Диагностика и мониторинг плазмохимических процессов травления и осаждения микроэлектронных структур

На основе разработанных методов и средств диагностики in situ плазменных технологических процессов развиты методы контроля параметров анизотропного травления и плазмостимулированного осаждения, которые позволяют обеспечить надежность плазменных технологических процессов при создании микро- и наноструктур.


К.В. Руденко, А.В. Мяконьких, А.А. Орликовский. Мониторинг плазмохимического травления структур polySi/SiO2/Si: зонд Ленгмюра и оптическая эмиссионная спектроскопия. // Микроэлектроника, т.36, № 3, с. 206 – 221. (2007).

K.В. Руденко. Диагностика плазменных процессов в микро- и наноэлектронике.// Химия высоких энергий, т. 42, № 3, стр. 242-249 (2009).

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.