15:00
К. В. Егоров (МФТИ (ГУ))
Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением
2019-05-28
15:00
К. В. Егоров (МФТИ (ГУ))
Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением
© 2001-2022 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук