admin-ftian (Page 5)

Важнейшие результаты

Авторы: Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, Д.В. Фастовец, В.Ф. Лукичев

Раздел фундаментальных и поисковых научных исследований: 1.1.5.6. Квантовое глубокое машинное обучение на основе квантовых поисковых алгоритмов, квантового программирования, квантовых нейронных сетей и квантовых генетических алгоритмов

Наиболее прямой способ решения задач в случае квантово-механических систем – это поиск решения нестационарного уравнения Шрёдингера. Квантовый компьютер способен эффективно его решать при использовании алгоритма Залки-Визнера.

Предложен метод оценки влияния квантовых шумов при моделировании квантовых систем на квантовом компьютере с использованием алгоритма Залки-Визнера. Рисунок 1 дает наглядное представление об уровне влияния квантовых шумов на точность получения решения уравнения Шредингера на квантовом вычислителе. Из рисунка 2 видно, что для адекватного моделирования квантовых систем из десятков электронов требуется иметь уровень ошибки порядка e=0.001 и ниже, а для моделирования систем из сотен электронов нужно обеспечить уровень e=0.0001 и ниже. При этом вероятность ошибки отдельного вентиля должна достигать уровня e2, т.е. порядка 10-6 – 10-8.

Результаты исследования имеют существенное значение для разработки методов моделирования квантовых систем с использованием квантовых компьютеров и симуляторов, что критически важно для решения практически значимых задач в самых различных научных областях.

Bogdanov Yu.I., Bogdanova N.A., Fastovets D.V., Lukichev V.F. Simulation of the Schrodinger equation on a quantum computer using the Zalka-Wiesner method taking into account the quantum noise // JETP Letters 114, issue 6 (2021).

13 октября, 2021. В период 4-8 октября 2021 г. в парк-отеле «Ершово» (г. Звенигород) состоялась 14-я
Международная научная конференция «International Conference Micro- and Nanoelectronics -2021 (ICMNE-2021, icmne.ftian.ru)» с расширенными сессиями «Quantum Informatics QI-2021», организованная ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, в этот раз в гибридном очно-дистанционном формате.
Конференция аффилирована как конференция SPIE (USA), и традиционно, по правилам SPIE, проводится на английском языке. С устными докладами и постерами (176 докладов) выступили ведущие ученые из России, Белоруссии, Великобритании, Франции, Бельгии, Австрии, США, Канады, Израиля, и Японии. Подробно ознакомиться с полными версиями докладов в виде научных публикаций можно будет в Трудах конференции, издаваемых в виде отдельного тома Proceedings of SPIE, целиком посвященного конференции ICMNE-2021.
Институт выражает благодарность за помощь в организации конференции АО «НИИМЭ», OOO «Техноинфо» и компьютерной компании НИКС. Надеемся, все участники остались довольны проведенными дискуссиями и обретенными новыми научными контактами. Приглашаем на очередную конференцию ICMNE в 2023 году!

13 октября, 2021. 13 октября 2021 г. Леонид Федичкин, ведущий научный сотрудник Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН дал интервью Радио SPUTNIK РИА о перспективах квантовых компьютеров 
https://radiosputnik.ria.ru/20211013/1754319166.html

В Лаборатории физики квантовых компьютеров, организованной во ФТИАН РАН академиком К. А. Валиевым, и являющейся первой в России по тематике квантовых технологий, коллективом Лаборатории под руководством д.ф.-м.н. Ю. И. Богданова получены прорывные результаты, выводящие исследования на новый уровень. Полученные результаты обеспечивают создание прототипов квантовых вычислительных и коммуникационных устройств, а также систем проектирования таких устройств. Было осуществлено реалистичное моделирование элементной базы квантовых компьютеров с учётом квантовых шумов, а также произведена симуляция зашумлённых основных квантовых алгоритмов, в том числе с использованием суперкомпьютеров РАН (МВС-100К и МВС-10П) и суперкомпьютера «Ломоносов». В Лаборатории разработаны не имеющие аналогов методы восстановления квантовых состояний и квантовых процессов, обеспечивающие предельную точность реконструкции при заданных экспериментальных ограничениях. Разработанные методы были успешно апробированы в экспериментах по квантовой оптике для задач квантовых технологий.

Микроэлектроника
ISSN (PRINT): 0544-1269
Импакт-фактор (РИНЦ): 0,824

Russian Microelectronics
ISSN PRINT: 1063-7397
ISSN ONLINE: 1608-3415

Наименование английской версии журнала: Russian Microelectronics

Описание

Журнал Микроэлектроника основан в 1972 г. Он посвящён технологическим и физическим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), технологиям травления и осаждения (в том числе атомно-слоевого режима), легирования, моделированию технологических процессов и современных нанотранзисторов. Значительное место отводится плазменным технологиям, сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. Данное направление исследований охватывает гетероструктуры, нанотранзисторы и твердотельные кубиты для квантовых вычислений.
Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших учебных заведений, а также для аспирантов.

Адрес редакции:
117218 Москва, Нахимовский проспект, 34, ФТИАН

Контакты редакции:
Есина Елена Владимировна
факс: 499/ 125-38-26
Е-mail: ponomareval@mail.ru

С правилами направления, рецензирования и опубликования научных статей можно ознакомиться здесь: http://sciencejournals.ru/journal/mikelek/
http://pleiades.online/en/journal/micelec/authors-instructions/

Главный редактор:

Красников Геннадий Яковлевич
(академик РАН, д.т.н., генеральный директор, Акционерное Общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»)

Заместители главного редактора:

Лукичев Владимир Федорович
(член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., директор, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технологический институт РАН им. К.А. Валиева»)

Неизвестный Игорь Георгиевич
(член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н, советник РАН, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН»)

Ответственный секретарь:

Руденко Константин Васильевич (д.ф.-м.н., зам. директора, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технологический институт РАН им. К.А. Валиева»)

Члены редколлегии:

Абрамов Игорь Иванович
(д.ф.-м.н., профессор кафедры микро- и наноэлектроники, Белорусский Государственный Университет Информатики и Радиоэлектроники)

Бакланов Михаил Родионович
(д.х.н., профессор, Microelectronics Department, North China University of Technology)

Бухараев Анастас Ахметович
(член-корреспондент АН Республики Татарстан, д.ф.-м.н., зав. лаб. физики и химии поверхности, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского»)

Горбацевич Александр Алексеевич (член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., профессор, г.н.с., Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН»)

Горнев Евгений Сергеевич
(д.т.н., профессор, заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям, Акционерное Общество “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”)

Комаров Фадей Фадеевич
(Академик НАН Республики Беларусь, профессор, д.ф.-м.н., Институт прикладных физических проблем Белорусского Государственного Университета)

Мальцев Петр Павлович
(д.т.н., научный руководитель, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН им. В.Г. Мокерова РАН»)

Попов Владимир Павлович
(д.ф.-м.н., профессор, зав. лабораторией Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников  им. А.В. Ржанова  СО РАН»)

Рощупкин Дмитрий Валентинович
(д.ф.-м.н., директор, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»)

Сигов Александр Сергеевич
(академик РАН, д.ф.-м.н., профессор, президент, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»)

Стриханов Михаил Николаевич
(академик РАО, д.ф.-м.н., профессор, научный руководитель, Федеральное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»»)

Сурис Роберт Арнольдович
(академик РАН, д.ф.-м.н, профессор, зав. лабораторией, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН»)

Чаплыгин Юрий Александрович
(академик РАН, д.т.н, профессор, президент, федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»)

Шахнов Вадим Анатольевич
(член-корреспондент РАН, д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Проектирование и технология производства электронной аппаратуры», Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э. Баумана)

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год

Статьи:

  1. Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene Materials / Asadov, M.M., Mustafaeva, S.N., Guseinova, S.S., Lukichev, V.F. // (2020) Physics of the Solid State, 62 (11), pp. 2224-2231. DOI: 10.1134/S1063783420110037
  2. Asadov, M.M. Ab Initio Modeling of the Electronic and Energy Structure and Opening the Band Gap of a 4p-Element-Doped Graphene Monolayer / Asadov, M.M., Guseinova, S.S., Lukichev, V.F. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (5), pp. 314-323. DOI: 10.1134/S1063739720050030
  3. Asadov, M.M. Thermodynamic and Dielectric Properties of As2S3–As2Se3 / M. M. Asadov, S. N. Mustafaeva, D. B. Tagiyev, and V. F. Lukichev // Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2020. V.65. No 5. Р.733–742. DOI:10.1134/S0036023620050022
  4. Asadov, S.M. Modeling the Crystallization and Correlation of the Properties with the Composition and Particle Size in Two-Dimensional GaSxSe1 – x (0 < х < 1) / Asadov, S.M., S.N. Mustafaeva, V.F. Lukichev // Russian Microelectronics, 2020, Vol. 49, No. 6, pp. 452–465
  5. Asadov, S.M. Modifying the Dielectric Properties of the TlGaS2 Single Crystal by Electron Irradiation / Asadov, S.M., Mustafaeva, S.N., Lukichev, V.F. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (4), pp. 263-268. DOI: 10.1134/S1063739720040022
  6. Babushkin, A.S. The effect of low-energy ion bombardment on residual stress in thin metal films due to the generation of surface defects and their migration to the grain boundary // Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1695, 012194. DOI:10.1088/1742-6596/1695/1/012194
  7. Bachurin, V.I. Angular Dependences of Silicon Sputtering by Gallium Focused Ion Beam / Bachurin V.I., Zhuravlev I.V., Pukhov D.E., Rudy A.S., Simakin S.G., Smirnova M.A., Churilov A.B. // Journal of Surface Investigation. 2020. V.14. №4. P. 784-790. DOI: 10.1134/S1027451020040229

Бачурин, В.И. Угловые зависимости распыления кремния фокусированным ионным пучком галлия / Бачурин В.И., Журавлев И.В., Пухов Д.Э., Рудый А.С., Симакин С.Г., Смирнова М.А., Чурилов А.Б. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 8. С. 34-41

  1. Bantysh, B. I. Precise tomography of optical polarization qubits under conditions of chromatic aberration of quantum transformations / B. I. Bantysh, Yu. I. Bogdanov, N. A. Bogdanova, Yu. A. Kuznetsov // Laser Phys. Lett. 17 (2020), 035205 (9pp). http://doi.org/10.1088/1612-202X/ab6e72 
  2. Bantysh, B.I. Comparison of Tomography Methods for Pure and Almost Pure Quantum States / Bantysh, B.I.; Chernyavskiy, A.Yu; Bogdanov, Yu.I.// JETP Letters 2020 V.111. №9. P. 512-518. DOI: 10.1134/S0021364020090052

Бантыш, Б.И. Сравнение методов томографии чистых и почти чистых квантовых состояний / Б.И.Бантыш, А.Ю.Чернявский, Ю.И.Богданов //Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, вып. 9, с. 615 – 622 DOI: 10.31857/S1234567820090074 

  1. Belevtsev, A.M. Research of the influence of technological parameters on the electrophysical characteristics of the RF MEMS switch / Belevtsev A.M., Epaneshnikova I.K., Kruchkov V.L., Dryagin I.O., Lukichev V.F., Uvarov I.V., Boldyreff A.S. // Proceedings of SPIE, 2020, Vol. 11541 (Millimetre Wave and Terahertz Sensors and Technology XIII), 115410M. DOI: 10.1117/12.2582078 
  2. Bogdanov, Yu. I. Hyper-Poisson Photon Statistics / Bogdanov, Yu. I.; Bogdanova, N. A.; Katamadze, K. G.; Avosopyants, G. V.; Lukichev, V. F. // JETP Letters. 2020 V.111. №10. P. 543-548. DOI: 10.1134/S0021364020100069

Богданов, Ю.И. Гиперпуассоновская статистика фотонов / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, К.Г. Катамадзе, Г.В. Авосопянц, В.Ф. Лукичев //Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, вып. 10, с. 646 – 652. DOI: 10.31857/S123456782010002X 

