admin-ftian (Page 7)

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2004 год

1. А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, П. Г. Медведев, В. И. Пустовойт. О предельной разрешающей способности аподизированных дифракционных фильтров. Микросистемная техника, 2004, N3, с.17-20;
2. А. М. Афанасьев, В. И. Пустовойт, Ю. В. Гуляев. Деструктивная макроинтерференция как метод повышения спектрального разрешения дифракционных фильтров. Радиотехника и электроника, 2004 (в печати).
3. K. A. Valiev, А. А. Kokin. Ensamble silicon-based NMR quantum computers, c.203-223. В книге «Актуальные проблемы физики конденсированных сред. Казань, ЗАО «Новое знание», 2004.
4. A. A. Kokin. The controlled interaction between separated qubits in NMR quantum register. Proc. of SPIE, 5833 (in press), e-print cond-mat/0411083.
5. А. А. Кокин. Твердотельные квантовые компьютеры на ядерных спинах. -Москва-Ижевск, ИКК, 2004,204 стр. Монография;
6. В. В. Ивин, Т. М. Махвиладзе, К. А. Валиев. “Теоретическое рассмотрение вопросов выбора оптимальной формы источника в оптической нанолитографии”. Микроэлектроника, 2004, т.33, N3, с.163-174.
7. В. В. Ивин, Т. М. Махвиладзе, К. А. Валиев. “Анализ практических применений внеосевых источников в оптической нанолитографии”. Микроэлектроника, 2004, т.33, N4,. с.259-272.
8. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ- разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №2003104228 от 12.02.2003. Положительное решение ФИПС.
9. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №20031142716 от 06.05.2003. Положительное решение ФИПС.
10. M. A. Chuev, A. M. Afanas’ev, R. M. Imamov, E. Kh. Mukhamedzhanov, E. M. Pashaev, S. N. Yakunin. Structural diagnostics of quantum layers by x-ray diffraction and standing waves. Proc. SPIE 5401 (2004) 543-554.
11. A. A. Lomov, M. A. Chuev, G. B. Galiev. Structural characterization of undoped and Si-doped AlGaAs/GaAs double quantum wells separated by a thin AlAs layer. Proc. SPIE 5401 (2004) 590-596.
12. А. А. Ломов, М. А. Чуев, Г. В. Ганин. Параметры многослойной гетероструктуры по результатам совместного анализа кривых дифракционного отражения от разных кристаллографических плоскостей. Письма в ЖТФ, 2004, т.30, вып.10, с.89-95.
13. K. V. Rudenko, A. V. Fadeev, A. A. Orlikovsky, K. A. Valiev. Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. Proc. of SPIE, v. 5401, p.79-85 (2004).
14. I. A. Horin, A. A. Orlikovsky, A. G. Vasiliev, A. L. Vasiliev. Phases transaormation in Ti(Ta) – Ni(Co) – Si – N systems/ Micro- and Nanoelectronics 2003, edited by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky, Proceeding of SPIE Vol. 5401 (SPIE, Bellinghan, WA, 2004), P. 110-118.
15. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Эволюция структуры Со-N/Ti/Si(100) в процессе реактивного магнетронного распыления кобальта на нагретую Ti/Si(100) подложку// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 1, С. 1-6.
16. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Влияние азота на процессы фазового расслоения в системах Ti-Co-N/CoSix/Si(100) и Ti-Co-Si-N/CoSix/Si(100)// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 3, С. 147-151.
17. И. А. Семенихин. Влияние атомного разупорядочения на критическую температуру сверхпроводников с анизотропным параметром порядка. // Научная сессия МИФИ-2004. Сборник научных трудов. 2004, т. 4., стр. 120-121.
18. И. А. Семенихин. Влияние атомного разупорядочения на критическую температуру изотропных сверхпроводников с малой длиной когерентности. // Научная сессия МИФИ-2004. Сборник научных трудов. 2004, т. 4., стр. 122-123.
19. И. А. Семенихин. Влияние разупорядочения на критическую температуру d – волновых сверхпроводников с малой длиной когерентности. //ФТТ, 2004, т. 46, вып. 10, стр.1729-1734.
