Исследование новых процессов анизотропного плазмохимического травления структур кремниевой наноэлектроники

Исследования в области физики и технологии затворных структур кремниевых МДП-нанотранзисторов (так называемых HKMG-FET транзисторов) с проектными нормами 32 нм и менее с использованием high-Kподзатворных  диэлектриков и металлических затворов. Разработаны процессы селективного по отношению к HfO2 травления наноразмерных металлических затворов и процессы высокоселективного по отношению к кремнию травления high-K диэлектрика.  Т.о., разработаны технологические основы создания HKMG-стеков нанотранзисторов.


I.I. Amirov, S.N. Averkin, V.F. Lukichev, V.A. Kalnov, A.A. Orlikovsky, and K.V. Rudenko. Plasma processing in micro- and nanoelectronics: process design, in situ process diagnostics, and concept of equipment. Nanotechnology International Forum, 1-3 November, 2010, Moscow. (2010).

А. Орликовский, В. Лукичев, К. Руденко, А. Рудый. Критические элементы нанотранзисторов: физика, технология и материалы.//Интеграл, №4, с.10-17. (2010).

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.