  1. Bogdanov, Yu.I. On the Relationship between Boolean Algebra and Quantum Informatics / Bogdanov Yu. I., N. A. Bogdanova, D. V. Fastovets, V. F. Lukichev // Russian Microelectronics. 2019. Vol. 49, No. 1, DOI: 10.1134/S1063739720010047

Богданов, Ю.И. О связи булевой алгебры с квантовой информатикой / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, Д.В. Фастовец, В.Ф. Лукичев // Микроэлектроника. 2020, том 49, № 1, с. 3–17; 

  1. Buchin, E.Y. The Influence of Diffusion Barriers on the Capacitance Properties of Composite Anodes with Si–CuSi–Cu Composition / Buchin, E.Y., Mironenko, A.A., Naumov, V.V., Rudyi, A.S. // (2020) Technical Physics Letters, 46 (10), pp. 943-946. DOI: 10.1134/S106378502010003X 
  2. Cherepanov, V.M. Study of the Brownian broadening in the Mossbauer spectra of magnetic nanoparticles in colloids with different viscosities / Cherepanov V.M., Gabbasov R.R., Yurenya A.Y., Polikarpov M.A., Panchenko V.Y., Nikitin A.A., Abakumov M.A., Chuev M.A. // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 3, pp. 398–403. DOI: 10.1134/S1063774520030074

Черепанов, В.М. Исследование броуновского уширения мессбауэровских спектров магнитных наночастиц в составе коллоидов различной вязкости / В.М. Черепанов, Р.Р. Габбасов, А.Ю. Юреня, А.А. Никитин, М.А. Поликарпов, М.А. Чуев, В.Я. Панченко // Кристаллография, 2020, T. 65, № 3, стр. 414-419. DOI: 10.31857/S0023476120030078 

  1. Cherepanov, V.M. Valence and coordination of iron with carbon in structures based on fullerene С60 according to NGR spectroscopy and EXAFS / Cherepanov V.M., Artemiev A.N., Belyaev A.D., Knyazev G.A., Yurenya A.Y., Lebedev V.T., Borisenkova A.A., Fomin E.V., Chuev M.A. // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 3, pp. 404–408. DOI: 10.1134/S1063774520030086

Черепанов, В.М. Валентность и координация железа с углеродом в структурах на основе фуллерена С60 по данным ЯГР спектроскопии и EXAFS / В.М. Черепанов, В.Т. Лебедев, А.А. Сжогина, Э.В. Фомин, А.Н. Артемьев, А.Д. Беляев, Г.А. Князев, А.Ю. Юреня, М.А. Чуев // Кристаллография, 2020, т. 65, №3, с. 420-424. DOI: 10.31857/S002347612003008X

  1. Chuev, M.A. Mossbauer Spectroscopy of Magnetic Nanoparticles: A Historical Perspective and State of the Art // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 3, pp. 387–392. DOI: 10.1134/S1063774520030098

Чуев, М.А. Mессбауэровская спектроскопия магнитных наночастиц: исторический ракурс и современное состояние. Кристаллография, 2020, т. 65, №3, с. 402-408. DOI: 10.31857/S0023476120030091

  1. Chuev, M.A. Theoretical Approach to Analysis of X-Ray Grazing-Incidence Diffraction from 2D Crystals / M.A. Chuev, G.V. Prutskov, N.N. Novikova, E.M. Pashaev, O.V. Konovalov, N.D. Stepina, A.V. Rogachev, S.N. Yakunin // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 5, pp. 772–778. https://doi.org/10.1134/S1063774520050041

Чуев, М.А. Теоретический формализм для анализа дифракционного рассеяния рентгеновского излучения на двумерных кристаллах / М.А. Чуев, Г.В. Пруцков, Н.Н. Новикова, Э.М. Пашаев, О.В. Коновалов, Н.Д. Степина, А.В. Рогачев, С.Н. Якунин // Кристаллография, 2020, т. 65, №5, с. 800-807. DOI: 10.31857/S0023476120050045 

  1. Doludenko, I.M. Nanowires Made of FeNi and FeCo Alloys: Synthesis, Structure, and Mossbauer Measurements / I.M. Doludenko, D.L. Zagorskii, K.V. Frolov, I.V. Perunov, M.A. Chuev, V.M. Kanevskii, N.S. Erokhina, S.A. Bedin // Physics of the Solid State, 2020, Vol. 62, No. 9, pp. 1639–1646. DOI: 10.1134/S1063783420090061

Долуденко, И.М. Нанопроволоки из сплавов FeNi и FeCo: синтез, структура и мёссбауэровские спектры / И.М. Долуденко, Д.Л. Загорский, К.В. Фролов, И.В. Перунов, M.A. Чуев, B.M. Каневский, H.C. Ерохина, С.А. Бедин // Физика твердого тела, 2020, т. 62, вып. 9, 1474-1481. DOI: 10.21883/FTT.2020.09.49772.04H 

  1. Filippov, S. N. Operational restrictions in general probabilistic theories. / S. N. Filippov, S. Gudder, T. Heinosaari, L. Leppajarvi. // Foundations of Physics (2020), том 50, стр. 850-876, входит и в WoS, и в Scopus, DOI: https://doi.org/10.1007/s10701-020-00352-6 
  2. Filippov, S. N. Quantum master equations for a system interacting with a quantum gas in the low-density limit and for the semiclassical collision model / S.N.Filippov, G.N.Semin, A.N.Pechen // Physical Review A (2020), том 101, стр. 012114. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevA.101.012114 
  3. Zhang, H. On Raman scattering cross section ratio of amorphous to nanocrystalline germanium / Hao Zhang, Kochubei S.A., Popov A.A., Volodin V.A. // Solid State Communications, v. 313 (2020), 113897. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2020.113897 
  4. Katamadze, K.G. Multimode thermal states with multiphoton subtraction: Study of the photon-number distribution in the selected subsystem / Katamadze, K.G.,Avosopiants, G.V., Bogdanova, N.A., Bogdanov, Yu.I., Kulik, S.P. // Physical Review A. 101, 013811 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevA.101.013811 
  5. Khramov, E.V. XAFS and TEM Investigation of Nanocluster Formation in 64Zn+ Ion-Implanted and Thermo-Oxidized SiO2 Film / Khramov, E.V., Privezentsev, V.V., Palagushkin, A.N., Shcherbachev, K.D., Tabachkova, N.Y. // (2020) Journal of Electronic Materials, 49 (12), pp. 7343-7348. DOI: 10.1007/s11664-020-08454-7

Храмов, Е.В. Исследование методом XAFS-спектроскопии термически окисленного сапфира, имплантированного ионами цинка / Храмов Е.В., Привезенцев В.В., Палагушкин А.Н. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 11. С. 24-29. DOI: DOI: 10.31857/S1028096020110060 

  1. Khramov, E.V. XAFS Study of Thermally Oxidated Sapphire Implanted with Zinc Ions. / Khramov, E.V., Privezentsev, V.V. & Palagushkin, A.N. // J.Surf. Investig. 14, 1133–1138 (2020). https://doi.org/10.1134/S1027451020060063

Храмов, Е.В. Исследование методом XAFS-спектроскопии термически окисленного сапфира, имплантированного ионами цинка / Храмов Е.В., Привезенцев В.В., Палагушкин А.Н. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 11. С. 24-29. DOI: DOI: 10.31857/S1028096020110060 

  1. Kirnos, V. Micro-machined Vibrating Ring Gyroscope Testing / Kirnos V., Vagachev A., Morozov O. // ITNT, IEEE Xplore/ 26th Conference of Open Innovations Association (FRUCT), 20-24 April 2020 , Yaroslavl, Russia. pp. 182-187. DOI: 10.23919/FRUCT48808.2020.9087387 
  2. Kolchin, A.V. Femtosecond Laser Annealing of Multilayer Thin-Film Structures Based on Amorphous Germanium and Silicon / Kolchin A.V., Shuleiko D.V., Pavlikov A.V., Zabotnov S.V., Golovan L.A., Presnov D.E., Volodin V.A., Krivyakin G.K., Popov A.A., Kashkarov P.K. // Technical Physics Letters. 2020. v.46. p.560–563 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020060048

Колчин, А.В. Фемтосекундный лазерный отжиг многослойных тонкопленочных структур на основе аморфных германия и кремния / Колчин А.В., Шулейко Д.В., Павликов А.В., Заботнов С.В., Головань Л.А., Преснов Д.Е., Володин В.А., Кривякин Г.К., Попов А.А., Кашкаров П.К. // Письма в журнал технической физики. 2020, выпуск 11, стр. 43 

  1. Krivyakin, G.K. Effect of Interfaces and Thickness on the Crystallization Kinetics of Amorphous Germanium Films / Krivyakin G.K., Volodin V.A., Kamaev G.N., Popov A.A. // Semiconductors. 2020. v.54, p.754–758 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620070040

Кривякин, Г.К. О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия / Кривякин Г.К., Володин В.А., Камаев Г.Н., Попов А.А. //Физика и техника полупроводников. 2020, №. 7, C. 643 

  1. Lomov, A.A. Structural Perfection and Composition of Gallium-Doped Thermomigration Silicon Layers / Lomov A.A., Seredin B.M., Martyushov S.Yu., Zaichenko A.N., Simakin S.G., Shul’pina I.L. // Technical Physics Letters, v. 46, p.279–282 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020030268

Ломов, А.А. Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния / Ломов А.А., Середин Б.М., Мартюшов С.Ю., Заиченко А.Н., Симакин С.Г., Шульпина И.Л. // Письма в журнал технической физики, 2020, выпуск 6, стр. 27 

  1. Luchnikov, I.A. Machine learning non-Markovian quantum dynamics / I. A. Luchnikov, S. V. Vintskevich, D. A. Grigoriev, S. N. Filippov // Physical Review Letters (2020), т.124, С.140502, DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.124.140502 
  2. Lyubutin, I.S. Spiral magnetic structures with various helix parameters in langasite family compounds tested by Mossbauer spectroscopy / I.S. Lyubutin, M.A. Chuev, S.S. Starchikov, K.O. Funtov, M.V. Lyubutina // J. Magn. Magn. Mater., 2020, v. 504, 166665 (1-5). https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2020.166665 
  3. Makhviladze, T.M. Effect of Point Defects on the Electromigration Rate at the Interface of Joined Materials / T. M. Makhviladze, M. E. Sarychev // Russian Microelectronics Pub Date : 2021-01-27 , DOI: 10.1134/s1063739720050054 
  4. Makoviichuk, M.I. Flicker-noise processes in structurally-disordered silicon systems. // Annali d`Italia. – 2020. – № 10, part 1. – P. 26 – 39 
  5. Marukhin, N.V. An improved design of a seesaw-type MEMS switch for increased contact force / Marukhin N.V., Uvarov I.V. // Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1695, 012157. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012157 
  6. Melnikov, A.A. Deep neural networks classifying transfer efficiency in complex networks / Melnikov, A.A., L.E.Fedichkin, R.K.Lee, A.Alodjants // IEEE 2020 Opto-Electronics and Communications Conference (OECC), Taipei, Taiwan, 2020, pp. 1-3, doi: 10.1109/OECC48412.2020.9273550 
  7. Melnikov, A.A. Machine Learning Transfer Efficiencies for Noisy Quantum Walks / Melnikov, A.A.; Fedichkin, L.E.; Lee, Ray-Kuang; Alodjants, A. // Advanced quantum technologies. 2020 V.3. № 4, 1900115, DOI: 10.1002/qute.201900115 
  8. Melnikov, A.A. On training a classifier of hitting times for quantum walks / Melnikov, A.A., Fedichkin, L.E., Alodjants, A. // (2020) AIP Conference Proceedings, 2241, № 020029. DOI: 10.1063/5.0011365 
  9. Miakonkikh, A. The effect of a damaged surface layer on the conductivity of Si nanowires made by direct plasma etching on SOI wafer / A.Miakonkikh, K.Rudenko, A.Rogozhin, A.Tatarintsev // Publisher: IEEE _In: Proceedings of Fifth Joint International EuroSOI-ULIS 2019 Conference, Grenoble France, 01-03 April, 2019. DOI: 10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041909 
  10. Mordvintsev, V.M. Influence of Oxygen Pressure on Switching in Memoristors Based on Electromoformed Open Sandwich Structures / Mordvintsev V.M., Gorlachev E.S., Kudryavtsev S.E., Levin V.L. // Russian Microelectronics, v.49, p.269–277 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720040058

