Важнейшие результаты (Page 5)

Гетероструктуры GexSi1-x/Si с низкой плотностью дислокаций, полученные в результате отжига многослойных структур Ge/Si

Методом МВЕ выращены многослойные структуры Ge/Si переменной толщины (от 0,1 до 15 нм) с результирующей толщиной 80 – 150 нм на Si (111). При температуреПодробнее

Физические основы технологии силидизации контактов в глубоко субмикронных КМОП СБИС

В области проблем металлизации кремниевых СБИС выполнены приоритетные исследования физических основ самосовмещенной технологии силидизации контактов в глубоко субмикронных КМОП СБИС на основе дисилицида титана (TiSi2)Подробнее

Формирование ультратонких силицидных слоев на основе кобальта для омических контактов

Для создания силицидных слоев используется двухстадийная быстрая термическая обработка (БТО). На первой стадии из исходной структуры Ti/Co/Ti/Si формируется “жертвенный” слой, состоящий из TiOxNy и Ti-Со-Si.Подробнее

Бистабильность и гистерезис в кремниевой пластине, вызванные тепловым пробоем при нагревании пластины мощным некогерентным излучением

При облучении кремниевой пластины мощным потоком некогерентного излучения может наблюдаться тепловой пробой, сопровождающийся бистабильностью и гистерезисом. Для проявления эффекта температурной бистабильности необходим интенсивный теплоотвод, включающий,Подробнее

Молекулярно-пучковая эпитаксия арсенида галлия на кремнии

Выполнен цикл исследований по молекулярно-пучковой эпитаксии арсенида галлия на кремнии (с замыслом о создании оптических связей на больших кремниевых кристаллах). Благодаря применению изовалентного легирования (In)Подробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Разработан источник быстрых атомарных и молекулярных нейтральных частиц. Источник работает с инертными и химически активными газами; степень нейтральности формируемых пучков – до 100 %, диапазонПодробнее

Осаждение углеродных алмазоподобных пленок из пучков ионов

В 2012 году впервые в России в ФНЦ трансплантологии и искусственных органов им. В.И. Шумакова осуществлена имплантация человеку осевого насоса, так называемого «искусственного сердца», предназначенногоПодробнее

Плазмохимические процессы травления высокоаспектных структур в кремнии

Проведены исследования глубокого анизотропного травления Si в циклическом, двухстадийном процессе в плазме SF6/C4F8 ВЧИ разряда (Bosch-процесс) для получения высокоаспектных микроструктур. Создан программный комплекс моделирования формированияПодробнее

Развитие технологий плазменных процессов формирования трехмерных микро-инаноструктур

Выполнены исследования в области разработки конструкции, математического моделирования и технологии изготовления изделий микросистемной техники. Разработаны маршруты изготовления на основе технологии формирования микроструктур с использованием плазмохимическогоПодробнее

Разработка технологии изготовления чувствительного элемента микрогироскопа для систем навигации

Совместно с Раменским приборостроительным КБ и ОАО «Инерциальные Технологии «Технокомплекса» проведены обширные исследования по разработке конструкции, технологии изготовления микрогироскопа на основе МЭМС технологии для современныхПодробнее