20. А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. Применение метода Монте-Карло для моделирования кремниевых полевых нанотранзисторов. Микроэлектроника, 2004, Т. 33. №.4 С. 243-255.
21. А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский, В. А. Федирко. Учет квантовых эффектов при моделировании кремниевых полевых нанотранзисторов. Сб. Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем. Из-во МГТУ «Станкин»- ИММ РАН, Москва, 2004, вып. 7, с.123-138.
22. V. V. Vyurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Single Electron Spin Measured with a Quantum Wire.Int. Symposium “Quantum Informatics’2004”, Moscow, Oct. 5th-8th, 2004, Book of Abstracts, P.5-2.
23. С. Д. Ананьев, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. К вопросу о влиянии шероховатости поверхности на проводимость тонких пленок. Микроэлектроника, 2004, Т. 33, № 3, С. 198-203.
24. S. D. Ananiev, V. V. V’yurkov, and A. A. Orlikovsky. Surface scattering in thin films: wave guide strategy. Proc. SPIE, 2004, v. 5401, pp. 488-497.
25. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Окшин. Патент РФ на изобретение №2237947 «Способ изготовления полупроводникового прибора с управляющим электродом нанометровой длины».
26. I. Lapushkin, A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. A self-consistent investigation of the semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells under external electric fields. J. Phys.: Condens. Matter, 2004, v. 16, p. 4677-4684.
27. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Landau-level structures and semimetal-semiconductor transition in strained InAs/GaSb quantum wells. Phys. Rev. B, 2004, v. 66, 115319.
28. A. Zakharova, I. Lapushkin, S. T. Yen, K. Nilsson, K. A. Chao. Electronic structures and transport properties of broken-gap heterostructures. Recent Res. Devel. Sci. Tech. Semiconductors, 2004, v.2, p.37-72, ISBN 81-7895-137-1.
29. Р. В. Гольдштейн, М. Е. Сарычев. “Влияние дефектов решетки на поверхностное натяжение границы раздела материалов”. Поверхность, 2004, N8, с.93-97.
30. S. V. Vassiliev, S. B. Kravtsov, T. T. Basiev, V. A. Sychugov, R. R. Gerke, T. G. Dubrovina, I. U. Usypov, S. L. Shevchuk, Y. P. Maishev. Efficient dielectric diffraction gratings: novel approaches to scaling-up the output of narrowband lasers, Laser Physics, Vol. 14, No.12, 2004, pp. 1-9.
31. С. Н. Добряков, В. В. Привезенцев. «Моделирование равновесных спектров ЭПР структуры 31P-28Si- -28Si-31P для квантового компьютера», VI Всеросс. Симп. по прикл. и пром. матем., ОП и ПМ, 10, с.115, Кисловодск, 2004.
32. S. N. Dobryakov, V. V. Privezentsev. “Computer spectra magnetic resonance of a phosphorum 31P atoms quantum pair, placed in spin-free medium of a silicon 28Si isotope”, Abstr. of the II Conf. on Quant. Inform., Moscow – Zvenigorod, 2004.

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2003 год

1. A. A. Kokin. Decoherence of Quantum States and Its Suppression in Ensemble Large-Scale Solid State NMR Quantum Computers. // Proceeding, of SPIE 2003., N. 5128,p.l82-189.
2. A. A. Kokin, K. A. Valiev. Some Prospects for Ensemble Solid-State NMR Quantum Computers // E-print LANL, 2003, arXiv:quant-ph/0306005.
3. А. V. Tsukanov, A. A. Larionov, K. A. Valiev. Resonant – tunnelling solid state NMR quantum computer. // Proc. of SPIE, 2003, 5128, 131.
4. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, В. А. Кальнов. Нанесение тонких полимерных пленок на подложки различной природы методом полимеризации мономеров из паровой фазы под действием электронного луча. «Высокомолек.соед.» Серия А. 2003. Т.45. №1. С.45-53.
5. И. А. Волегова, М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, Н. В. Козлова, Ю. К. Годовский. Морфология тонких слоев политетрафторэтилена, формирующихся на твердой подложке при полимеризации из газовой фазы под действием электронного луча. «Высокомолек.соед». Серия А. 2003. Т.45. №3. С.390-400.
6. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, В. А. Кальнов, И. А. Волегова, А. И. Бузин. Осаждение тонких полимерных пленок путем полимеризации мономеров из газовой фазы под действием электронного луча.Доклад на 15-м Международном симпозиуме «Тонкие пленки в оптике и электронике». Украина. Харьков. Апрель 2003 г.
7. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, И. А. Волегова, А. И. Бузин, В. А. Кальнов. Нанесение изображения на основе тонких полимерных пленок на твердые субстраты путем полимеризации из газовой фазы под действием остросфокусированного электронного луча. Тезисы докладов X Всероссийской конференции “Структура и динамика молекулярных систем”. Казань-Москва-Йошкар-Ола-Уфа. Июнь-июль 2003 г. Стр.147.
8. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, В. А. Кальнов, И. А. Волегова, А. И. Бузин. Осаждение тонких полимерных пленок путем полимеризации мономеров из газовой фазы под действием электронного луча.Статья в рецензированном сборнике X Всероссийской конференции “Структура и динамика молекулярных систем”. Яльчик – 2003 г.
9. M. A. Bruk, E. N. Zhikharev, E. I. Grigoriev, A. V. Spirin, V. A. Kalnov and I. E. Kardash. Electron Beam Induced Deposition of Iron Carbon Nanostructures from Iron Dodecacarbonyl Vapour. Тезисы докладов Международной конференции “Микро- и наноэлектроника – 2003”. Звенигород. Октябрь 2003 г. Р1-39.
10. M. A. Bruk, E. N. Zhikharev, E. I. Grigoriev, A. V. Spirin, V. A. Kalnov and I. E. Kardash. Electron Beam Induced Deposition of Iron Carbon Nanostructures from Iron Dodecacarbonyl Vapour. Статья в сборнике трудов международной конференции «Микро- и наноэлектроника – 2003». (в печати).
11. М. А. Брук, И. А. Волегова, А. И. Бузин, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, Ю. К. Годовский. Влияние плотности тока на структуру и свойства тонких полимерных пленок, наносимых путем электроннолучевого осаждения из паров тетрафторэтилена. Тезисы доклада на III Всероссийской Каргинской конференции «Полимеры-2004» Москва. Январь 2004. (в печати)
12. Y. P. Maishev, S. L. Shevchuk. Reactive ion-beam synthesis of thin films. Proceedings of IV International Conference “Plasma physics and plasma technology”, V.2, Minsk, 2003, pp.483-486.
13. К. А. Валиев, Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Реактивный ионно-лучевой синтез тонких пленок непосредственно из пучков ионов. Физическая инженерия поверхности, Т.1, №1, 2003, с.27-33.
14. Y. P. Maishev, S. L. Shevchuk. Investigation of influence of low energy ion beam parameters on Reactive Ion Beam Synthesis (RIBS) of thin films. Proceedings of International Conference “Micro-Nanoelectronica 2003”, Zvenigorod, in Proceedings of SPEI (in publication).

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2002 год

1. А. Н. Аверкин, А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора для создания ультрамелких P+-N переходов в кремнии. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 360 – 362.
2. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. В. Фадеев. Особенности имплантации бора в кремний из плазмы BF3 в иммерсионном режиме. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
3. А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Параметры плазмы BF3 в установке плазменно-иммерсионного имплантера. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 426 – 427.
4. С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Зондовая диагностика плазмы ВЧ- и СВЧ- источников в иммерсионном ионном имплантере. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
5. К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Н. И. Базаев. Возможности синхронного детектирования эмиссионного сигнала плазмы при мониторинге травления структур SiO2/Si . Микроэлектроника, 2003 (в печати).
6. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Ю. Ф. Семин. Способ определения момента окончания плазмохимического травления структур SiO2/Si и poly Si/SiO2/Si с малой площадью окон травления. Заявка на изобретение (находится в стадии оформления).