Мордвинцев, В.М. Влияние давления кислорода на переключения в мемристорах на основе электроформованных открытых “сэндвич”-структур / Мордвинцев В.М., Горлачев Е.С., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. // Микроэлектроника, 2020, Том 49, № 4, с. 287-296

  1. Mozhaev, P.B. Graphoepitaxial growth of CeO2 thin films on tilted-axes NdGaO3 substrates by pulsed laser deposition / P.B. Mozhaev, J.E. Mozhaeva, I.K. Bdikin, I.M. Kotelyanskii, V.A. Luzanov, J.Bindslev Hansen, C.S. Jacobsen // NANOMATERIALS SCIENCE & ENGINEERING. Vol. 2, No. 2, pp. 57-73 (2020). https://doi.org/10.34624/nmse.v2i2.9967
  2. Ozhigov, Yu.I. Quantum gates on asynchronous atomic excitations / (2020) Quantum Electronics, 50 (10), pp. 947-950. DOI: 10.1070/QEL17320
  3. Pakhomchik, A.I. Realization of the Werner–Holevo and Landau–Streater quantum channels for qutrits on quantum computers / A. I. Pakhomchik, I. Feshchenko, A. Glatz, V. M. Vinokur, A. V. Lebedev, S. N. Filippov, G. B. Lesovik. // Journal of Russian Laser Research (2020), Т.41, рр. 40-53. DOI: https://doi.org/10.1007/s10946-020-09846-0
  4. Permiakova, O. Ensemble Monte-Carlo simulation of resistive switching in HfO2/TaN/TiN stack / Permiakova, O., A.Miakonkikh, K.Rudenko, A.Rogozhin // ITNT, IEEE Conf., 2020 International Conference on Information Technology and Nanotechnology (ITNT), Samara, Russia, 2020, pp. 1-4, DOI: 10.1109/ITNT49337.2020.9253276
  5. Permyakova, O.O. Simulation of Resistive Switching in Memristor Structures Based on Transition Metal Oxides / Permyakova, O.O., Rogozhin, A.E. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (5), pp. 303-313. DOI: 10.1134/S106373972004006X
  6. Permyakova, O.O. The effect of plasma immersion ion implantation of Ne+ or Ar+ or Kr+ on the forming voltage of the resistive switching in the structure Ni/Pt/HfO2(10nm)/TaN(5nm)/TiN / O.O.Permyakova, A.V.Miakonkikh, K.V.Rudenkoя, A.E.Rogozhin // 2020 J. Phys.: Conf. Ser. 1695 012009. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012009
  7. Polyakov, A. Y. Anisotropy of hydrogen plasma effects in bulk n-type ?-Ga2O3 / A.Y.Polyakov, In-Hwan Lee, A.Miakonkikh, A.V.Chernykh, N.B.Smirnov, I.V.Shchemerov, A.I.Kochkova, A.A.Vasilev, S.J.Pearton // Journal of Applied Physics. 2020. 127, 175702 DOI: 10.1063/1.5145277
  8. Ponomarev, D.S. Sub-terahertz FET detector with self-assembled Sn-nanothreads / D.S. Ponomarev, D.V.Lavrukhin, A.E.Yachmenev, R.A.Khabibullin, I.Semenikhin, V Vyurkov, K.Marem’yanin, V.I.Gavrilenko, M.Ryzhii, M.Shur, T.Otsuji and V.Ryzhii // Journal of Physics D: Applied Physics, 2020. V. 53, N.7. – DOI: 10.1088/1361-6463/ab588f
  9. Popov, V.P. Hafnia and alumina stacks as UTBOXs in silicon-on insulator structures. / Popov V.P., Antonov V.A., Tyschenko I.E., Vdovin V.I., Gutakovskii A.K., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V. // Sol. State Electron. 2020. V.168. N107734. DOI:10.1016/j.sse.2019.107734
  10. Postnikov, A.V. Collapse Dynamics of Hemispherical Cavitation Bubble in Contact with a Solid Boundary // Fluid Dynamics, v.55, p.454–464 (2020). DOI: 10.1134/S0015462820040096

Постников, А.В. Динамика коллапса полусферического кавитационного пузырька в контакте с твердой границей. Известия Академии наук СССР. Механика жидкости и газа. 2020. № 4. С.24-34

  1. Prigara, V. The Effect of Quartz Window on Bistability of the Silicon Wafer in Lamp-Based Reactor / Prigara, V., Kupriyanov, A., Ovcharov, V. // Journal of Materials Science and Chemical Engineering, (2020) 8, 54-65. DOI: 10.4236/msce.2020.81006
  2. Privezentsev, V.V. Structure, Composition, and Properties of Zn- and O-Ion Implanted Silicon at Elevated Temperatures / Privezentsev V.V., Sergeev A.P., Kulikauskas V.S., Kiselev D.A., Trifonov A.Y., Tereshchenko A.N. // Semiconductors. 2020. V.54. Is.12. P. 1650-1656. DOI: 10.1134/S1063782620120313
  3. Privezentsev, V.V. Nanoparticle Formation in Zinc-Ion-Implanated Quartz Upon Oxidation at Elevated Temperatures / Privezentsev, V.V.; Palagushkin, A.N.; Kulikauskas, V.S.; Zilova, O.S.; Burmistrov, A.A.; Kiselev, D.A.; Ilina, T.S.; Tereshchenko, A.N.; Golubkin, A.V.; Trifonov, A.Yu. // Journal of Surface Investigation. 2020. V.14. №5. P.1072-1080. DOI: 10.1134/S1027451020050377
  4. Prokaznikov, A.V. Study of the Magneto-Optical Properties of Structures on Curved Surfaces for Creating Memory Elements on Magnetic Vortices / Prokaznikov A.V., Paporkov V.A. // Russian Microelectronics, v.49, p. 358–371 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720040071

Проказников, А.В. Исследование магнитооптических свойств структур на искривленных поверхностях для разработки элементов памяти на магнитных вихрях / Проказников А.В., Папорков В.А. //Микроэлектроника, 2020. Т.49. № 5. С. 380-394

  1. Pukhov, D.E. Taking into Account the Surface Roughness in the Electron-Probe Energy-Dispersive Analysis of Powder Materials / Pukhov D.E., Lapteva A.A. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2020. V.14. №5. P. 889-898. DOI: 10.1134/S1027451020050146

Пухов, Д.Е. Учет неровности поверхности при электронно-зондовом энергодисперсионном анализе материалов в виде порошков / Пухов Д.Э., Лаптева А.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 9. С. 28-38

  1. Qviller, A. J. Scaling Behavior of Quasi-One-Dimensional Vortex Avalanches in Superconducting Films / A.J.Qviller, T.Qureishy, Y.Xu, H. Suo, P.B.Mozhaev, J.B.Hansen, J.I.Vestgarden, T.H.Johansen, P.Mikheenko // Scientific Reports .(2020) 10:5641 | https://doi.org/10.1038/s41598-020-62601-y –
  2. Rasool, S. Annealing and plasma treatment effect on structural, morphological and topographical properties of evaporated ?-In2S3 films. / Rasool S., Saritha K., Reddy K.T.R., Tivanov M.S., Gremenok V.F., Zimin S.P., Pipkova A.S., Mazaletskiy L.A., Amirov I.I. // Materials Research Express. 2020. Т. 7. № 1. С. 016431. DOI: 10.1088/2053-1591/ab6a5b
  3. Rezvanov, A.A. Effect of terminal methyl group concentration on critical properties and plasma resistance of organosilicate low-k dielectrics / Rezvanov, A.A., Miakonkikh, A.V., Seregin, D.S., Vishnevskiy, A.S., Vorotilov, K.A., Rudenko, K.V., Baklanov, M.R. // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2020, 38 (3), art. no. 033005. DOI: 10.1116/1.5143417
  4. Rogachev, M.C. Single-photon response and microdisk spectroscopy in a diamond substrate / Rogachev M.C., Kateev I.Yu., Tsukanov A.V. // Russian Microelectronics. 2020. V. 49. №4. P. 243-250. DOI: 10.1134/S1063739720040083

Рогачев, М.С. Однофотонный отклик и спектроскопия микродиска в алмазной подложке / М.С. Рогачев, И.Ю. Катеев, А.В. Цуканов // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. №4. С. 243-250. DOI: 10.31857/S0544126920040080

  1. Rogozhin, A.E. E-Beam Lithography Simulation Techniques / Rogozhin, A.E., Sidorov, F.A. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (2), pp. 108-122. DOI: 10.1134/S1063739720010096

Рогожин, А.Е. Моделирование процессов электронно-лучевой литографии / Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А. // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 2. С. 116-132 DOI: 10.31857/S0544126920010093

  1. Rudyi, A.S. A Solid-State Lithium-Ion Battery: Structure, Technology, and Characteristics / Rudyi A.S., Mironenko A.A., Naumov V.V., Skundin A.M., Kulova T.L., Fedorov I.S., Vasil’ev S.V. // Technical Physics Letters, v.46, p.215–219 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020030141

Рудый, А.С. Твердотельный литий-ионный аккумулятор: структура, технология и характеристики / Рудый А.С., Мироненко А.А., Наумов В.В., Скундин А.М., Кулова Т.Л., Федоров И.С., Васильев С.В. // Письма в журнал технической физики, 2020, №5, стр. 15

  1. Rudyi, A.S. Study of the Relaxational Polarization Dynamics of the LiPON Solid Electrolyte / Rudyi A.S., Lebedev M.E., Mironenko A.A., Mazaletskii L.A., Naumov V.V., Novozhilova A.V., Fedorov I. S., Churilov A.B. // Russian Microelectronics, volume 49, pages 345–357 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720040095

Рудый, А.С. Исследование динамики релаксационной поляризации твердого электролита LiPON / Рудый А.С., Лебедев М.Е., Мироненко А.А., Мазалецкий Л.А., Наумов В.В., Новожилова А.В., Федоров И.С., Чурилов А.Б. // Микроэлектроника, 2020, Том 49, № 5, с. 366-379

  1. Savinskii, N.G. Analyzing Products of the Electrochemical Exfoliation of Graphite via Rutherford Backscattering and X-Ray Diffractometry / Savinskii N.G., Melesov N.S., Parshin E.O., Vasiliev S.V., Bachurin V.I., Churilov A.B. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2020, Vol. 84, No. 6, pp. 732–735. DOI: 10.3103/S1062873820060222

Савинский, Н.Г. Анализ продуктов электрохимической эксфолиации графита методами резерфордовского обратного рассеяния и ренгеновской дифрактометрии / Савинский Н.Г., Мелесов Н.С., Паршин Е.О., Васильев С.В., Бачурин В.И., Чурилов А.Б. // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2020. Т. 84. №. 6. С. 887-891

  1. Selyukov, R.V. The Influence of Film Thickness on the Annealing-Induced Changes of Texture and of the Fraction of Crystalline Phase in Pt Films / Selyukov R.V., Naumov V.V. // Technical Physics, v.65, p.762–770 (2020). DOI: 10.1134/S1063784220050229

Селюков, Р.В. Влияние толщины пленки Pt на изменение текстуры и доли кристаллической фазы при ее отжиге / Селюков Р.В., Наумов В.В. // Журнал технической физики, 2020, выпуск 5, стр. 795

  1. Selyukov, R.V. The Influence of Low-Energy Ion-Plasma Treatment on the Surface Morphology of Pt Films with Varying Strength of Crystalline Texture / Selyukov R.V., Izyumov M.O., Naumov V.V. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, volume 14, pages 777–783 (2020).DOI:10.1134/S1027451020040321

