Лаборатории » Лаборатория технологии микро и наносистем

Основные направления исследований

Основные научные результаты

Основные результаты прикладных исследований

Текущие проекты и гранты

Публикации за 2020—2021 гг.

 

Лаборатория технологии микро и наносистем Руководитель лаборатории – директор института, чл.-корр. РАН, д.ф-м.-н. Лукичев Владимир Федорович

 +7(499)129-54-92

lukichev@ftian.ru

 

 

Основные направления исследований

Развитие МЭМС технологий и устройств

Создание элементов рентгеновской оптики

Развитие математической модели «пятен» и ее применение для задач искусственного интеллекта

Разработка архитектуры и алгоритмов работы для нейроморфных устройств на базе кроссбаров с мемристорами и FeFET транзисторами

Разработка генератора терагерцового диапазона на базе нано-структуры пролетных диодов

Основные научные результаты

  1. Разработана технология омичесих и емкостных МЭМС ключей
  2. Разработана технология МЭМС акселерометров и кольцевых гироскопов
  3. Разработаны основы математической модели и аппарата пятен (нечетких фигур), предназначенных для представления и обработки неполной, качественной и смысловой информации. В частности, данная работа может служить математической базой для создания сильного искусственного интеллекта
  4. Правильность предложенного аппарата продемонстрирована при решении обратной задачи – восстановления формы фигур с использованием только качественных данных по результату сканирования

Основные результаты прикладных исследований

Изготовлены чувствительные кремниевые элементы для Раменского ПКБ

Конструкция  низкоразмерных твердотельных пролетных структур на основе тонких слоев кремния включает щель шириной 100 нм

Текущие проекты и гранты

В настоящее время работы ведутся в рамках ПФНИ по проекту FFNN-2022-0019 «Фундаментальные и поисковые исследования в области создания перспективной элементной базы наноэлектроники и ее ключевых технологий»

Публикации за 2020—2021 гг.

  1. . Asadov, M.M. Ab Initio Modeling of the Effect of the Position and Properties of Ordered Vacancies on the Magnetic State of a Graphene Monolayer / Asadov M.M., Mustafaeva S.N., Guseinova S.S., Lukichev V.F., Tagiev D.B. // Physics of the Solid State. 2021. Vol. 63. No 5. P. 680–689. https://doi.org/10.1134/S1063783421050036
  2. Fastovets, D.V. Schmidt Decomposition and Coherence of Interfering Alternatives / Fastovets D.V., Bogdanov Y.I., Bogdanova N.A., Lukichev V.F.// Russian Microelectronics. 2021. Т. 50. № 5. С. 287-296. https://doi.org/10.1134/S1063739721040065
  3. Rudenko, M. Numerical simulation of Cryogenic etching: model with delayed desorption // Rudenko K.V., A.V.Myakon’kikh, V.F.Lukichev // Russian Microelectronic. 2021. V.50 (1). P.54-62. DOI:10.1134/S106373972101008X .
  4. Asadov, M.M. Ab Initio Modeling of the Electronic and Energy Structure and Opening the Band Gap of a 4p-Element-Doped Graphene Monolayer / Asadov, M.M., Guseinova, S.S., Lukichev, V.F. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (5), pp. 314-323. DOI: 10.1134/S1063739720050030
  5. Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene Materials / Asadov, M.M., Mustafaeva, S.N., Guseinova, S.S., Lukichev, V.F. // (2020) Physics of the Solid State, 62 (11), pp. 2224-2231. DOI: 10.1134/S1063783420110037
  6. Asadov, S.M. Modifying the Dielectric Properties of the TlGaS2 Single Crystal by Electron Irradiation / Asadov, S.M., Mustafaeva, S.N., Lukichev, V.F. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (4), pp. 263-268. DOI: 10.1134/S1063739720040022
  7. Bogdanov, Yu. I. Hyper-Poisson Photon Statistics / Bogdanov, Yu. I.; Bogdanova, N. A.; Katamadze, K. G.; Avosopyants, G. V.; Lukichev, V. F. // JETP Letters. 2020 V.111. №10. P. 543-548. DOI: 10.1134/S0021364020100069
  8. 7 . Miakonkikh, A.V. Phase transformation in ALD hafnia based layers for silicon-on-ferroelectric devices / A.V. Miakonkikh, A.A. Lomov, A.E. Rogozhin, K.V. Rudenko, V.F. Lukichev, F.V. Tikhonenko, V.A. Antonov, V.P. Popov // IEEE Xplore. 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2020, pp. 1-4, doi: 10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365298.
  9. 8.Uvarov, I.V. Calculation of Performance of MEMS-Switch with Increased Capacitance Ratio / Uvarov I.V., Marukhin N.V., Shlepakov P.S., Lukichev V.F. // Russian Microelectronics, v. 49, pages 253–262 (2020). DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739720040113
  10. N. Simonov, J. Kim and M. Ka, “RF-DC Conversion Efficiency Model for High-Frequency Diodes Using DC-Single Tone Approximation,” in IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 30, no. 3, pp. 276-279, March 2020, doi: 10.1109/LMWC.2020.2971101
  11. Симонов, Н. А. Концепция пятен для задач искусственного интеллекта и алгоритмов нейроморфных систем. Микроэлектроника, 2020, 49(6), 459-473, DOI: 10.31857/S0544126920050087
  12. N. A. Simonov “Spots Concept for Problems of Artificial Intelligence and Algorithms of Neuromorphic Systems,” Russian Microelectronics, 2020, Vol. 49, No. 6, pp. 431–444, DOI: 10.1134/S106373972005008X
  13.  N. Simonov and S. -H. Son, “Overcoming Insufficient Microwave Scattering Data in Microwave Tomographic Imaging,” in IEEE Access, vol. 11, pp. 111231-111237, 2021, doi: 10.1109/ACCESS.2021.3103414