Авторы: Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев
Раздел фундаментальных и поисковых научных исследований: 1.3.2.10. Физическое материаловедение и физика дефектов.
Долговечность современных ИС в значительной степени определяется надежностью интерфейсов. В рамках общей теории нестабильных интерфейсов получены решения уравнений, описывающих процессы влияния электрического поля и различных механических напряжений на устойчивость интерфейсов соединенных материалов под совместным действием электрического тока и различных механических напряжений, вызванных процессами электромиграции, влиянием структурных, материальных и геометрических характеристик материалов, наличием примесей, остаточных напряжений, а также эксплуатационными параметрами и другими причинами, влияющими на работоспособность и время до отказа планарных и объёмных ИС. Выявлены зоны неустойчивости интерфейсов разной степени сложности в зависимости от внешних условий (температуры, плотности тока и остаточных механических напряжений, генерируемых подложкой). Получены опытные подтверждения критериев устойчивости и параметров, определяющих зоны стабильности, для широко применяемых интерфейсных структур, исследованы соответствующие времена до отказа. Развитая теория позволит при создании новых перспективных структур заранее предсказывать и обосновывать их надежность и время до отказа.
