Обнаружено явление относительного изменение интенсивности отраженного света (l=632 нм) в магнитном поле 80 Э для тонкопленочных магнитных структур (порядка 10 нм), нанесенных на перфорированную пленку алюминия посредством анодирования. Обнаруженное явление интерпретируется в рамках теории поверхностного плазмон-поляритона и может использоваться при разработке информационных устройств нового поколения.
Перфорированная пленка алюминия толщиной 600 нм
Ваганова Е.И., Мироненко А.А., Папорков В.А., Рудь Н.А., Рудый А.С., Проказников А.В. Усиление фотоэлектрического отклика наноструктурированием поверхности, Микроэлектроника, 2011, т. 40, № 1, с. 36-44.
Проказников А. В., Можаев А. В., Маковийчук М. И., Разработка программного комплекса для исследования трехмерного динамического моделирования формирования кластеров, Двенадцатая международная научно-практическая конференция «Современные Информационные и Электронные Технологии» (СИЭТ-2011), 2011, Украина, г. Одесса, т. 1, с.35.