15 апреля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
В программе рассмотрение следующих материалов:
- A.S. Babushkin , A.N. Kupriyanov, «A molecular dynamics study of mechanical stress changes in Cr and Cu polycrystalline films due to low energy Ar ion bombardment» (А.С. Бабушкин, А.Н. Куприянов «Исследование методом молекулярной динамики изменения механических напряжения в поликристаллических пленках Cr и Cu в результате низкоэнергетической бомбардировки ионами Ar»,). Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion–Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Бабушкин Артем Сергеевич, ЯФ ФТИАН
- A.V. Tsukanov “Exciton qubit on spatial states of a triple quantum dot”. (А.В. Цуканов, «Экситонный кубит на пространственных состояниях тройной квантовой точки»). Опубликование в виде статьи в журнале “ Optical and Quantum Electronics” издательства “Springer”. Докладчик Цуканов Александр Викторович, ФТИАН
- A.V. Tsukanov, I. Yu. Kateev “Tunnel–optical electron transitions in an asymmetric double quantum dot under correction field” (А.В. Цуканов и И.Ю. Катеев «Туннельно-оптические электронные переходы в асимметричной двойной квантовой точке с корректирующим полем») Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале “Laser Physics Lettres” издательства IOP Publishing, Докладчик Цуканов Александр Викторович, ФТИАН
- И.И. Амиров, А.Н. Куприянов, М.О. Изюмов, Л.А. Мазалецкий. НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ РАСПЫЛЕНИЕ Al-Cu В АРГОНОВОЙ ПЛАЗМЕ. ЭКСПЕРИМЕНТ И МОДЕЛИРОВАНИЕ. Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г. Докладчик Амиров Ильдар Искандерович, ЯФ ФТИАН
- Д.Э. Пухов, М.Е. Лебедев «Неразрушающий электронно-зондовый энергодисперсионный анализ массовой толщины и коэффициента ослабления рентгеновского излучения тонких пленок». Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Журнал технической физики» издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Докладчик Пухов Денис Эдуардович, ЯФ ФТИАН
- А.С. Бабушкин*, Р.В. Селюков, Моделирование самосборки микроиндукторов производимой за счет остаточных механических напряжений. Для опубликования в открытой печати в виде: статьи в журнале «Микроэлектроника» издательства «НАУКА». Докладчик Бабушкин Артем Сергеевич, ЯФ ФТИАН
- Халилуллин Р. Р., Кузьменко В. О., Мяконьких А.В. «Влияние технологических параметров процесса травления на энергетический спектр ионов.» Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Журнал технической физики» издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Докладчик Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
- Isaev A. G., Permyakova O. О., Kalimova I.F., Lomov A.A., Chesnokov Y.M., Miakonkikh A. V., Rogozhin A. Е. «Crystallization and conductive filament growth in HfO2 and HfOxNy–based structures». (Исаев А.Г., Пермякова О.О., Калимова И.Ф., Ломов А.А., Чесноков Ю.М., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е. «Кристаллизация и рост проводящих филаментов в структурах на основе HfO2 и HfOxNy»). Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Nanomaterials» издательства “MDPI”. Докладчик Исаев Александр Геннадьевич, ФТИАН
- М.А. Смирнова, В.И. Бачурин, М.Е. Лебедев, К.Н. Лобзов, Л.А. Мазалецкий, Д.Э. Пухов, С.Г. Симакин, А.Б. Чурилов «Развитие топографии поверхности полупроводников А3В5 при облучении фокусированным ионным пучком галлия». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion-Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Смирнова Мария Александровна, ЯФ ФТИАН
- А.С. Рудый, М.А. Смирнова, В. И. Бачурин, А.Н. Куликов «Формирование террасированного рельефа на поверхности кремния при облучении ионами галлия». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г. Докладчик Смирнова Мария Александровна, ЯФ ФТИАН
- В.К. Смирнов, Д.С. Кибалов, В.И. Бачурин, А.Б. Чурилов, А.С. Рудый «Периодические наноструктуры на поверхности GaAs и AlGaAs самофмируемые распылением ионами азота». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion-Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Бачурин Владимир Иванович, ЯФ ФТИАН
- Ю.А. Данилов, И.Н. Антонов, В.И. Бачурин, М.В. Ведь, О.В. Вихрова, Ю.А. Дудин, И.Л. Калентьева, Р.Н. Крюков, А.В. Нежданов, А.Е. Парафин, С.Г. Симакин, П.А. Юнин «Формирование ферромагнитных слоев GaMnAs имплантацией ионов Mn в ускорителе с вакуумно-дуговым источником» для публикации в Журнале технической физики. Докладчик: Бачурин Владимир Иванович, ЯФ ФТИАН
- «Quantum register based on double quantum dots in semiconductor nanowires» (перевод «Квантовый регистр на основе двойных квантовых точек в полупроводниковых нанопроводах» В.В. Вьюрков, Л.Е. Федичкин, И.А. Семенихин, Д.А. Дрожжин, К.В. Руденко, В.Ф.Лукичев. 1) в открытой печати в виде статьи в журнале “Physical Review” (B, X Quantum) издательства “American Physical Society”. 2) в виде препринта на сайте ArXiv (https://arxiv.org/), Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.
- Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е., «Применение квантового компьютера в Арктике», Презентация (без опубликования в печати) представлена для выступления на 9-ом Международном Арктическом саммите «Арктика: перспективы, инновации и развитие регионов» (Саммит Арктика 2025) 23 апреля, Москва, докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.
- Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е., «Квантовый компьютер: достижения и перспективы. Презентация (без опубликования в печати) представлена для выступления на XXIX форуме Связь-2025, 25 апреля, Москва, докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.