Формирование тонких слоев подзатворных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью

Исследованы процессы осаждения оксида гафния с целью формирования слоев подзатворных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в МДП-нанотранзисторах. Разработаны технология получения тонких слоев оксида гафния методом электронно-лучевого испарения с предварительной подготовкой поверхности в высоковакуумной установке BalzersUMS-500 P и технология осаждения методом плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения (P-ALD) на установке FlexAl (Oxford Instruments, UK) под контролем спектральной эллипсометрии in situ. Получены и исследованы пленки диоксида гафния толщиной 2-7 нм. Измерены оптические характеристики, подтверждающие стехиометрический состав пленок, проведены CV-измерения затворных «стеков».

Полученные значения диэлектрической проницаемости пленки HfO2  (23 – 25,2) и токов утечек в составе затворных структур (0,15 А/cм2 при 1В) существенно лучше допустимых значений, предсказанных в ITRS на 2018 г. для перспективных нанотранзисторов УБИС процессоров и схем с малым потреблением энергии.


А.Г. Васильев, Р.А. Захаров, А.А. Орликовский, А.Е. Рогожин, М.С. Сонин, И.А. Хорин, Электрофизические характеристики затворных структур с HfO2, сформированных методом электронно-лучевого испарения// Микроэлектроника, Т. 38, 2009, С. 361-368.

А.Miakonkikh, A. Rogozhin, K. Rudenko, and A. Orlikovsky, Properties of thin HfO2 gate dielectric formed in Atomic Layer Deposition process, Book of Abstracts, International Conference Micro- and Nanoelectronics-2012, Zvenigorod, Russia, 1-5 October, 2012.

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.