Институт » Историческая справка

ФТИАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.

историческая справка
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав.лабораторией физики квантовых компьютеров.

Валиев Камиль Ахметович
Валиев Камиль Ахметович

Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.

Валиев Камиль Ахметович
Валиев Камиль Ахметович

В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения – ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. В 2006 году был удостоен Государственной премии РФ. Среди учеников К. А. Валиева — академики, члены-корреспонденты РАН, доктора наук,руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.

Академик К.А. Валиев
Награждение К.А. Валиева Президентом России В.В. Путиным орденом «За заслуги перед Отечеством ΙΙΙ степени». Академик К.А. Валиев – директор ФТИАН РАН

Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

28 июля 2010 года К.А. Валиев умер после тяжелой и продолжительной болезни. Память о нём навсегда сохранится в сердцах всех, кто с ним работал, дружил и встречался в жизни.

 

Орликовский Александр АлександровичДиректором ФТИАН в 2005 году избран Орликовский А. А.
Орликовский Александр Александрович, 1938 года рождения, выпусник Московского инженерно-физического института (1961), доктор технических наук (1982), профессор (1984), в 2000 г. избран членом-корреспондентом, а в 2006 г. академиком РАН, является автором и соавтором свыше 300 научных трудов, в том числе 2 монографий. В Академии наук работает с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
В период с 1963 по 1980 г.г. внес большой вклад в разработку физических и схемотехнических проблем полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области.
Орликовский А.А – один из основоположников научных исследований в области физических основ технологии кремниевой микро- и наноэлектроники. В этой области созданы основы новых технологий металлизации, плазменных процессов травления, осаждения и имплантации, методы мониторинга плазменных процессов, высокочувствительные детекторы момента окончания процессов, томограф низкотемпературной плазмы, оригинальные конструкции широкоапертурных источников плотной плазмы и автоматизированные плазменные установки.
Последние годы А. А. Орликовский работает также над созданием технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.
Орликовский А.А.является заведующим базовых кафедр в МФТИ и Ярославском госуниверситете (ЯрГУ) им. П.Г. Демидова, научным руководителем ЦКП «Диагностика микро- и наноструктур» (ЯрГУ им. П.Г.Демидова и ФТИАН), главным редактором журнала «Микроэлектроника», председателем оргкомитета регулярной Международной конференции «Микро- и наноэлектроника» (ICMNE), членом бюро ОНИТ РАН, членом двух Научных советов РАН, двух советов по защитам диссертаций, членом Экспертного Совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности при Комитете Государственной Думы РФ по образованию, членом Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук, членом Азиатско-тихоокеанской академии наук о материалах. Является лауреатом премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С.А. Лебедева РАН. Награжден медалью 850-летия г. Москвы и орденом Дружбы.

Академик А. А. Орликовский ушел из жизни 1 мая 2016 года. Память о нем навсегда останется в сердцах коллег, друзей и знакомых.

 

Владимир Федорович Лукичев.
Владимир Федорович Лукичев

В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Родился 12 ноября 1954 года, в 1978 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.
В институте работает со дня его основания, с апреля 2005 года – в должности заместителя директора по научной работе. Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».