Селюков, Р.В. Влияние низкоэнергетической ионно-плазменной обработки на морфологию поверхности пленок Pt с различной остротой кристаллической текстуры / Селюков Р.В., Изюмов М.О., Наумов В.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 8. С. 26-33. DOI:10.31857/S1028096020080142

  1. Semenikhin, I. The spectral element method for the solution of Maxwell’s equations // J. Phys.: Conf. Ser., Vol. 1461, 012151 (2020), DOI: https://doi.org/10.1088/1742-6596/1461/1/012151
  2. Shlepakov, P.S. Choosing the electrode material for the fast electrochemical actuator / Shlepakov P.S., Uvarov I.V., Naumov V.V., Svetovoy V.B. // Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1695, 012155. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012155
  3. Shumilov, A.S. Profile Evolution of Silicon Nanostructures in Argon-Plasma Sputtering / Shumilov A.S., Amirov I.I. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, volume 14, pages 935–943 (2020). DOI: 10.1134/S1027451020050195

Шумилов, А.С. Эволюция профиля Si наноструктур при распылении в аргоновой плазме ВЧИ разряда / Шумилов А.С., Амиров И.И. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 9. С. 80-88

  1. Sidorov, F. Direct Monte-Carlo simulation of dry e-beam etching of resist / Sidorov, F.; Rogozhin, A.; Bruk, M.; Zhikharev, E. // Microelectronic Engineering 2020 V.227. 111313. DOI: 10.1016/j.mee.2020.111313
  2. Sidorov, F. New microscopic approach to e-beam lithography simulation / Sidorov, F., A. Rogozhin // ITNT, IEEE Conf., 2020, pp. 1-4, DOI: 10.1109/ITNT49337.2020.9253231
  3. Sidorov, F.A. Microscopic simulation of e-beam induced PMMA chain scissions with temperature effect / F.A.Sidorov, A.E.Rogozhin // J. Phys.: Conf. Ser. 2020. V.1695. 012202. – 7th International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2020”: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012202
  4. Smirnova, E.A. Atomic layer deposition of Ruthenium on different interfaces for an advanced metallization system of ICs / E.A.Smirnova, A.V.Miakonkikh, A.E.Rogozhin, K.V.Rudenko // J. Phys.: Conf. Ser. 2020. V.1695. 7th International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2020”: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012045
  5. Svetovoy, V.B. Explosion of Microbubbles Generated by the Alternating Polarity Water Electrolysis / Svetovoy V.B., Prokaznikov A.V., Postnikov A.V., Uvarov I.V., Palasantzas G. // Energies, 2020, 13(1), 20. https://doi.org/10.3390/en13010020
  6. Svetovoy, V.B. Measuring the dispersion forces near the van der Waals–Casimir transition / Svetovoy V.B., Postnikov A.V., Uvarov I.V., Stepanov F.I., Palasantzas G. // Physical Review Applied, 2020, Vol. 13, 064057. DOI: 10.1103/PhysRevApplied.13.064057
  7. Tatarintsev, A.A. The Effect of Temperature on the Development of a Contrast HSQ Electronic Resist / Tatarintsev, A.A., Shishlyannikov, A.V., Rudenko, K.V., Rogozhin, A.E., Ieshkin, A.E. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (3), pp. 151-156. DOI: 10.1134/S1063739720030063
  8. Татаринцев, А.А. Влияние температуры проявления на контраст электронного резиста HSQ / Татаринцев А.А., Шишлянников А.В., Руденко К.В., Рогожин А.Е., Иешкин А.Е. // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 3. С. 163-169. DOI: 10.31857/S0544126920030060
  9. Tolstoguzov, A.B. Influence of the Finite-Size Effect on the Cluster Ion Emission of Silicon Nanostructures / Tolstoguzov A.B., Drozdov M.N., Ieshkin, A.E., Tatarintsev A.A., Myakon’kikh A.V., Belykh S.F., Korobeishchikov N.G., Pelenovich V.O., Fu D.J. // JETP Letters, 2020, 111 (8), pp. 467-471. DOI: 10.1134/S0021364020080123
  10. Tsukanov, A.V. Polarization converter of single photons on a two-dimensional quantum dot in an optical microresonator / A.V. Tsukanov, I.Yu. Kateev // Laser Phys. Lett. 2020. V. 17. No. 11. P. 115204. DOI: 10.1088/1612-202X/abbf46

Цуканов, А.В. Поляризационный преобразователь на квантовой точке в оптомеханическом резонаторе / А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев// Квант. электроника. 2020. Т. 50. №3. С. 291-298

  1. Tsukanov, A.V. Quantum chip with the optimized tunnel structure for measuring a charge qubit based on a double quantum dot / Tsukanov A.V., Kateev I.Yu. // Russian Microelectronics. 2020. V. 49. №2. P. 83-100. DOI: 10.1134/S1063739720020080

Цуканов, А.В. Квантовый чип с оптимизированной туннельной структурой для измерения зарядового кубита на двойной квантовой точке / А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. №2. С. 83-100. DOI: 10.31857/S0544126920020088

  1. Tsukanov, A.V. Quantum dot polarisation converter in an optomechanical cavity / A V Tsukanov, I Yu Kateev // QUANTUM ELECTRONICS. 2020. Т.50. №3. С.291-298. DOI: 10.1070/QEL17182

Цуканов, А.В. Поляризационный преобразователь на квантовой точке в оптомеханическом резонаторе / А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев // Квант. электроника. 2020. Т. 50. №3. С. 291-298. DOI: 10.1070/QEL17182

  1. Tsukanov, A.V.Measurements of quantum dot level populations using an optical waveguide // Quantum Electronics(2021), 51 (1):84. DOI:10.1070/QEL17441

Цуканов, А.В. Измерение заселенности квантовой точки с помощью оптического волновода // Квантовая электроника, 2021,Т.51, №1, С.84–94

  1. Uvarov, I.V. Calculation of Performance of MEMS-Switch with Increased Capacitance Ratio / Uvarov I.V., Marukhin N.V., Shlepakov P.S., Lukichev V.F. // Russian Microelectronics, v. 49, pages 253–262 (2020). DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739720040113

Уваров, И.В., Марухин Н.В., Шлепаков П.С., Лукичев В.Ф. Расчет рабочих характеристик МЭМС-переключателя с увеличенным отношением емкостей. Микроэлектроника, 2020, Том 49, № 4, с. 271-280. DOI: 10.31857/S0544126920040110

  1. Uvarov, I.V. Improving the performance of the fast electrochemical actuator. / Uvarov I.V., Melenev A.E., Selyukov R.V., Svetovoy V.B. // Sensors and Actuators A: Physical, 2020, Vol. 315, 112346. DOI: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112346
  2. Uvarov, I.V. Testing of aluminium and its alloys as structural materials for a MEMS switch / Uvarov I.V., Selyukov R.V., Naumov V.V. // Microsystem Technologies, 2020, DOI 10.1007/s00542-020-04748-2
  3. Vakulov, Z. Oxygen pressure influence on properties of nanocrystalline linbo3 films grown by laser ablation / Vakulov Z., Zamburg E., Khakhulin D., Geldas, A., Golosov D.A., Zavadski S.M., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V., Dostanko A.P., He Z., Ageev O.A. // Nanomaterials, 2020, 10 (7), art. no. 1371, pp. 1-13. DOI: 10.3390/nano10071371
  4. Victorova, N.B. Quasi-Classical Description of the “Quantum Bottleneck” Effect for Thermal Relaxation of an Atom in a Resonator / Victorova, N.B., Kulagin, A.V., Ozhigov, Y.I. // (2020) Computational Mathematics and Modeling, 31 (1). DOI: 10.1007/s10598-020-09470-2
  5. Yurenya, A.Yu. Studying the Effect of Brownian Motion on the Mossbauer Spectra of Nanoparticles in a Medium Simulating Cell Cytoplasm / A.Yu. Yurenya, A.A. Nikitin, R.R. Gabbasov, M.A. Polikarpov, V.M. Cherepanov, M.A. Chuev, M.A. Abakumov, V.Ya. Panchenko // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2020, Vol. 84, No. 11, pp. 1399–1402. DOI: 10.3103/S1062873820110295

Юреня, А.Ю.Исследование влияния броуновской диффузии на мессбауэровские спектры наночастиц в среде, моделирующей клеточную цитоплазму. / А.Ю. Юреня, А.А. Никитин, Р.Р. Габбасов, М.А. Поликарпов, В.М. Черепанов, М.А. Чуев, М.А. Абакумов, В.Я. Панченко // Изв. РАН. Сер. физ., 2020, т. 84, № 11, с. 1638–1642. DOI: 10.31857/S0367676520110320 

  1. Yurenya, A.Yu. Synthesis and In Vitro Study of the Biodegradation Resistance of Magnetic Nanoparticles Designed for Studyingthe Viscoelasticity of Cytoplasm. / A.Yu. Yurenya, R.R. Gabbasov, A.A. Nikitin, V.M. Cherepanov, M.A. Polikarpov, M.A. Chuev, M.A. Abakumov, A.G. Majouga, and V.Ya. Panchenko // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 3, pp. 381–386. DOI: 10.1134/S1063774520030359

Юреня, А.Ю. Синтез и in vitro исследование устойчивости к биоразложению магнитных наночастиц, предназначенных для исследования вязкоэластичных свойств цитоплазмы / А.Ю. Юреня, Р.Р. Габбасов, А.А. Никитин, В.М. Черепанов, М.А. Поликарпов, М.А. Чуев, М.А. Абакумов, А.Г. Мажуга, В.Я. Панченко. // Кристаллография, 2020, т. 65, №3, с. 395-401. DOI: 10.31857/S0023476120030364 

  1. Zimin, S.P. Surface Modification of Pb 1 – x Sn x Se Films during Plasma Treatment Near the Sputtering Threshold / S.P.Zimin, I.I.Amirov, V.V.Naumov, K.E.Guseva // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. Pub Date : 2020-12-28 , DOI: 10.1134/s1027451020050213

Зимин, С.П. Модификация поверхности пленок Pb1–xSnxSe при плазменной обработке вблизи порога распыления / Зимин С.П., Амиров И.И., Наумов В.В., Гусева К.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 11. С. 68-73. DOI: 10.31857/S1028096020090216

