Лаборатории » Лаборатория технологий электронной и оптической литографии

Руководитель лаборатории — с.н.с., к.ф-м.н. Рогожин А.Е.

rogozhin@ftian.ru

Основные напрвления исследования

  1. Разработка новых резистов и характеризация доступных резистов в интересах микроэлектронной промышленности РФ
  2. Создание базы данных производителей резистов
  3. Оптимизация литографических процессов во ФТИАН им. К.А. Валиева РАН

Сотрудники лаборатории

Шишлянников Антон Валерьевич, к.ф.-м.н., ведущий инженер
Исаев Александр Геннадьевич, м.н.с.
Фетисенкова Ксения Алексеевна, инженер, студентка МФТИ
Киселевский Всеволод Алексеевич, инженер, студент МГУ
Звонов Петр Петрович, инженер, студент МЭИ
Глаз Олег Геннадьевич, студент МЭИ

Публикации

  1. Sidorov F., Rogozhin A., Bruk M., Zhikharev E. Direct Monte-Carlo simulation of dry e-beam etching of resist // Microelectronic Engineering – 2020 – V.227 – 111313. DOI: 10.1016/j.mee.2020.111313
  2. Isaev A.G., Sidorov F.A., Rogozhin A.E. Influence of Resist Spreading during Its Dry Electron-Beam Etching on a Lateral Resolution // Russian Microelectronics – 2021 – V.50(1) – p. 19–23. DOI: 10.1134/S1063739721010066
  3. Miakonkikh A., Lomov A., Rogozhin A., Rudenko K., Lukichev V., Kiselev D., Tikhonenlo F., Antonov V., Popov V. Phase transformation in ALD hafnia based layers for silicon-on-ferroelectric devices // 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EUROSOI-ULIS – 2020, art. no. 9365298. DOI: 10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365298
  4. Miakonkikh A.V., Shishlyannikov A.V., Tatarintsev,A.A., Kuzmenko V.O., Rudenko K.V., Gornev E.S. Study of the Plasma Resistance of a High Resolution e-Beam Resist HSQ for Prototyping Nanoelectronic Devices // Russian Microelectronics – 2021 – V.50(5) – p. 297-302. DOI: 10.1134/S1063739721050048
  5. Permyakova O.O., Rogozhin A.E. Modelling electroforming process under constant bias voltage conditions // J. Phys.: Conf. Ser. – 2021 – V.2086 – 012030. DOI: 10.1088/1742-6596/2086/1/012030
  6. Rogozhin A., Miakonkikh A., Smirnova E., Lomov A., Simakin S. Rudenko K. Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Ruthenium Films Using Ru(EtCp)2 Precursor // Coatings – 2021 – V.11 – p.117. DOI: 10.3390/coatings 11020117
  7. Smirnova E.A., Miakonkikh A.V., Rogozhin A.E., Rudenko K.V. Properties of plasma enhanced atomic layer deposited ruthenium thin films from Ru(EtCp)2 // J. Phys.: Conf. Ser. – 2021 – V.2086 – 012209. DOI: 10.1088/1742-6596/2086/1/012209
  8. V P Popov, V A Antonov, F V Tikhonenko, S M Tarkov, A K Gutakovskii, I E Tyschenko, A V Miakonkikh, A A Lomov, A E Rogozhin, K V Rudenko, Robust semiconductor-on-ferroelectric structures with hafnia–zirconia–alumina UTBOX stacks compatible with CMOS technology // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2021 – 54 225101. DOI: 10.1088/1361-6463/abe6cb
  9. Chesnokov Y.M., Miakonkikh A.V., Rogozhin A.E., Rudenko K.V., Vasiliev A.L. Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition // (2018) Journal of Materials Science, 53 (10), pp. 7214-7223. DOI: 10.1007/s10853-018-2099-5
  10. Tatarintsev, A.A., Shishlyannikov, A.V., Rudenko, K.V. et al. The Effect of Temperature on the Development of a Contrast HSQ Electronic Resist. // Russ Microelectron 49, 151–156 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720030063
  11. Мяконьких А.В., Орликовский Н.А., Рогожин А.Е., Татаринцев А.А., Руденко К.В., Влияние дозы экспонирования на стойкость негативного электронного резиста HSQ в процессах плазмохимического и химического травления // Микроэлектроника, Том 47 (2018), с. 179-186. DOI: 10.7868/S0544126918030018