Наука » Издательская деятельность

ФТИАН им. К.А. Валиева РАН совместно с ОНИТ РАН является соучредителем научного академического журнала «Микроэлектроника», импакт-фактор РИНЦ 0.771 (http://www.maik.ru/ru/journal/mikelek/) , точная переводная регулярная версия которого на английском языке известна под названием «Russian Microelectronics», издается в США и индексируется в базе Scopus, распространяется издательским домом Springer (http://www.springer.com/engineering/electronics/journal/11180).  Журнал имеет как бумажную, так и электронную версию, представляет достижения российской науки на мировом уровне. Главный редактор в отчетный период – чл.-корр. В.Ф. Лукичев. Редакционная коллегия представлена ведущими российскими учеными в области микро- и наноэлектроники.

Издания:

Журнал “Микроэлектроника”

Труды ФТИАН

 

Полные тексты докладов конференции “Micro- and Nanoelectronics”  (ICMNE)  опубликованы в Proceedings of SPIE

2021: «Front Matter: Volume 12157», Proc. SPIE 12157, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, 1215701 (31 January 2022); https://doi.org/10.1117/12.2629041

2018: “Front Matter: Volume 11022”, Proc. SPIE 11022, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, 1102201 (15 March 2019); https://doi.org/10.1117/12.2528063

2016: “Front Matter: Volume 10224”, Proc. SPIE 10224, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016, 1022401 (24 January 2017); https://doi.org/10.1117/12.2270028

2014: “Front Matter: Volume 9440”, Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014, 944001 (22 December 2014); https://doi.org/10.1117/12.2184083

2012: “Front Matter: Volume 8700”, Proc. SPIE 8700, International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012, 870001 (8 January 2013); https://doi.org/10.1117/12.2019787

2009: “Front Matter: Volume 7521”, Proc. SPIE 7521, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2009, 752101 (4 March 2010); https://doi.org/10.1117/12.855024

2007: “Front Matter: Volume 7025”, Proc. SPIE 7025, Micro- and Nanoelectronics 2007, 702501 (30 April 2008); https://doi.org/10.1117/12.803179