  1. Авосопянц, Г.В. Характеризация параметров линейно-оптических схем посредством корреляционных измерений тепловых полей / Авосопянц Г.В., Романова А.В., Катамадзе К.Г., Богданов Ю.И., Кулик С.П. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 668-670. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.668.670
  2. Асадов, M.M. Ab initio расчеты электронных свойств и явления переноса в графеновых материалах / M.M. Асадов, С.Н. Мустафаева, С.C.Гусейнова , В.Ф. Лукичев // Физика твердого тела.2020. Т. 62. В.11. С.1975. DOI: 10.21883/FTT.2020.11.50078.122
  3. Бантыш, Б.И. Квантовая томография ионных кудитов / Бантыш Б.И., Богданов Ю.И. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 666-667. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.666.667
  4. Бантыш, Б.И. Прецизионная томография квантовых состояний в условиях нечетких квантовых измерений / Б.И. Бантыш, Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, Ю.А. Кузнецов // Труды Физико-технологического института – гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. – 103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. С.18-42
  5. Бантыш, Б.И. Сравнение методов томографии чистых и почти чистых квантовых состояний / Б.И.Бантыш, А.Ю.Чернявский, Ю.И.Богданов //Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, вып. 9, с. 615 – 622 DOI: 10.31857/S1234567820090074
  6. Богданов, Ю. И. Томография сверхпроводниковых квантовых операций с гарантированной точностью / Богданов Ю. И., Бантыш Б. И., Лукичев В.Ф., Беседин И. С., Рязанов В.В. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 658-660. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.658.660
  7. Богданов, Ю.И. Гиперпуассонов-ская статистика фотонов / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, К.Г. Катамадзе, Г.В. Авосопянц, В.Ф. Лукичев //Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, вып. 10, с. 646 – 652. DOI: 10.31857/S123456782010002X
  8. Богданов, Ю.И. Квантовый подход к моделированию классических динамических систем / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, Д.В. Фастовец, В.Ф. Лукичев // Труды Физико-технологического института / гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. – 103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. с. 3-16
  9. Богданов, Ю.И. Томография квантовых систем в условиях ограниченной статистической устойчивости / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичев // Труды Физико-технологического института – гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. –103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. с.43-57
  10. Богданова, Н.А. Прецизионный контроль эволюции состояний кудитов / Богданова Н.А., Богданов Ю.И., Кузнецов Ю.А., Дмитриев И.А., Лукичев В.Ф. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 661-662. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.661.662
  11. Бучин, Э.Ю. Активирующая роль бора при ионном синтезе КНИ-структур со скрытым силикатным слоем / Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И. // Научный электронный журнал “Меридиан” 2020. Выпуск №7 (41), стр. 291-293
  12. Бучин, Э.Ю. Влияние диффузионных барьеров на емкостные свойства композитных анодов состава Si-CuSi-Cu / Бучин Э.Ю., Мироненко А.А., Наумов В.В., Рудый А.С. // Письма в журнал технической физики, 2020, т.46, вып.19, стр. 3. DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50034.18389
  13. Денисенко, Ю.И. Дефектно-примесное наноструктурирование кремния с помощью отжига в неизотермическом реакторе. Научный электронный журнал “Меридиан”, 2020. Выпуск №6 (40), стр. 285-287
  14. Катамадзе, К.Г. Томография оптической однокубитной квантовой памяти / Катамадзе К.Г., Бантыш Б. И., Богданов Ю. И., Герасимов К. И., Миннегалиев М. М., Сабиров Т.Н., Моисеев С. А. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 663-665. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.663.665
  15. Махвиладзе, Т.М. Влияние точечных дефектов на скорость электромиграции по границе соединенных материалов / Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 6. С. 450-458. DOI: 10.31857/S0544126920050051
  16. Орлов, А.А. Исследование процесса формирования линий в пористых диэлектриках для системы металлизации с проектными нормами 28 нм и ниже / Орлов А.А., Резванов А.А., Мяконьких А.В. // Наноиндустрия. 2020. № S96-2. С. 684-687. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.3s.684.687
  17. Пащенко, А.В. Источник бифотонного поля со сверхшироким спектром на основе жесткой фокусировки в эффективно тонком кристалле / Пащенко А.В., Катамадзе К.Г., Кулик С.П. // Наноиндустрия. 2020. Т.13. № S4 (99). С. 700-701 DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.700.701
  18. Самойленко, С.Р. Сверхразрешение оптических изображений за счет совместного измерения статистики фотонов в нескольких пространственных модах / Самойленко С.Р., Бантыш Б.И., Катамадзе. К.Г., Богданов Ю.И., Кулик С. П. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 697-699. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.697.699
  19. Скундин, А.М. Аморфизация оксидов ванадия при обратимом внедрении лития / Скундин А.М., Мироненко А.А., Рудый А.С., Федоров И.С., Васильев С.В., Мазалецкий Л.А., Торцева Ю.С., Кузнецов О.Е. // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 6. С. 442-449. DOI: 10.31857/S0544126920050099
  20. Фастовец, Д. В. Анализ квантовых измерений на основе методов машинного обучения / Фастовец Д. В., Богданов Ю. И., Лукичев В. Ф. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 673-675. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.673.675
  21. Цуканов, А.В. Измерение зарядового кубита с помощью одноэлектронного транзистора на тройной квантовой точке // Труды Физико-технологического института / гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. –103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. С. 58-75
  22. Цуканов, А.В. Поляризационный преобразователь на квантовой точке в оптомеханическом резонаторе / А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев // Труды Физико-технологического института / гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. –103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. С. 76-90

Конференции:

  1. Babushkin, A.S. The effect of low-energy ion bombardment on residual stress in thin metal films due to the generation of surface defects and their migration to the grain boundary // 7th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint-Petersburg OPEN 2020” (April 27 – 30): Book of abstracts. St. Petersburg, Russia. 2020. P. 519-520 
  2. Kirnos, V. Micro-machined Vibrating Ring Gyroscope Testing / Kirnos V., Vagachev A., Morozov O. // 26th Conference of Open Innovations Association (FRUCT), 20-24 April 2020 , Yaroslavl, Russia. pp. 182-187. DOI: 10.23919/FRUCT48808.2020.9087387
  3. Kuzmenko, V. Experimental study of inductive coupled plasma of CF3Br / Kuzmenko V., Miakonkikh A., Rudenko K. // Всероссийская (с международным участием) конференция «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Россия, Казань
  4. Marukhin, N.V. An improved design of a seesaw-type MEMS switch for increased contact force / Marukhin N.V., Uvarov I.V. // 7th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint Petersburg OPEN 2020” (April 26-30, 2020, St. Petersburg, Russia): Book of abstracts. – St. Petersburg: Academic University Publishing, 2020. – P. 432-433
  5. Miakonkikh, A. Applications of cyclic two-step process “oxidation-etching” for silicon micro structures formation / Miakonkikh A., Kuzmenko V., Averkin S., Rudenko K. // Всероссийская (с международным участием) конференция «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Россия, Казань
  6. Miakonkikh, A.V. Phase transformation in ALD hafnia based layers for silicon-on-ferroelectric devices / A.V. Miakonkikh, A.A. Lomov, A.E. Rogozhin, K.V. Rudenko, V.F. Lukichev, F.V. Tikhonenko, V.A. Antonov, V.P. Popov // 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), September 1-30, 2020. Caen, France
  7. Permiakova, O. Change in the forming voltage of the resistive switching in Pt/HfO2 (10 nm)/ TaN (5 nm)/ TiN stricture after Ne+, Ar+, Kr+ ion implantation / O. Permiakova, A. Miakonkikh, K. Rudenko and A. Rogozhin // 7th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2020» Saint-Petersburg, Russia, 26-30 April 2020
  8. Permiakova, O. Ensemble Monte-Carlo simulation of resistive switching in HfO2/TaN/TiN stack / O. Permiakova, A. Miakonkikh, K. Rudenko and A. Rogozhin // VI International Conference on Information Technology and Nanotechnology (ITNT-2020), 26-29 May 2020 Samara, Russia
  9. Permyakova, O.O. MONTE-CARLO SIMULATION OF RESISTIVE SWITCHING AND ELECTROFORMING PROCESS IN PT/HFO2/TAN MEMRISTOR STRUCTURE / Permyakova O.O., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V., Rogozhin A.E. //Пермякова, О.О. Моделирование резистивного переключения и процесса электроформовки в структуре Pt/HfO2/TaN с помощью метода Монте-Карло / Пермякова О.О., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рогожин А.Е. // В сб: Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020), 26-29 мая 2020, Самара, Россия. Сб.трудов по мат. VI Международной конференции и молодежной школы. В 4-х тт. Под ред.В.А. Соболева. 2020. Т.3. С. 732-737. ISBN: 978-5-7883-1511-9. с.874
  10. Rudenko, K. Deep anisotropic plasma-stimulated etching of silicon: from theBosch process to cryogenic microstructure formation technologies for various applications / K. Rudenko, A. Miakonkikh / International Baltic School 2020: New Opportunities of MegaScience Facilities, Kaliningrad, in Russia, November 02 – 06, 2020
  11. Shlepakov, P.S. Choosing the electrode material for the fast electrochemical actuator / Shlepakov P.S., Uvarov I.V., Naumov V.V., Svetovoy V.B // 7th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint Petersburg OPEN 2020” (April 26-30, 2020, St. Petersburg, Russia): Book of abstracts. – St. Petersburg: Academic University Publishing, 2020. – P. 428-429
  12. Smirnova, E. Atomic layer deposition of ruthenium on different interfaces for advanced metallization system of ICs / E. Smirnova, A. Miakonkikh, A. Rogozhin, K. Rudenko // 7th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2020» Saint-Petersburg, Russia, 26-30 April 2020
  13. Tarkov, M.S. Logic Elements and Crossbar Architecture Based on SOI Two-Gate Ferroelectric Transistors / M.S. Tarkov, A.N. Leushin, F.V. Tikhonenko, I.E. Tyschenko, V.P. Popov, A.V. Miakonkikh, K.V. Rudenko // 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), September 1-30, 2020. Caen, France
  14. Амиров, И.И. Роль дислокаций в формировании микрорельефа при плазменной обработке кристаллов сульфида свинца / Амиров И.И., Зимин С.П., Колесников Н.Н., Горлачев Е.С., Наумов В.В. // Тез.Всероссийской (с международным участием) конф. «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Казань, с.151-152. (Сб.тезисов, PDF)
  15. Бантыш, Б.И. Прецизионный контроль качества поляризационных квантовых состояний света / Бантыш Б.И., Богданов Ю.И. // В книге: Тезисы докладов II Конференции по фотонике и квантовым технологиям. 16-18 апреля 2020, Казань, С. 12-13
  16. Гайдукасов, Р.А. Применение метода регуляризации Тихонова к решению задач эллипсометрической порометрии / Р.А.Гайдукасов, А.В.Мяконьких, К.В. Руденко // 63-я Всероссийская научная конференция МФТИ, 23 – 29 ноября 2020 г., Россия, Долгопрудный
  17. Горлачев, Е.С. Cравнение наноструктурирования пленок теллурида свинца-олова в индуктивной аргоновой плазме и при облучении аргоновым ионным пучком / Горлачев Е.С., Зимин С.П., Амиров И.И., Наумов В.В., Facsko S., Erb D., Bradley R.M. // Тез. Всероссийской (с международным участием) конф. «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Казань, с.153-154. (Сб. тезисов, PDF)
  18. Долуденко, И.М. Нанопроволоки из сплавов FeNi и FeCo: синтез, структура и мёссбауэровские спектры / И.М. Долуденко, Д.Л. Загорский, К.В. Фролов, И.В. Перунов, M.A. Чуев, B.M. Каневский, H.C. Ерохина, С.А. Бедин // The International Symposium “Nanophysics & Nanoelectronics”. 10-13 March, 2020, Nizhny Novgorod, Russia. Proceedings, 2020, v. 1, p. 189
  19. Кривелевич, С.А. Влияние движения границы раздела на распределения компонентов в системах с силикатными диффузионными источниками. // XXXII Симпозиум «Современная химическая физика» (19 – 28 сентября 2020 г., Туапсе). – М.: «Парк – медиа», 2020. – С. 50
  20. Кузьменко, В.О. Метод получения кремниевых микроструктур в циклическом процессе плазмохимического травления / В.О. Кузьменко, А.В. Мяконьких // 63-я Всероссийская научная конференция МФТИ, 23 – 29 ноября 2020 г., Россия, Долгопрудный
  21. Маковийчук, М.И. Regularities of magnetooptical response on different nanoscales / Маковийчук, М.И., Paporkov V.A., Prokaznikov A.V. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.136 – 138
  22. Маковийчук, М.И. Ионный синтез кремниевых структур, содержащих скрытые слои силикатной фазы Si-O-Pb. / Маковийчук, М.И., Бучин Э.Ю. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.138 – 140
  23. Маковийчук, М.И. Фликкер-шум в структурно-неупорядоченных полупроводниках.// Тезисы докладов XXXII Симпозиума «Современная химическая физика» (19 – 28 сентября 2020 г., Туапсе). – М.: «Парк – медиа», 2020. – С. 56
  24. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовые методы информационного анализа структурно-неупорядоченных полупроводников. Часть 1. Введение в проблему. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.132 – 134
  25. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовые методы информационного анализа структурно-неупорядоченных полупроводников. Часть 2. Цель и задачи исследования. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.134 – 136
  26. Маковийчук, М.И. Экспериментальное моделирование явлений переноса носителей заряда между резистивными элементами матрицы фликкер-шумовых газовых сенсоров. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.130 – 132
  27. Маковийчук, М.И. Эффект возрастания емкости литий-ионных аккумуляторов с силицидными анодами. / Маковийчук, М.И., Бучин Э.Ю. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.140 – 141
  28. Махвиладзе, Т. М. Проблемы моделирования технологических процессов нано- и микроэлектроники // Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» по теме «Проблемы моделирования элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания». Президиум РАН, Ленинский пр-т, 32А, Москва, РФ. 18 ноября 2020
  29. Мяконьких, А.В. Атомно-слоевое осаждение нитридов титана и тантала с низким электрическим сопротивлением / А.В. Мяконьких, Клементе И.Э., К.В. Руденко // Кузнецовские чтения – 2020, Пятый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, Новосибирск, 3 – 5 февраля 2020 года
  30. Орлов, А. Криогенное травление пористых диэлектриков с использованием плазмы газа дибромтетрафторэтана / Орлов А., Резванов А., Мяконьких А. //Всероссийская (с международным участием) конференция «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Россия, Казань
  31. Пестова, А.Н. Исследование многослойных спин-туннельных структур // XXVII Международная конф. студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов», 10-27 ноября 2020, Москва, Ма.Международного молодежного научного форума «ЛОМОНОСОВ-2020». Секция «Физика». Подсекция «Твердотельная наноэлектроника». (Материалы форума)
  32. Попов, В.П. 2G FeFET транзисторы на КНИ и КНС структурах с нанометровыми скрытыми слоями High-k диэлектриков для нейроморфных ИС / В.П. Попов, В.А. Антонов, А.Н. Леушин, Ф.В. Тихоненко, М.С. Тарков, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, В.Ф. Лукичев // Нанофизика и наноэлектроника, XXIV международный симпозиум, 10 – 13 марта 2020 г., Нижний Новгород
  33. Попов, В.П. Структура диэлектриков на основе атомно-осажденных оксидов гафния-циркония в скрытых слоях КНИ и КНС / В.П. Попов, В.А. Антонов, А.В. Мяконьких, А.А. Ломов, К.В. Руденко // Кузнецовские чтения – 2020, Пятый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, Новосибирск, 3 – 5 февраля 2020 года
  34. Попов, В.П. Электронные свойства КНИ структур c атомно-осажденными на кремний изолирующими слоями оксида гафния и циркония / В.П. Попов, В.А. Антонов, Ф.В. Тихоненко, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко // Кузнецовские чтения – 2020, Пятый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, Новосибирск, 3 – 5 февраля 2020 года
  35. Сарычев, М.Е. Моделирование отказов элементов металлизации микро- и наноэлектронных устройств под действием электромиграции // Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» по теме «Проблемы моделирования элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания». Президиум РАН, Ленинский пр-т, 32А, Москва, РФ. 18 ноября 2020
  36. Семенихин, И. А. Увеличение точности численного решения уравнений Максвелла посредством учета угловых особенностей электромагнитного поля // 30-я Международная Крымская конференция “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2020, 6-12 сентября 2020 года, Севастополь)
  37. Смирнова, Е. Плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение барьерных и металлических слоев для металлизации интегральных схем / Смирнова Е., Мяконьких А., Рогожин А., Руденко К. // Всероссийская (с международным участием) конференция «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Россия, Казань
  38. Цуканов, А.В. Расчет распределения электрического поля внутри сегментированного волновода из оптических резонаторов Фабри-Перо / А.В. Цуканов, Я.В. Гарев // [Электронный ресурс]. Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, 10-27 ноября 2020 г. Материалы Международного молодежного научного форума «ЛОМОНОСОВ-2020» [Электронный ресурс] / Отв.ред. И.А. Алешковский, А.В. Андриянов, Е.А. Антипов. – Электрон. текстовые дан. (1500 Мб.) – М.: МАКС Пресс, 2020. – Режим доступа: https://lomonosov-msu.ru/archive/Lomonosov_2020/index.htm, свободный – Материалы Международного молодежного научного форума «ЛОМОНОСОВ-2020». ISBN 978-5-317-06417-4
  39. Шлепаков, П.С. Деградация электродов в электрохимическом процессе переменной полярности / Шлепаков П.С., Уваpов И.В., Наумов В.В., Световой В.Б. // Инновационные материалы и технологии: материалы Международной научно-технической конференции молодых ученых, г. Минск, 9-10 января 2020 г. – Минск: БГТУ, 2020. – С. 628-631

