Обсуждение статей для публикации в журналах

14 мая (среда) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. “О корректности модельного описания состава плазмы в смеси SF6 + He + O2” А. В. Мяконьких, В. О. Кузьменко, А. М. Ефремов, К. В. Руденко, статья для опубликования в Журнале “Микроэлектроника” издательства “Наука”. Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
  2. “Сегнетоэлектрические свойства легированного HfO2 и перспективы создания транзисторов FeFET и нейроморфных интегральных схем”. Руденко К.В., Мяконьких А.В., Ломов А.А., Лукичев В.Ф., В.А. Антонов, М.С. Тарков, В.П. Попов,   материалы доклада на  конференции посвященной 80-летию академика РАН, Президента РТУ МИРЭА Александра Сергеевича Сигова.  3 июня 2025 г. РТУ МИРЭА, Москва (по приглашению оргкомитета). Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
  3. “Моделирование влияния технологических параметров на рост киральных метаповерхностей” М. М. Чебохин, О. С. Трушин, опубликование в трудах конференции “Физика, техника и технология сложных систем”, Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, Ярославль, 23 апреля по 7 мая 2025 года. Чебохин Максим Михайлович , ЯФ ФТИАН
  4. «Влияние ионной бомбардировки на структуру тонких пленок Pt и напряжения в них»  Р.В. Селюков, В.В. Наумов, М.О. Изюмов, С.В. Васильев, Л.А. Мазалецкий. Статья в журнал «Письма в Журнал технической физики» издательства “ФТИ им. А.Ф.Иоффе”. Селюков Роман Вячеславович, ЯФ ФТИАН
  5. “Метод тестирования радиационной стойкости материалов полупроводниковой электроники в электронном микроскопе» В.А. Киселевский, А. А. Татаринцев, статья в журнал “Микроэлектроника” издательства “Наука”. Киселевский Всеволод Алексеевич, ФТИАН
  6. “ИОННО-СТИМУЛИРОВАННАЯ ПОВЕРХНОСТНАЯ ДИФФУЗИЯ” А.В. Фадеев, Ю.Н. Девятко статья в журнал “Микроэлектроника” издательства “Наука”. Фадеев Алексей Владимирович, ФТИАН

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.