/QEL16760
  9. Богданов, Ю.И. Методы анализа качества элементной базы квантовых информационных технологий // Ю.И. Богданов, Д.В. Фастовец, Б.И. Бантыш, А.Ю. Чернявский, И.А. Семенихин, Н.А. Богданова, К.Г. Катамадзе, Ю.А. Кузнецов, А.А. Кокин, В.Ф.Лукичев // Квантовая электроника, 48, № 11 (2018), 1016–1022. http://dx.doi.org/10.1070/QEL16760 
  10. Chernyavskiy, A.Yu. Parallel Computational Structure of Noisy Quantum Circuits Simulation / Chernyavskiy, A. Yu.; Voevodin, Vad. V.; Voevodin, Vl. V. // LOBACHEVSKII JOURNAL OF MATHEMATICS. 2018. 39. 4. C.494-502. – DOI: 10.1134/S1995080218040042 
  11. Chesnokov, Yu.M. Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition / Chesnokov, Yu. M.; Miakonkikh, A. V.; Rogozhin, A. E.; Rudenko, K. V.; Vasiliev, A. L. // JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE. 2018. Т.53. В.10. С.7214-7223. DOI: 10.1007/s10853-018-2099-5 
  12. Chuev, M.A. Separation of Contributions of the Magnetic Relaxation and Diffusion of Nanoparticles in Ferrofluids by Analyzing the Hyperfine Structure of Mossbauer Spectra / Chuev, M. A.; Cherepanov, V. M.; Polikarpov, M. A.; Gabbasov, R. R.; Yurenya, A. Yu. // JETP LETTERS. 218. 108. 1. C.59-62. DOI: 10.1134/S0021364018130064
  13. Чуев, М.А. Разделение вкладов магнитной релаксации и диффузионного движения наночастиц в феррожидкостях на основе анализа сверхтонкой структуры мессбауэровских спектров / М.А. Чуев, В.М. Черепанов, М.А. Поликарпов, Р.Р. Габбасов, А.Ю. Юреня. // Письма в ЖЭТФ, 2018, т.108, №1, с. 57-61. DOI: 10.1134/S0370274X18130118
  14. Doronin, M.A. Limits of single crystal diamond surface mechanical polishing. / M.A. Doronin, S.N. Polyakov, K.S. Kravchuk, S.P. Molchanov, A.A. Lomov, S.Yu. Troschiev, S.A. Terentiev // Diamond & Related Materials 87 (2018) 149–155. doi:10.1016/j.diamond.2018.05.016 
  15. Fadeev, A.V. Analytical Model of Atomic Layer Deposition of Films on 3D Structures with High Aspect Ratios / Fadeev, A. V.; Myakon’kikh, A. V.; Rudenko, K. V. // TECHNICAL PHYSICS. 2018. Т.63. в.2. С.235-242. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218020123 
  16. Fadeev, A.V. Atomic Layer Deposition of Thin Films onto 3D Nanostructures: The Effect of Wall Tilt Angle and Aspect Ratio of Trenches / A. V. Fadeev, K. V. Rudenko // Tech. Phys. (2018) 63: 1525. DOI: 10.1134/S1063784218100092 
  17. Fadeev, A.V. Analytical Model for Atomic-Layer Deposition of Thin Films on the Walls of Cylindrical Holes with a Relatively High Aspect Ratio / A.V. Fadeev, K.V. Rudenko // Technical Physics (2018) 63(8):1228-1235. DOI: 10.1134/S1063784218080054 
  18. Filippov, S. N. Evaluation of non-unital qubit channel capacities // Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки. – 2018. – Т. 160, кн. 2. – С. 258-265 
  19. Filippov, S. N. Lower and upper bounds on nonunital qubit channel capacities // Reports on Mathematical Physics 82, 149-159 (2018). DOI: 10.1016/S0034-4877(18)30083-1 
  20. Filippov, S. N. Time deformations of master equations / S. N. Filippov, D. Chruscinski. // Physical Review A 98, 022123 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevA.98.022123 
  21. Filippov, S. N. Ultimate entanglement robustness of two-qubit states against general local noises / Filippov, Sergey N.; Frizen, Vladimir V.; Kolobova, Daria V. // PHYSICAL REVIEW A. 2018. Т.97. В.1. С.12322. DOI: 10.1103/PhysRevA.97.012322 
  22. Filippov, S. Simulability of observables in general probabilistic theories / Filippov, Sergey N.; Heinosaari, Teiko; Leppajarvi, Leevi // PHYSICAL REVIEW A. 2018. Т.97. В.6. 62102. DOI: 10.1103/PhysRevA.97.062102 
  23. Goldstein, R. Electromigration-Induced Instability of the Interface between Solid Conductors / Goldstein, R., V; Makhviladze, T. M.; Sarychev, M. E. // PHYSICAL MESOMECHANICS. 2018. T.21. #4. C.275-282. DOI: 10.1134/S102995991804001X 
  24. Ivanov, Y.D. Ultrasensitive Detection of 2,4-Dinitrophenol Using Nanowire Biosensor / Ivanov, Yuri D. , K.A. Malsagova, T.O. Pleshakova, R.A. Galiullin, A.F. Kozlov, I.D. Shumov, Ir.A. Ivanova, A.I. Archakov, V.P. Popov, A.V. Latyshev, K.V. Rudenko, and A.V. Glukhov // Journal of Nanotechnology, Volume 2018, Article ID 9549853, 6 pages. DOI: 10.1155/2018/9549853 
  25. Katamadze, K.G. How quantum is the quantum vampire effect?: testing with thermal light / Katamadze, K. G.; Avosopiants, G. V.; Bogdanov, Yu. I.; Kulik, S. P. // OPTICA. 2018. T.5. №6. C.723-726. DOI: 10.1364/OPTICA.5.000723 
  26. Kudrya, V.P. Applications of the Technology of Fast Neutral Particle Beams in Micro- and Nanoelectronics / Kudrya V.P., Maishev Yu.P. // Russian Microelectronics, 2018, Vol. 47, No. 5, pp. 332?343; DOI: 10.1134/S1063739718050049) (Scopus)
  27. Кудря, В.П. Применение технологии пучков быстрых нейтральных частиц в микро- и наноэлектронике / Кудря В.П., Маишев Ю.П. // Микроэлектроника, 2018, т. 47, № 5, с. 51 63 DOI: 10.31857/S054412690001738-8 
  28. Lomov, A.A. Dose Dependence of Nanocrystal Formation in Helium-Implanted Silicon Layers / Lomov, A. A.; Myakon’kikh, A. V.; Chesnokov, Yu. M.; Denisov, V. V.; Kirichenko, A. N.; Denisov, V. N. // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. 2018. T.44. #4. C. 291-294. DOI: 10.1134/S1063785018040077
  29. Ломов, А.А. Дозовая зависимость формирования нанокристаллов в имплантированных гелием слоях кремния / А.А. Ломов, А.В. Мяконьких, Ю.М. Чесноков, В.В. Денисов, А.Н. Кириченко, В.Н. Денисов. // Письма в ЖТФ. 2018. Т.44. Вып.7. С. 39-46. DOI: 10.21883/PJTF.2018.07.45883.17112 
  30. Lomov, A.A. Helium Bubbles Formed in Si(001) Layers after High-Dose Implantation and Thermal Annealing / Lomov A.A., Myakonkikh A.V., Chesnokov Y.M. // Russian Microelectronics, 2018. 47 (3), pp. 165-174. DOI: 10.1134/S1063739718030083
  31. Ломов, А.А. Гелиевые пузыри в слоях Si(001) после высокодозовой имплантации и термического отжига / Ломов А.А., Мяконьких А.В., Чесноков Ю.М. //Микроэлектроника. 2018. Т. 47. №3. С. 1–11; DOI: 10.7868/S054412691803002X 
  32. Lomov, A.A. Structural evolution of thermal annealed Si(001) surface layers fabricated by plasma immersion He+ implantation / A. A. Lomov, K. D. Shcherbachev, A. V. Miakonkikh, Yu. M. Chesnokov, D. A. Kiselev, // Nuclear Inst, and Methods in Physics Research B. 2018. V. 431 (2018) 38–46. – DOI: 10.1016/j.nimb.2018.06.024 
  33. Lyubutin, I.S. Helical spin ordering in the multiferroic Ba3NbFe3Si2O14 of the langasite family probed by Mossbauer spectroscopy / I.S. Lyubutin, M.A. Chuev, S.S. Starchikov, and K.O. Funtov. // Phys. Rev. B, v. 98, No. 13, 134434 (5 pp). DOI: 10.1103/PhysRevB.98.134434 
  34. Makhviladze, T.M. Simulating the Effects of Internal Mechanical Stresses on the Decomposition Kinetics of a Supersaturated Oxygen Solution in Silicon / Makhviladze, T.M., Sarychev, M.E. // Russian Microelectronics. 2018 . 47(1), с. 11-19. DOI https://doi.org/10.1134/S1063739718010043 
  35. Makhviladze, T.M. The Model of the Process of the Chemical Mechanical Polishing of the Copper Metallization, Based on the Formation of the Passivation Layer / T. M. Makhviladze, M. E. Sarychev. // Russian Microelectronics, 2018, Vol. 47, № 5. Р.344-353. DOI: 10.1134/S1063739718050050

Pages: 1 2 3 4 5 6

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.