Патенты:

  1. Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф. //Способ изготовления тунельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки / Патент на изобретение РФ № 2717157, Опубл. 18.03.2020. Бюлл.№8. (Заявка № 2018121044 от 07.06.2018).

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год

Статьи:

  1. Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2 by combine plasma etching processes / AAmirov, I. I. ; Gorlachev, E. S.; Mazaletsky, L. A.); Izyumov, M. O. // Proceedings of SPIE. 2019. Том: 11022. UNSP 1102221. INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO- AND NANO-ELECTRONICS 2018 . DOI: 10.1117/12.2521275
  2. Asadov, S. M. Effect of the Composition on the Dielectric Propertiesand Charge Transfer in 2D GaS1 –хSeх Materials / S. M. Asadov, S. N. Mustafaeva, V. F. Lukichev, D. T. Guseinovb ISSN 1063-7397, Russian Microelectronics, 2019, Vol. 48, No. 4, pp. 203–207. — (Nagiev Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, 1145 Azerbaijanb Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, 1141 Azerbaijan)
  3. Babushkin, A. Effect of Ar ion-plasma treatment on residual stress in thin Cr films / Babushkin A., Selyuko R., Amirov I. // INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO- AND NANO-ELECTRONICS 2018- Proceedings of SPIE, 2019 – V.: 11022 – 1102223. DOI: 10.1117/12.2521617
  4. Bachurin, V. Depth Profiling of Layered Si-O-Al Thin Films with Secondary Ion Mass Spectrometry and Rutherford Backscattering Spectrometry / Bachurin V.I., Melesov N.S., Mironenko A.A., Parshin E.O., Rudy A.S., Simakin S.G., Churilov A.B. // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION – 2019. V.: 13 – 2 – pp.: 300-305. DOI: 10.1134/S102745101902023X
  5. Бачурин, В.И. Послойный анализ тонкопленочных Si-O-Al структур методами вторично-ионной масс-спектрометрии и резерфордовского обратного рассеяния / Бачурин В.И., Мелесов Н.С., Мироненко А.А., Паршин Е.О., Рудый А.С., Симакин С.Г., Чурилов А.Б. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2019. №4. С.38-43. DOI: 10.1134/S0207352819040024
  6. Bachurin, V. Study of Multilayer Thin Film Structures by Rutherford Backscattering Spectrometry / Bachurin V.I., Melesov N.S., Parshin E.O., Rudy A.S., Churilov A.B. // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. 2019. V.: 45 – 6 – pp.: 609-612. DOI: 10.1134/S1063785019060191
  7. Bachurin, V. The opportunities of Rutherford backscattering spectroscopy for analysis of multilayer nanometer thin film structures / Bachurin V., Churilov A., Melesov N., Parshin E., Rudy A., Trushin O. // Proc. SPIE 2019, V. 11022, P. 110221I, DOI: 10.1117/12.2522103
  8. Bachurin, V.I. Study of Multilayer Thin Film Structures by Rutherford Backscattering Spectrometry / Bachurin V.I., N.S.Melesov, E.O.Parshin, A.S.Rudy, A.B.Churilov // Tech. Phys. Lett. (2019) 45: 609. DOI: 10.1134/S1063785019060191
  9. Бачурин, В.И. Исследование многослойных тонкопленочных структур методом резерфордовского обратного рассеяния / Бачурин В.И., Мелесов Н.С., Паршин Е.О., Рудый А.С., Чурилов А.Б. // Письма в журнал технической физики, 2019, выпуск 12, стр. 26. DOI: 10.21883/PJTF.2019.12.47914.17798 РИНЦ, Scopus, WoS
  10. Bakulin, I.S. Navigated TMS mapping using the grid-based algorithm to evaluate the reorganization of cortical muscle representation in amyotrophic lateral sclerosis / Bakulin I.S., Sinitsyn D.O., Poydasheva A.G., Chernyavsky A.Yu., Suponeva N.A., Zakharova M.N., Piradov M.A. // Annals of Clinical and Experimental Neurology. 2019. V. 13 – 3 – 2019 – pp. 55-62. DOI: 10.25692/ACEN.2019.3.8
  11. Бакулин, И.С. Навигационное ТМС-картирование с сеточным алгоритмом в оценке реорганизации корковых представительств мышц при боковом амиотрофическом склерозе. / Бакулин И.С., Синицын Д.О., Пойдашева А.Г., Чернявский А.Ю., Супонева Н.А., Захарова М.Н., Пирадов М.А. // Анналы клинической и экспериментальной неврологии 2019. 13(3): 55–62. DOI: 10.25692/ACEN.2019.3.8
  12. Bantysh, B.I. High-fidelity quantum tomography with imperfect measurements / B.I. Bantysh, D.V. Fastovets, Yu.I. Bogdanov // Proceedings of SPIE, 2019. т.11022. UNSP 110222N. ICMNE2018 -1-5 Oct. 2018, Zvenigorod, Russia.DOI : 10.1117/12.2522413
  13. Bogdanov, Yu.I. Nonparametric Statistical Analysis of Radiation Hardness Threshold Variation in CMOS IC Wafer Lots Series with the Aim of Process Monitoring / Bogdanov Y.I., Bogdanova N.A., Fastovets D.V., Moskovskaya Y.M., Sogojan A.V., Nikiforov A.Y.// 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics, MIEL 2019 – ProceedingsSeptember 2019, Номер статьи 8889642, Pages 193-196 DOI: 10.1109/MIEL.2019.8889642
  14. Bogdanov, Yu.I. Quantum approach to the dynamical systems modeling / Yu.I. Bogdanov, N.A. Bogdanova, D.V. Fastovets, V.F. Lukichev, // Proceedings of SPIE, 2019. т.11022. UNSP 110222Q. ICMNE-2018. 1-5 Oct. 2018, Zvenigorod, Russia.DOI: 10.1117/12.2522426
  15. Bogdanov, Yu.I. Quantum tomography based on principles of completeness, adequacy and fidelity / Yu.I. Bogdanov , N.A. Bogdanova, B.I. Bantysh, D.V. Fastovets, V.F. Lukichev // Proceedings of SPIE, 2019. т.11022. UNSP 110222M. ICMNE2018. 1-5 Oct. 2018, Zvenigorod, Russia.DOI:10.1117/12.2522430
  16. Bogdanov, Yu.I. Representation of Boolean functions in terms of quantum computation / Yu.I.Bogdanov, N.A.Bogdanova, D.V.Fastovets, V.F.Lukichev // Proceedings of SPIE, 2019. т.11022. UNSP 110222R. ICMNE2018. 1-5 Oct. 2018, Zvenigorod, Russia. DOI: 10.1117/12.2522053
  17. Bogdanov, Yu.I. The concept of weak measurements and the super-efficiency of quantum tomography / Bogdanov Yu.I., Bogdanova N.A., Bantysh B.I., Kuznetsov Yu.A. // Proceedings of SPIE, 2019. т.11022. UNSP 110222O. ICMNE2018. 1-5 Oct. 2018, Zvenigorod, Russia. DOI: 10.1117/12.2522078
  18. Bogdanov, Yu.I. Theoretical and experimental study of multi-mode thermal states with subtraction of a random number of photons / Yu.I.Bogdanov, N.A.Bogdanova, K.G.Katamadze, G.V.Avosopiants // Proceedings of SPIE, 2019. т.11022. UNSP 110222L. ICMNE2018. 1-5 Oct. 2018, Zvenigorod, Russia. DOI: 10.1117/12.2521910
  19. Borshchevskaia, N.A. Separated Schmidt modes in the angular spectrum of biphotons / Borshchevskaia N.A., Just F., Katamadze K.G., Cavanna A., Chekhova M.V. // LASER PHYSICS LETTERS. 2019. V.: 16 – 8 – 085207. DOI: 10.1088/1612-202X/ab27b5
  20. Borzdov, A.V. Efficiency of terahertz harmonic generation in GaAs quantum wire structure: a Monte Carlo simulation / Borzdov A.V., Borzdov V.M., Labunov V.A., V’yurkov V.V. // INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO- AND NANO-ELECTRONICS 2018 – Proceedings of SPIE. 2019. V.: 11022 – 110220L. DOI: 10.1117/12.2521423
  21. Buchin, E.Y. Formation of Nanoporous Copper-Silicide Films / Buchin E.Y.,Naumov V., Vasilyev S.V. // SEMICONDUCTORS. 2019. Том: 53. Выпуск: 3. С.395-399. DOI: 10.1134/S1063782619030059
  22. Buchin, E.Y. Structural Changes in Si–CuSi Films upon Intercalation of Lithium Ions / Buchin E.Y., Mironenko A.A., Naumov V.V., Rudyi A.S., Fedorov I.S. / Technical Physics Letters. 2019. V. 45 – 10 – 2019 – pp. 973-976. DOI: 10.1134/S106378501910004
  23. Bylinkin, A. Tight-Binding Terahertz Plasmons in Chemical-Vapor-Deposited Graphene / Bylinkin A., Titova E., Mikheev V., Zhukova E., Zhukov S., Belyanchikov M., Kashchenko M., Miakonkikh A., Svintsov D. // PHYSICAL REVIEW APPLIED. 2019. Т.11. В.5. №054017. DOI: 10.1103/PhysRevApplied.11.054017
  24. Chernyavskiy, A.Yu. Accuracy of Estimating the Area of Cortical Muscle Representations from TMS Mapping Data Using Voronoi Diagrams / Chernyayskiy A.Y., Sinitsyn D.O.,Poydasheva A.G., Bakulin I.S., Suponeva N.A., Piradov , M. // BRAIN TOPOGRAPHY. 2019. V. 32 – 5 – pp.: 859-872. DOI: 10.1007/s10548-019-00714-y
  25. Chernyavskiy, A.Yu. On the fidelity of quantum gates under T1 and T2 relaxation // Proceedings of SPIE. 2019. V.: 11022 – 110222P. DOI: 10.1117/12.2522383