7. А. А. Орликовский. Технологические проблемы создания кремниевых нанотранзисторов. Материалы Всероссийской конференции «Кремний-2002», Новосибирск, 2002 (приглашенный доклад).
8. К. А. Валиев, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Орликовский, Ю. Ф. Семин. Патент РФ №2192069.
9. V. V’yurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Measurement of a single electron spin in a solid state quantum computer. Abstracts of the International Scientific Symposium “Quantum Informatics-2002”, Zvenigorod, 1-4 October 2002,O7.
10. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, Ю. А. Максимов. Кремнийсодержащие углеродные пленки, полученные методом реактивного ионно-лучевого синтеза. Труды ХIII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, 2002г.
11. С. Л. Шевчук. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок», ФТИАН, Москва, 2002г.
12. С. Л. Шевчук. Доклад «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
13. Ю. П. Маишев. Доклад «Ионные источники и ионно-лучевая обработка». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
14. M. A. Chuev, O. Hupe, A. M. Afanas’ev, H. Bremers, J. Hesse. Alternative approach for evaluation of Mossbauer spectra of nanostructured ferromagnetic alloys within generalized two-level relaxation model. Письма в ЖЭТФ, 2002, т.76, N9-10, с.656-660.
15. А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев, П. Г. Медведев. Линии Косселя как новый тип источника рентгеновского излучения. ЖЭТФ, 2002, т.122, N9, с.549-558;
16. М. А. Чуев, А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, П. Г. Медведев. Аномальное усиление интенсивности линии Косселя для предельно асимметричной схемы дифракции. Поверхность, 2002, N7, с.76-80.
17. А. М. Афанасьев, А. П. Болтаев, Р. М. Имамов, Э. Х. Мухамеджанов, М. М. Рзаев, М. А. Чуев. Характеристики квантовой ямы Si1-xGex/Si по данным рентгенодифракционного анализа. Микроэлектроника, 2002, , т.31, N1, с.3-8.
18. А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, А. А. Ломов, В. Г. Мокеров, М. А. Чуев, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия псевдоморфной гетероструктуры с напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs разной толщины. Кристаллография, 2002, в печати.
19. А. М. Афанасьев, А. В. Зозуля, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев. О фазовой проблеме в трехволновой рентгеновской дифракции. Письма в ЖЭТФ, 2002, т.75, N7, с.379-384.
20. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Strain-induced semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb broken-gap quantum wells. Phys. Rev. B, 2002, v. 64, 085312;
21. A. Zakharova, K. A. Chao. Influence of band state mixing on interband magnetotunnelling in broken-gap heterostructures. J. Phys.: Condens. Matter, 2002, v. 14, p. 5003-5016;
22. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Quantum computer on InAs/GaSb heterostructures. Proceedings of SPIE, in press.
23. К. П. Новоселов. Теоретическое изучение процесса химического осаждения нитрида кремния из смеси дихлоросилана и аммиака. “Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III”, Труды ФТИАН, т.17, с.54-81, 2001.
24. А. А. Багатурьянц, А. Х. Минушев, А. С. Владимиров, К. П. Новоселов, А. А. Сафонов. “Теоретическое изучение механизма и кинетики газофазных реакций всмеси дихлоросилана и аммиака”. Физико-технологический институт РАН, препринт №24, М.: 2000.
25. А. А. Багатурьянц, К. П. Новоселов, А. А. Сафонов. “Теоретическое исследование структуры нитрида кремния и механизма некоторых поверхностных реакций”. Физико-технологический институт РАН, препринт №25, М.: 2000.

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2001 год

1. С. Н. Аверкин, Т. И. Аверкина, К. А. Валиев, А. С. Кабановский, В. А. Наумов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. А. Рылов, Я. Н. Суханов, А. В. Фадеев. Плазменно-иммерсионный имплантер для формирования супермелкозалегающих p-n переходов. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 1, с О1-5.
2. К. В. Руденко, А. А. Орликовский. Проблемы мониторинга плазменных технологических процессов: диагностика плазмы и поверхности. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 1, с О3-6. А.А. Орликовский, К.В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I. Микроэлектроника, т.30, № 2, с.85-105 (2001).
3. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть II. Микроэлектроника, т.30, № 3, с. 163-182 (2001).
4. А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть III. Микроэлектроника, т.30, № 5, с.323-344 (2001).
5. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV. Микроэлектроника, т.30, № 6 (2001).
6. А. П. Ершов, В. Ф. Лукичев, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Влияние электрического поля в плазме на электронную ветвь ВАХ Ленгмюровского зонда: моделирование методом Монте-Карло. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 2, с Р3-27.
7. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Осаждение алмазоподобных пленок из пучков ионов углеродсодержащих веществ. Труды VI Международной конференции «Пленки и покрытия», Санкт – Петербург, 2001г., с. 176 ?180;
8. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Применение многопучкового источника ионов в ионно – лучевой технологии осаждения и травления тонких пленок. Труды IV Международного симпозиума «Вакуумные технологии и оборудование», Харьков, 2001г.;
9. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, В. А. Кальнов, П. А. Аверичкин. Синтез тонких пленок из пучка ионов кремнийорганических соединений. Тезисы Всероссийской научно – технической конференции «Микро – и наноэлектроника – 2001», Звенигород, 2001г., Р1 – 43.
10. A. A. Kokin, K. A. Valiev. “Problems in realization of large-scale ensemble silicon-based NMR quantum computers.” // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника», 2001, т.1, с.О4-1.
11. Ю. И. Ожигов, Н. Б. Викторова. “Преобразование диффузии и квантовое ускорение алгоритмов”, Письма в ЖЭТФ, 2001, 2, стр. 23-30.
12. Y. Ozhigov. “Fast quantum algorithm for iterated search”, Complex systems, 2001, 5, pp. 55-59.
13. Ю. И. Ожигов. “Быстрый квантовый алгоритм распознавания логических формул”, сдано в редакцию ДАН 2001г.
14. A. A. Larionov, L. E. Fedichkin, K. A. Valiev. “Silicon-based quantum computer using single electron”. // Proceedings of 9th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, 2001, pp. 400-402.
15. А. А. Ларионов, Л. Е. Федичкин, К. А. Валиев. «Кремниевый ЯМР квантовый компьютер, управляемый с помощью единичного электрона», // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника», 2001, т.1, с.О3-2.
16. A. A. Larionov, L. E. Fedichkin, K. A. Valiev. “Silicon-based NMR quantum computer using resonant transfer of the single electron for inter qubit interaction.” // To be published in Nanotechnology.
17. А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, Ю. Гессе. Сдвиг релаксационно-стимулированных резонансов в мессбауэровских спектрах поглощения при наложении постоянного магнитного поля, Письма в ЖЭТФ, 2001, т.73, N10, с.588-592;
18. М. А. Чуев, А. М. Афанасьев. Релаксационно-стимулированные резонансы в мессбауэровских спектрах поглощения при воздействии РЧ-поля, Известия РАН, сер. физическая, 2001, т.65, N7, с.936-940.
19. А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев. Линии Косселя для предельно асимметричных схем дифракции. Письма в ЖЭТФ, 2001, т. 73, N6, с.309-311;
20. М. А. Чуев, А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, П. Г. Медведев. Аномальное усиление интенсивности линии Косселя для предельно асимметричной схемы дифракции. Поверхность, 2002, в печати.
21. А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, Р. М. Имамов, Э. М. Пашаев, С. Н. Якунин, Дж. Хорват. Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия в роли метода стоячих рентгеновских волн. Письма в ЖЭТФ, 2001, в печати;
22. А. М. Афанасьев, А. П. Болтаев, Р. М. Имамов, Э. Х. Мухамеджанов, М. М. Рзаев, М. А. Чуев. Характеристики квантовой ямы Si1-xGex/Si по данным рентгенодифракционного анализа. Микроэлектроника, 2002, в печати.
23. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Hybridization of electron, light-hole and heavy-hole states in InAs/GaSb quantum wells. Phys. Rev. B, 2001, in press.
24. Е. И. Голант, А. Б. Пашковский, Г. Ю. Хренов. Когерентное туннелирование электронов по расщепленным квазиуровням трехбарьерных наноструктур в резонансном высокочастотном поле. “Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III”, Труды ФТИАН, т.17, с.3-12, 2001.
25. Г. А. Бабушкин, Ю. В. Житников, М. Е. Сарычев. Моделирование эффективных зарядов ионов в межзеренных границах металлов. “Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III”, Труды ФТИАН, т.17, с.82-96, 2001.
26. Р. В. Гольдштейн, Н. М. Осипенко. Модель разрушения соединительного элемента при термоциклических нагрузках (пример анализа). “Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III”, Труды ФТИАН, т.17, с.97-107, 2001.
27. А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Кинетика фазообразования тонких пленок Ti-Co-Si-N на Si и SiO2, Пленки и покрытия’ 2001, С.-Петербург, 2001, 299-306
28. А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Реакционно-диффузионные процессы взаимодействия сплавов Ti-Co-Si-N и Ti-Co-N с Si при магнетронном сораспылении металлов и кремния на нагретую подложку// Всероссийская научно-техническая конференция МНЭ-2001, Т.2, Р1-19.
29. А. Г. Васильев, Р. А. Захаров, В. В. Родатис, А. В. Лобинцов, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Фазообразование в многокомпонентных системах Ti-Co-Si-N и Ti-Co-N при поверхностно-диффузионном механизме формирования тонких пленок на Si и SiO2// Микроэлектроника, 2001, Т.30, № 5, с. 345-352
30. А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. «Моделирование кремниевых полевых транзисторов». Микро- и наноэлектроника-2001, Звенигород. Тезисы докладов, том 1, с. О3-24.
31. А. А. Ветров, И. М. Скирневская, М. В. Янченко, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. «Моделирование структур твердотельного квантового компьютера». Микро- и наноэлектроника-2001, Звенигород. Тезисы докладов, том 2, с. Р3-4.
32. V. V’yurkov and A. Vetrov. Spontaneous Magnetisation of a Two-Dimensional Electron Gas. LANL preprint cond-mat/0105361, May, 2001.
33. В. В. Вьюрков, А. А. Ветров. Спонтанная магнетизация двумерного электронного газа. V Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 2001. Тезисы докладов, с.306.
34. V. V. Protopopov. “Focusing of X rays by flexible mirrors under arbitrary loading”, Optics Communications, vol. 199, No.1-4 (2001), pp.1-15.

1. С. Н. Аверкин, Т. И. Аверкина, К. А. Валиев, А. С. Кабановский, В. А. Наумов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. А. Рылов, Я. Н. Суханов, А. В. Фадеев. Плазменно-иммерсионный имплантер для формирования супермелкозалегающих p-n переходов. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 1, с О1-5.
2. К. В. Руденко, А. А. Орликовский. Проблемы мониторинга плазменных технологических процессов: диагностика плазмы и поверхности. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 1, с О3-6.
3. А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I. Микроэлектроника, т.30, № 2, с.85-105 (2001).
4. А. А. Орликовский, К .В. Руденко, Я. Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть II. Микроэлектроника, т.30, № 3, с. 163-182 (2001).
5. А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть III. Микроэлектроника, т.30, № 5, с.323-344 (2001).
6. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV. Микроэлектроника, т.30, № 6 (2001).
7. А. П. Ершов, В. Ф. Лукичев, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Влияние электрического поля в плазме на электронную ветвь ВАХ Ленгмюровского зонда: моделирование методом Монте-Карло. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 2, с Р3-27.
8. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Осаждение алмазоподобных пленок из пучков ионов углеродсодержащих веществ. Труды VI Международной конференции «Пленки и покрытия», Санкт – Петербург, 2001г., с. 176 ?180;
9. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Применение многопучкового источника ионов в ионно – лучевой технологии осаждения и травления тонких пленок. Труды IV Международного симпозиума «Вакуумные технологии и оборудование», Харьков, 2001г.;
10. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, В. А. Кальнов, П. А. Аверичкин. Синтез тонких пленок из пучка ионов кремнийорганических соединений. Тезисы Всероссийской научно – технической конференции «Микро – и наноэлектроника – 2001», Звенигород, 2001г., Р1 – 43.
