Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

Авторы: Руденко К.В., Вьюрков В.В., Рогожин А.Е., Мяконьких А.В., Татаринцев А.А.

Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI.  Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

Разработана технология наноразмерных кремниевых Fin-структур и нанопроводов с критическим размером менее 10 нм. Технология успешно перенесена с объемных Si подложек на подложки КНИ. Достигнуты рекордные параметры размеров нанопроводов: сечение 8х50 нм и длина 200 нм (литографический размер – 10 нм). Технология воспроизводима и позволила создать топологически упорядоченные массивы нанопроводов до 10000 штук. Прецизионный метод удаления поверхностного слоя 1-2 нм кремния с дефектами кристаллической структуры в Si-нанопроводниках, возникшими в ходе плазмохимического травления, позволил в 105 раз увеличить проводимость Si – нанопроводников, исключив механизмы рассеяния носителей на поверхностных дефектах.

 

  1. Vyurkov V.V., Khabutdinov R.R., Nemtsov A.B., Semenikhin I.A., Rudenko M.K., Rudenko K.V., Lukichev V.F. Analytic Model of Transit-Time Diodes and Transistors for the Generation and Detection of THz Radiation // Russian Microelectronics, 2018, 47(5), pp. 290-298.
  2. Miakonkikh A.V., Orlikovskiy N.A., Rogozhin A.E., Tatarintsev A.A., Rudenko K.V. Dependence of the Resistance of the Negative e-Beam Resist HSQ Versus the Dose in the RIE and Wet Etching Processes //Russian Microelectronics, 2018, 47(3), pp. 157-164.
  3. А.В. Мяконьких, А.А. Татаринцев, К.В. Руденко. Электронная литография и анизотропное плазмохимическое травление кремниевых FIN-структур для FINFET и SiNW транзисторов с размерами 11–22 нм // Труды ФТИАН. T. 27. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование. С. 59-65. ISBN. 978-5-02-040089-4

 

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.