  26. Chuev, M.A. Novel models of magnetic dynamics for characterization of nanoparticles biodegradation in a body from Mossbauer and magnetization measurements // J. Magn. Magn. Mater., 2019, v. 470, p. 12-17, doi: http://doi.org/10.1016/j.jmmm.2017.11.091
  27. Denisenko, Y.I. Synergistic effects of deformation and solid-state reactions in Si with buried glass layer initiated by annealing in non-isothermal reactor / Y.I.Denisenko // Proc. SPIE. 2019. DOI: 10.1117/12.2521443
  28. Fadeev, A.V. Analytical comparison of atomic layer deposition of oxide films inside trench and hole nanostructures / Fadeev A.V., Rudenko K.V. // THIN SOLID FILMS . 2019. V.: 672 – pp.: 83-89. DOI: 10.1016/j.tsf.2018.12.038
  29. Fadeev, A.V. Model for Thermal Oxidation of Silicon / Fadeev A.V., Devyatko Y.N. // TECHNICAL PHYSICS. 2019. V.: 64 – 4 – pp.: 575-581. DOI: 10.1134/S1063784219040108
  30. Fadeev, A.V. Possibility of Controlling the Impurity Concentration in the Near-Surface Layers of Films Grown by the ALD Method / Fadeev A.V., Rudenko K.V. // Russian Microelectronics. 2019. V. 48 – 4 – 2019 – pp. 220-228. DOI: 10.1134/S1063739719040048
  31. Fastovets, D. V. Machine learning methods in quantum computing theory / Fastovets D.V., Bogdanov Yu.I., Bantysh B.I., and Lukichev V.F. // Proc. SPIE. 2019. 11022, 110222S (15 March 2019); doi: 10.1117/12.2522427;
  32. Fedichkin, L. Molecule ground state energy estimation via continuous-time quantum walks / Fedichkin L., Meshchaninov F.P. // Proceedings of SPIE. 2019. The International Society for Optical Engineering – V. 11022 – 2019 – 110222U. DOI: 10.1117/12.2522474
  33. Melnikov, A.A. Predicting quantum advantage by quantum walk with convolutional neural networks / Melnikov A.A., Fedichkin L.E., Alodjants A.P. // New Journal of Physics. Dec. 2019. V. 21, 125002. DOI: 10.1088/1367-2630/ab5c5e
  34. Filippov, S. N. Quantum informational properties of the Landau–Streater channel / S.N.Filippov, K.V.Kuzhamuratova // Journal of Mathematical Physics. – 2019. – V. 60. – P. 042202. DOI: 10.1063/1.5037700
  35. Filippov, S.N. On Quantum Operations of Photon Subtraction and Photon Addition // LOBACHEVSKII JOURNAL OF MATHEMATICS. 2019. V. 40 – 10 – pp. 1470-1478. DOI: 10.1134/S199508021910010X
  36. Frolov, K.V. Structural and magnetic properties of Ni-Fe nanowires in the pores of polymer track membranes / K.V.Frolov, M.A.Chuev, I.S. Lyubutin, D.L.Zagorskii, S.A.Bedin, I.V.Perunova, A.A.Lomov, V.V.Artemov, D.N.Khmelenin, S.N.Sulyanov, I.M.Doludenko // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 489 (2019) 165415 (P.1-8) . DOI: 10.1016/j.jmmm.2019.165415
  37. Gabbasov, R. Study of Brownian motion of magnetic nanoparticles in viscous media by Mossbauer spectroscopy / Gabbasov R. , A.Yurenya, A.Nikitin, V.Cherepanov, M.Polikarpov, M.Chuev, A.Majouga, V.Panchenko // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2019. – V.475, 1- April 2019, P.146-151. DOI: 10.1016/j.jmmm.2018.11.044
  38. Gabbasov, R. Synthesis and Mossbauer study of anomalous magnetic behavior of Fe2O3 nanoparticle-montmorillonite nanocomposites / R.Gabbasov, A.Yurenya, V.Cherepanov, M.Polikarpov, M.Chuev, A.Nikitin, M.Abakumov, V.Panchenko // Hyperfine Interactions, 2019, https://doi.org/10.1007/s10751-019-1677-5. Scop
  39. Goldstein, R.V. Effect of Point Defects on the Interface Strength of Joint Materials / Goldstein R.V., Makhviladze T.M., Sarychev M.E. // PHYSICAL MESOMECHANICS. 2019. V.: 22 – 4 – pp.: 269-274. DOI: 10.1134/S1029959919040027 
  40. Gorlachev, E.S. Investigations of the resistive switching of the TiN-TiO2-SiO2-W memristors in the oxygen atmosphere with varying pressure / Gorlachev E.S., Mordvintsev V.M., Kudryavtsev, S.E. // Proceedings of SPIE. 2019. Том: 11022. UNSP 110220D. DOI: 10.1117/12.2520434
  41. Gurin, A.V. First attempt of a laser thruster space flight test: Lost at launch / Gurin A.V., Kuvaev K.Y., Loktionov E.Y., Protasov Y.S., Sirenk, K.N., Zakharov V.I. // OPTICS AND LASER TECHNOLOGY. 2019. V. 120, 105656. DOI: 10.1016/j.optlastec.2019.105656
  42. Katamadze, K. G. Direct test of the “quantum vampire’s” shadow absence with use of thermal light / Katamadze K.G., Kovlakov E.V., Avosopiants G.V., Kulik S.P. // Opt. Lett. 2019. 44, 3286-3289 (2019). DOI: 10.1364/OL.44.003286
  43. Katamadze, K. G. Multiphoton subtracted thermal states: description, preparation, measurement and utilization / Katamadze K.G., Avosopiants G.V., Bantysh B.I., Bogdanov Yu.I., Kulik S.P. // Proceedings of SPIE, 2019. т.11022. UNSP 110222K. ICMNE2018. 1-5 Oct. 2018, Zvenigorod, Russia. DOI: 10.1117/12.2522080
  44. Katamadze, K.G. Separated Schmidt modes in the angular spectrum of biphotons / Katamadze K.G., Borshchevskaia N.A., Just F., Cavanna A., Chekhova M.V. // Laser Phys. Lett. 2019. Vol. 16, № 8. P. 085207. / 10.1088/1612-202X/ab27b5
  45. Khramov, E.V. XAFS Investigation of Nanoparticle Formation in 64Zn+ Ion Implanted and Thermo Oxidized Quartz. / E.V.Khramov, V.V.Privezentsev, A.N.Palagushkin.// Semiconductors 53(16):2115-2117 · December 2019. DOI: 10.1134/S1063782619120145
  46. Klimin, V.S. Influence of annealing on nanocrystalline LiNbO3 films properties / Klimin V.S., Vakulov Z.E., Tominov R.V., Varzarev Y.N., Clemente I.E., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V., Ageev O.A. // Proceedings of SPIE. 2019. 11022. UNSP 110221E. DOI: 10.1117/12.2522316
  47. Krichevtsov, B. Magnetization reversal in NiFe2O4/SrTiO3 nanoheterostructures grown by laser molecular beam epitaxy / Krichevtsov B., S.Gastev, K.Mashkov, A.Kaveev, A.Korovin, L.Lutsev, S.Suturin, I.Lobov, A.Telegin, A.Lomov, N.Sokolov // Journal of Physics: Conference Series 1389 (2019) 012106. DOI: 10.1088/1742-6596/1389/1/012106
  48. Kudrya, V.P. Identification and Excitation Mechanisms of the Lines and Bands of Boron-Containing Components in the Optical Emission Spectra of Low-Temperature BF3/Ar Plasmas // Russian Microelectronics. 2019. V. 48 – 1 – 2019 – pp. 37-42. DOI: 10.1134/S1063739719010050
  49. Kudrya, V. Optical emission spectra of BF3/Ar-plasma: detection of the Boron 563.3 nm spectral line and identification of BF band spectra // Proceedings of SPIE. 2019. 11022. UNSP 1102227. DOI: 10.1117/12.2522166
  50. Kulagin, A.V. Homogeneous atomic ensembles and single-mode field: review of simulation results / Kulagin A.V., Ladunov V.Y., Ozhigov Y.I, Skovoroda N..A., Victorova N.B. // INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO- AND NANO-ELECTRONICS 2018 – Proceedings of SPIE. 2019. V.: 11022 – 110222C. DOI: 10.1117/12.2521763
  51. Kuzmenko, V. Atomic layer etching of Silicon Oxide / V.Kuzmenko, A.Miakonkikh, K.Rudenko // Journal of Physics: Conference Series 1410 (2019) 012023, doi:10.1088/1742-6596/1410/1/012023 
  52. Kuzmenko, V. Cyclic discrete etching of Silicon oxide in deposition-sputtering cycles: Towards to ALE / Kuzmenko V., Miakonkikh A., Rudenko K. // 2019 Proceedings of SPIE – 11022,1102225. DOI: 10.1117/12.2522472 
  53. Kuzmenko, V. Study of synergy phenomena for atomic layer etching of aluminum and hafnium oxides / Kuzmenko V., MiakonkikhA., Rudenko K. // Proceedings of SPIE. 2019.11022,1102226. DOI: 10.1117/12.2522473 
  54. Luchnikov, I.A. Simulation Complexity of Open Quantum Dynamics: Connection with Tensor Networks / Luchnikov I.A., Vintskevich S.V., Ouerdane H., Filippov S.N. // PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2019. V.122 – 16 – 160401. DOI: 10.1103/PhysRevLett.122.160401
  55. Luchnikov, I.A. Variational autoencoder reconstruction of complex many-body physics / Luchnikov I.A., Ryzhov A., Stas P.-J., Filippov S.N., Ouerdane H. // Entropy. 2019. V. 21 – 11 – 2019 – 1091. DOI: 10.3390/e21111091
  56. Makhviladze, T. M. and Sarychev M. E. Simulation of the Effect of the of the Grain Boundary Structure on Effective Ionic Charges in the Processes of Electromigration // Russian Microelectronics, 2019. Vol. 48, No. 6, pp. 373–380. 2019. DOI: 10.1134/S106373971905007X