11. А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Кинетика фазообразования тонких пленок Ti-Co-Si-N на Si и SiO2, Пленки и покрытия’ 2001, С.-Петербург, 2001, 299-306
12. А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Реакционно-диффузионные процессы взаимодействия сплавов Ti-Co-Si-N и Ti-Co-N с Si при магнетронном сораспылении металлов и кремния на нагретую подложку// Всероссийская научно-техническая конференция МНЭ-2001, Т.2, Р1-19.
13. А. Г. Васильев, Р. А. Захаров, В. В. Родатис, А. В. Лобинцов, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Фазообразование в многокомпонентных системах Ti-Co-Si-N и Ti-Co-N при поверхностно-диффузионном механизме формирования тонких пленок на Si и SiO2// Микроэлектроника, 2001, Т.30, № 5, с. 345-352.
14. А. Н. Аверкин, А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора для создания ультрамелких P+-N переходов в кремнии. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 360 – 362.
15. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. В. Фадеев. Особенности имплантации бора в кремний из плазмы BF3 в иммерсионном режиме. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
16. А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Параметры плазмы BF3 в установке плазменно-иммерсионного имплантера. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 426 – 427.
17. С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Зондовая диагностика плазмы ВЧ- и СВЧ- источников в иммерсионном ионном имплантере. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
18. К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Н. И. Базаев. Возможности синхронного детектирования эмиссионного сигнала плазмы при мониторинге травления структур SiO2/Si . Микроэлектроника, 2003 (в печати).
19. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Ю. Ф. Семин. Способ определения момента окончания плазмохимического травления структур SiO2/Si и poly Si/SiO2/Si с малой площадью окон травления. Заявка на изобретение (находится в стадии оформления).
20. А. А. Орликовский. Технологические проблемы создания кремниевых нанотранзисторов. Материалы Всероссийской конференции «Кремний-2002», Новосибирск, 2002 (приглашенный доклад).
21. К. А. Валиев, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Орликовский, Ю. Ф. Семин. Патент РФ №2192069.
22. V. V’yurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Measurement of a single electron spin in a solid state quantum computer. Abstracts of the International Scientific Symposium “Quantum Informatics-2002”, Zvenigorod, 1-4 October 2002,O7.
23. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, Ю. А. Максимов. Кремнийсодержащие углеродные пленки, полученные методом реактивного ионно-лучевого синтеза. Труды ХIII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, 2002г.
24. С. Л. Шевчук. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок», ФТИАН, Москва, 2002г.
25. С. Л. Шевчук. Доклад «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
26. Ю. П. Маишев. Доклад «Ионные источники и ионно-лучевая обработка». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
27. K. V. Rudenko, Ya. N. Sukhanov, N. I. Bazaev. Phase Detection Used in the Optical-Emission Monitoring. Russian Microelectronics, v. 32, no.4, p.214-218.
28. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ- разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №2003104228 от 12.02.2003.
29. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №20031142716 от 06.05.2003.
30. K. V. Rudenko, A. V. Fadeev, A. A. Orlikovsky, K. A. Valiev. Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. Proc. of International Conf. “Micro- and nanoelectronics”, Zvenigorod, p. P1-49 (2003).
31. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. В. Фадеев. Особенности имплантации бора в кремний из плазмы BF3 в иммерсионном режиме. Труды XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС. М., (2003), с. 220.
32. С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Сравнительные характеристики плотной плазмы ВЧ и СВЧ разряда в установке плазменно-иммерсионной ионной имплантации, Микроэлектроника, 2003, том 32, №5, стр. 363-373.
33. Ya. N. Sukhanov, A. P. Ershov, K. V. Rudenko and A. A. Orlikovsky. Comparative study of inductively coupled and microwave BF3 plasmas for microelectronic technology applications, Proc. of Int. Conf. ICMNE-2003, Moscow-Zvenigorod, 2003, 02-48.
34. C. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Зондовая диагностика плазмы ВЧ- и СВЧ- источников в иммерсионном ионном имплантере, Труды ХХХ Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС, Звенигород, 2003.
