Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2004 год
- А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, П. Г. Медведев, В. И. Пустовойт. О предельной разрешающей способности аподизированных дифракционных фильтров. Микросистемная техника, 2004, N3, с.17-20;
- А. М. Афанасьев, В. И. Пустовойт, Ю. В. Гуляев. Деструктивная макроинтерференция как метод повышения спектрального разрешения дифракционных фильтров. Радиотехника и электроника, 2004 (в печати).
- K. A. Valiev, А. А. Kokin. Ensamble silicon-based NMR quantum computers, c.203-223. В книге «Актуальные проблемы физики конденсированных сред. Казань, ЗАО «Новое знание», 2004.
- A. A. Kokin. The controlled interaction between separated qubits in NMR quantum register. Proc. of SPIE, 5833 (in press), e-print cond-mat/0411083.
- А. А. Кокин. Твердотельные квантовые компьютеры на ядерных спинах. -Москва-Ижевск, ИКК, 2004,204 стр. Монография;
- В. В. Ивин, Т. М. Махвиладзе, К. А. Валиев. “Теоретическое рассмотрение вопросов выбора оптимальной формы источника в оптической нанолитографии”. Микроэлектроника, 2004, т.33, N3, с.163-174.
- В. В. Ивин, Т. М. Махвиладзе, К. А. Валиев. “Анализ практических применений внеосевых источников в оптической нанолитографии”. Микроэлектроника, 2004, т.33, N4,. с.259-272.
- К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ- разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №2003104228 от 12.02.2003. Положительное решение ФИПС.
- К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №20031142716 от 06.05.2003. Положительное решение ФИПС.
- M. A. Chuev, A. M. Afanas’ev, R. M. Imamov, E. Kh. Mukhamedzhanov, E. M. Pashaev, S. N. Yakunin. Structural diagnostics of quantum layers by x-ray diffraction and standing waves. Proc. SPIE 5401 (2004) 543-554.
- A. A. Lomov, M. A. Chuev, G. B. Galiev. Structural characterization of undoped and Si-doped AlGaAs/GaAs double quantum wells separated by a thin AlAs layer. Proc. SPIE 5401 (2004) 590-596.
- А. А. Ломов, М. А. Чуев, Г. В. Ганин. Параметры многослойной гетероструктуры по результатам совместного анализа кривых дифракционного отражения от разных кристаллографических плоскостей. Письма в ЖТФ, 2004, т.30, вып.10, с.89-95.
- K. V. Rudenko, A. V. Fadeev, A. A. Orlikovsky, K. A. Valiev. Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. Proc. of SPIE, v. 5401, p.79-85 (2004).
- I. A. Horin, A. A. Orlikovsky, A. G. Vasiliev, A. L. Vasiliev. Phases transaormation in Ti(Ta) – Ni(Co) – Si – N systems/ Micro- and Nanoelectronics 2003, edited by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky, Proceeding of SPIE Vol. 5401 (SPIE, Bellinghan, WA, 2004), P. 110-118.
- А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Эволюция структуры Со-N/Ti/Si(100) в процессе реактивного магнетронного распыления кобальта на нагретую Ti/Si(100) подложку// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 1, С. 1-6.
- А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Влияние азота на процессы фазового расслоения в системах Ti-Co-N/CoSix/Si(100) и Ti-Co-Si-N/CoSix/Si(100)// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 3, С. 147-151.
- И. А. Семенихин. Влияние атомного разупорядочения на критическую температуру сверхпроводников с анизотропным параметром порядка. // Научная сессия МИФИ-2004. Сборник научных трудов. 2004, т. 4., стр. 120-121.
- И. А. Семенихин. Влияние атомного разупорядочения на критическую температуру изотропных сверхпроводников с малой длиной когерентности. // Научная сессия МИФИ-2004. Сборник научных трудов. 2004, т. 4., стр. 122-123.
- И. А. Семенихин. Влияние разупорядочения на критическую температуру d – волновых сверхпроводников с малой длиной когерентности. //ФТТ, 2004, т. 46, вып. 10, стр.1729-1734.
- А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. Применение метода Монте-Карло для моделирования кремниевых полевых нанотранзисторов. Микроэлектроника, 2004, Т. 33. №.4 С. 243-255.
- А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский, В. А. Федирко. Учет квантовых эффектов при моделировании кремниевых полевых нанотранзисторов. Сб. Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем. Из-во МГТУ «Станкин»- ИММ РАН, Москва, 2004, вып. 7, с.123-138.
- V. V. Vyurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Single Electron Spin Measured with a Quantum Wire.Int. Symposium “Quantum Informatics’2004”, Moscow, Oct. 5th-8th, 2004, Book of Abstracts, P.5-2.
- С. Д. Ананьев, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. К вопросу о влиянии шероховатости поверхности на проводимость тонких пленок. Микроэлектроника, 2004, Т. 33, № 3, С. 198-203.
- S. D. Ananiev, V. V. V’yurkov, and A. A. Orlikovsky. Surface scattering in thin films: wave guide strategy. Proc. SPIE, 2004, v. 5401, pp. 488-497.
- К. А. Валиев, А. А. Орликовский, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Окшин. Патент РФ на изобретение №2237947 «Способ изготовления полупроводникового прибора с управляющим электродом нанометровой длины».
- I. Lapushkin, A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. A self-consistent investigation of the semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells under external electric fields. J. Phys.: Condens. Matter, 2004, v. 16, p. 4677-4684.
- A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Landau-level structures and semimetal-semiconductor transition in strained InAs/GaSb quantum wells. Phys. Rev. B, 2004, v. 66, 115319.
- A. Zakharova, I. Lapushkin, S. T. Yen, K. Nilsson, K. A. Chao. Electronic structures and transport properties of broken-gap heterostructures. Recent Res. Devel. Sci. Tech. Semiconductors, 2004, v.2, p.37-72, ISBN 81-7895-137-1.
- Р. В. Гольдштейн, М. Е. Сарычев. “Влияние дефектов решетки на поверхностное натяжение границы раздела материалов”. Поверхность, 2004, N8, с.93-97.
- S. V. Vassiliev, S. B. Kravtsov, T. T. Basiev, V. A. Sychugov, R. R. Gerke, T. G. Dubrovina, I. U. Usypov, S. L. Shevchuk, Y. P. Maishev. Efficient dielectric diffraction gratings: novel approaches to scaling-up the output of narrowband lasers, Laser Physics, Vol. 14, No.12, 2004, pp. 1-9.
- С. Н. Добряков, В. В. Привезенцев. «Моделирование равновесных спектров ЭПР структуры 31P-28Si- -28Si-31P для квантового компьютера», VI Всеросс. Симп. по прикл. и пром. матем., ОП и ПМ, 10, с.115, Кисловодск, 2004.
- S. N. Dobryakov, V. V. Privezentsev. “Computer spectra magnetic resonance of a phosphorum 31P atoms quantum pair, placed in spin-free medium of a silicon 28Si isotope”, Abstr. of the II Conf. on Quant. Inform., Moscow – Zvenigorod, 2004.