Физические основы технологии силидизации контактов в глубоко субмикронных КМОП СБИС

В области проблем металлизации кремниевых СБИС выполнены приоритетные исследования физических основ самосовмещенной технологии силидизации контактов в глубоко субмикронных КМОП СБИС на основе дисилицида титана (TiSi2) и дисилицида кобальта (CoSi2), изучена стабильность многослойных систем металлизации Si-TiSi2-Al и  Si-TiSi2 (TiN)-W-Al, развит новый подход к формированию металлизации в результате фазового расслоения в системах Ti-Co-N/CoSi2/Si в условиях поверхностно-диффузионных реакций в процессе нанесения, найдены условия формирования планарных границ TiSi2 и CoSi2  с Si и надежных барьерных слоев в современных системах соединений на основе Cu.


K.A.Valiev, A.G.Vasiliev, A.A.Orlikovsky, A.L.Vasiliev, A.L.Golovin, R.M.Imamov, N.A.Kiselev.Structure and properties of TiSi2 films on Si, obtained by Ti and Si cо-evaporation in high vacuum.||Vacuum, vol.42, No.18, p/1191 – 1201.

ВасильевА., ЗахаровР., РодатисВ., ЛобинцовА., ОрликовскийА., ХоринИ.ФазообразованиевмногокомпонентныхсистемахTi-Co-Si-NиTi-Co-Nприповерхностно-диффузионноммеханизмеформированиятонкихпленокнаSiиSiO2, ||МикроэлектроникаТ.30, № 5, с. 345-352 (2001).

Vasiliev A.L., Aindow M., Vasiliev A.G., Orlikovsky A.A., Horin I.A.Phase Formation in Ti (Ta)-Ni and Co-Ti Films Deposited on (001)Si in N2 Atmosphere. ||Mat. Res. Soc. Proc., SymposiumN, V. 745, N4.10 (2003).

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.