35. Y. P. Maishev, S. L. Shevchuk. Reactive ion-beam synthesis of thin films. Proceedings of IV International Conference “Plasma physics and plasma technology”, V.2, Minsk, 2003, pp.483-486.
36. К. А. Валиев, Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Реактивный ионно-лучевой синтез тонких пленок непосредственно из пучков ионов. Физическая инженерия поверхности, Т.1, №1, 2003, с.27-33.
37. С. Л. Шевчук, Ю. П. Маишев. Алмазоподобные покрытия сферических опор гироскопов, Труды Международной научной конференции “Тонкие пленки и наноструктуры”, Москва, 7-10 сентября, 2004, стр. 149-153.
38. S. V. Vassiliev, S. B. Kravtsov, T. T. Basiev, V. A. Sychugov, R. R. Gerke, T. G. Dubrovina, I. U. Usypov, S. L. Shevchuk, Y. P. Maishev. Efficient dielectric diffraction gratings: novel approaches to scaling-up the output of narrowband lasers, Laser Physics, Vol. 14, No.12, 2004, pp. 1-9.
39. M. A. Bruk, E. N. Zhikharev, E. I. Grigoriev, A. V. Spirin, V. A. Kalnov and I. E. Kardash. Electron Beam Induced Deposition of Iron Carbon Nanostructures from Iron Dodecacarbonyl Vapour. SPIE. 2004.V.5401. P.305 ? 310.
40. Y. P. Maishev, S. L. Shevchuk. Investigation of influence of low energy ion beam parameters on Reactive Ion Beam Synthesis (RIBS) of thin films.
41. М. А. Брук, И. А. Волегова, А. И. Бузин, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, Ю. К. Годовский. Влияние плотности тока на структуру и свойства тонких полимерных пленок, наносимых путем электроннолучевого осаждения из паров тетрафторэтилена. Третья Всероссийская Каргинская конференция «Полимеры-2004». Москва. Январь 2004. Тезисы докладов. Том 1. Стр. 219.
42. М. А. Брук, И. А. Волегова, А. И. Бузин, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, Ю. К. Годовский. Влияние плотности тока на структуру и свойства тонких полимерных пленок, наносимых путем электроннолучевого осаждения из паров тетрафторэтилена. Тезисы докладов XI Всероссийской конференции “Структура и динамика молекулярных систем”. Казань-Москва-Йошкар-Ола-Уфа. Июнь-июль 2004 г.
43. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, Е. И. Григорьев, А. В. Спирин, В. А. Кальнов, И. Е. Кардаш. Нанесение наноструктур, содержащих железо и углерод, путем осаждения додекакарбонила железа из паровой фазы, инициированного сфокусированным электронным лучом. Химия высоких энергий. 2004. (В печати).
44. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В.Спирин, В. А.Кальнов, А. И.Бузин, И. Е.Кардаш. «Способ нанесения на поверхность твердых тел высокоразрешающего изображения функциональных слоев на основе тонких полимерных пленок». Патент РФ. Решение о выдаче патента на изобретение от 3 августа 2004 г.
45. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ- разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №2003104228 от 12.02.2003. Положительное решение ФИПС.
46. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №20031142716 от 06.05.2003. Положительное решение ФИПС.
47. K. V. Rudenko, A. V. Fadeev, A. A. Orlikovsky, K. A. Valiev. Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. Proc. of SPIE, v. 5401, p.79-85 (2004).
48. I. A. Horin, A. A. Orlikovsky, A. G. Vasiliev, A. L. Vasiliev. Phases transaormation in Ti(Ta) – Ni(Co) – Si – N systems/ Micro- and Nanoelectronics 2003, edited by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky, Proceeding of SPIE Vol. 5401 (SPIE, Bellinghan, WA, 2004), P. 110-118.
49. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Эволюция структуры Со-N/Ti/Si(100) в процессе реактивного магнетронного распыления кобальта на нагретую Ti/Si(100) подложку// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 1, С. 1-6.
50. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Влияние азота на процессы фазового расслоения в системах Ti-Co-N/CoSix/Si(100) и Ti-Co-Si-N/CoSix/Si(100)// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 3, С. 147-151.