Гетероструктуры GexSi1-x/Si с низкой плотностью дислокаций, полученные в результате отжига многослойных структур Ge/Si
Методом МВЕ выращены многослойные структуры Ge/Si переменной толщины (от 0,1 до 15 нм) с результирующей толщиной 80 – 150 нм на Si (111). При температуреПодробнее