Страницы: 1 2 3 4 5

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год

Статьи:

  1. Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov, D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, A. Satou // Physical Review B 97, 205411 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.205411
  2. Amirov, I. I. Self-formation of a nanonet of fluorinated carbon nanowires on the Si surface by combined etching in fluorine-containing plasma / Amirov, I. I., Gorlachev, E. S., Mazaletskiy, L. A., Izyumov, M. O., Alov, N. V. //JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS. – 2018. Т.51. В.1. DOI: 10.1088/1361-6463/aaacbe
  3. Avosopiants, G. V. Non-Gaussianity of multiple photon-subtracted thermal states in terms of compound-Poisson photon number distribution parameters: theory and experiment / Avosopiants, G. V.; Katamadze, K. G.; Bogdanov, Yu I.; Bantysh, B. I.; Kulik, S. P. // LASER PHYSICS LETTERS. 2018. 15. 7. 75205. DOI: 10.1088/1612-202X/aabed6
  4. Bachurin, V.I. Sputtering of Silicon and Silicon Dioxide by Low-Energy Ions of Dense Nitrogen and Argon Plasma / Bachurin, V.I., Izyumov, M.O., Amirov, I.I., Shuvaev, N.O. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2018. 82(2), с. 127-130. DOI https://doi.org/10.3103/S1062873818020053
  5. Бачурин, В.И.  Распыление кремния и диоксида кремния низкоэнергетичными ионами плотной азотной и аргоновой плазмы / Бачурин В.И., Изюмов М.О., Амиров И.И., Шуваев Н.О. // Известия РАН. Серия физическая. 2018. Т. 82. № 2. С. 146-149. DOI: 10.7868/S0367676518020035 . РИНЦ, Scopus 
  6. Bandurin, D.A. Dual Origin of Room Temperature Sub-Terahertz Photoresponse in Graphene Field Effect Transistors. / D.A. Bandurin, I. Gayduchencko, Y. Cao, M. Moskotin, A. Principi, I. Grigorieva, G. Goltsman, G. Fedorov, D. Svintsov // Applied Physics Letters 112, 141101 (2018). DOI: 10.1063/1.5018151 
  7. Bogdanov, Yu. I. Tomography of multi-photon polarization states in conditions of non-unit quantum efficiency of detectors / Bogdanov, Yu I.; Bantysh, B. I.; Bogdanova, N. A.; Lukichev, V. F. // LASER PHYSICS. – 2018. Т.28. В.2. 25204. DOI: 10.1088/1555-6611/aa9a9f 
  8. Bogdanov, Yu.I. Methods for analysing the quality of the element base of quantum information technologies / Bogdanov Yu.I., Fastovets D.V., Bantysh B.I., Chernyavskii A.Yu., Semenikhin I.A., Bogdanova N.A., Katamadze K.G., Kuznetsov Yu.A., Kokin A.A., Lukichev V.F. // Quantum Electronics, V. 48, 11, 2018, P. 1016-1022. – DOI: 10.1070/QEL16760
  9. Богданов, Ю.И. Методы анализа качества элементной базы квантовых информационных технологий // Ю.И. Богданов, Д.В. Фастовец, Б.И. Бантыш, А.Ю. Чернявский, И.А. Семенихин, Н.А. Богданова, К.Г. Катамадзе, Ю.А. Кузнецов, А.А. Кокин, В.Ф.Лукичев // Квантовая электроника, 48, № 11 (2018), 1016–1022. http://dx.doi.org/10.1070/QEL16760 
  10. Chernyavskiy, A.Yu. Parallel Computational Structure of Noisy Quantum Circuits Simulation / Chernyavskiy, A. Yu.; Voevodin, Vad. V.; Voevodin, Vl. V. // LOBACHEVSKII JOURNAL OF MATHEMATICS. 2018. 39. 4. C.494-502. – DOI: 10.1134/S1995080218040042 
  11. Chesnokov, Yu.M. Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition / Chesnokov, Yu. M.; Miakonkikh, A. V.; Rogozhin, A. E.; Rudenko, K. V.; Vasiliev, A. L. // JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE. 2018. Т.53. В.10. С.7214-7223. DOI: 10.1007/s10853-018-2099-5 
  12. Chuev, M.A. Separation of Contributions of the Magnetic Relaxation and Diffusion of Nanoparticles in Ferrofluids by Analyzing the Hyperfine Structure of Mossbauer Spectra / Chuev, M. A.; Cherepanov, V. M.; Polikarpov, M. A.; Gabbasov, R. R.; Yurenya, A. Yu. // JETP LETTERS. 218. 108. 1. C.59-62. DOI: 10.1134/S0021364018130064
  13. Чуев, М.А. Разделение вкладов магнитной релаксации и диффузионного движения наночастиц в феррожидкостях на основе анализа сверхтонкой структуры мессбауэровских спектров / М.А. Чуев, В.М. Черепанов, М.А. Поликарпов, Р.Р. Габбасов, А.Ю. Юреня. // Письма в ЖЭТФ, 2018, т.108, №1, с. 57-61. DOI: 10.1134/S0370274X18130118
  14. Doronin, M.A. Limits of single crystal diamond surface mechanical polishing. / M.A. Doronin, S.N. Polyakov, K.S. Kravchuk, S.P. Molchanov, A.A. Lomov, S.Yu. Troschiev, S.A. Terentiev // Diamond & Related Materials 87 (2018) 149–155. doi:10.1016/j.diamond.2018.05.016 
  15. Fadeev, A.V. Analytical Model of Atomic Layer Deposition of Films on 3D Structures with High Aspect Ratios / Fadeev, A. V.; Myakon’kikh, A. V.; Rudenko, K. V. // TECHNICAL PHYSICS. 2018. Т.63. в.2. С.235-242. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218020123 
  16. Fadeev, A.V. Atomic Layer Deposition of Thin Films onto 3D Nanostructures: The Effect of Wall Tilt Angle and Aspect Ratio of Trenches / A. V. Fadeev, K. V. Rudenko // Tech. Phys. (2018) 63: 1525. DOI: 10.1134/S1063784218100092 
  17. Fadeev, A.V. Analytical Model for Atomic-Layer Deposition of Thin Films on the Walls of Cylindrical Holes with a Relatively High Aspect Ratio / A.V. Fadeev, K.V. Rudenko // Technical Physics (2018) 63(8):1228-1235. DOI: 10.1134/S1063784218080054 
  18. Filippov, S. N. Evaluation of non-unital qubit channel capacities // Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки. – 2018. – Т. 160, кн. 2. – С. 258-265 
  19. Filippov, S. N. Lower and upper bounds on nonunital qubit channel capacities // Reports on Mathematical Physics 82, 149-159 (2018). DOI: 10.1016/S0034-4877(18)30083-1 
  20. Filippov, S. N. Time deformations of master equations / S. N. Filippov, D. Chruscinski. // Physical Review A 98, 022123 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevA.98.022123 
  21. Filippov, S. N. Ultimate entanglement robustness of two-qubit states against general local noises / Filippov, Sergey N.; Frizen, Vladimir V.; Kolobova, Daria V. // PHYSICAL REVIEW A. 2018. Т.97. В.1. С.12322. DOI: 10.1103/PhysRevA.97.012322 
  22. Filippov, S. Simulability of observables in general probabilistic theories / Filippov, Sergey N.; Heinosaari, Teiko; Leppajarvi, Leevi // PHYSICAL REVIEW A. 2018. Т.97. В.6. 62102. DOI: 10.1103/PhysRevA.97.062102 
  23. Goldstein, R. Electromigration-Induced Instability of the Interface between Solid Conductors / Goldstein, R., V; Makhviladze, T. M.; Sarychev, M. E. // PHYSICAL MESOMECHANICS. 2018. T.21. #4. C.275-282. DOI: 10.1134/S102995991804001X 
  24. Ivanov, Y.D. Ultrasensitive Detection of 2,4-Dinitrophenol Using Nanowire Biosensor / Ivanov, Yuri D. , K.A. Malsagova, T.O. Pleshakova, R.A. Galiullin, A.F. Kozlov, I.D. Shumov, Ir.A. Ivanova, A.I. Archakov, V.P. Popov, A.V. Latyshev, K.V. Rudenko, and A.V. Glukhov // Journal of Nanotechnology, Volume 2018, Article ID 9549853, 6 pages. DOI: 10.1155/2018/9549853 
  25. Katamadze, K.G. How quantum is the quantum vampire effect?: testing with thermal light / Katamadze, K. G.; Avosopiants, G. V.; Bogdanov, Yu. I.; Kulik, S. P. // OPTICA. 2018. T.5. №6. C.723-726. DOI: 10.1364/OPTICA.5.000723 
  26. Kudrya, V.P. Applications of the Technology of Fast Neutral Particle Beams in Micro- and Nanoelectronics / Kudrya V.P., Maishev Yu.P. // Russian Microelectronics, 2018, Vol. 47, No. 5, pp. 332?343; DOI: 10.1134/S1063739718050049) (Scopus)
  27. Кудря, В.П. Применение технологии пучков быстрых нейтральных частиц в микро- и наноэлектронике / Кудря В.П., Маишев Ю.П. // Микроэлектроника, 2018, т. 47, № 5, с. 51 63 DOI: 10.31857/S054412690001738-8 
  28. Lomov, A.A. Dose Dependence of Nanocrystal Formation in Helium-Implanted Silicon Layers / Lomov, A. A.; Myakon’kikh, A. V.; Chesnokov, Yu. M.; Denisov, V. V.; Kirichenko, A. N.; Denisov, V. N. // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. 2018. T.44. #4. C. 291-294. DOI: 10.1134/S1063785018040077
  29. Ломов, А.А. Дозовая зависимость формирования нанокристаллов в имплантированных гелием слоях кремния / А.А. Ломов, А.В. Мяконьких, Ю.М. Чесноков, В.В. Денисов, А.Н. Кириченко, В.Н. Денисов. // Письма в ЖТФ. 2018. Т.44. Вып.7. С. 39-46. DOI: 10.21883/PJTF.2018.07.45883.17112 
  30. Lomov, A.A. Helium Bubbles Formed in Si(001) Layers after High-Dose Implantation and Thermal Annealing / Lomov A.A., Myakonkikh A.V., Chesnokov Y.M. // Russian Microelectronics, 2018. 47 (3), pp. 165-174. DOI: 10.1134/S1063739718030083
  31. Ломов, А.А. Гелиевые пузыри в слоях Si(001) после высокодозовой имплантации и термического отжига / Ломов А.А., Мяконьких А.В., Чесноков Ю.М. //Микроэлектроника. 2018. Т. 47. №3. С. 1–11; DOI: 10.7868/S054412691803002X 
  32. Lomov, A.A. Structural evolution of thermal annealed Si(001) surface layers fabricated by plasma immersion He+ implantation / A. A. Lomov, K. D. Shcherbachev, A. V. Miakonkikh, Yu. M. Chesnokov, D. A. Kiselev, // Nuclear Inst, and Methods in Physics Research B. 2018. V. 431 (2018) 38–46. – DOI: 10.1016/j.nimb.2018.06.024 
  33. Lyubutin, I.S. Helical spin ordering in the multiferroic Ba3NbFe3Si2O14 of the langasite family probed by Mossbauer spectroscopy / I.S. Lyubutin, M.A. Chuev, S.S. Starchikov, and K.O. Funtov. // Phys. Rev. B, v. 98, No. 13, 134434 (5 pp). DOI: 10.1103/PhysRevB.98.134434 
  34. Makhviladze, T.M. Simulating the Effects of Internal Mechanical Stresses on the Decomposition Kinetics of a Supersaturated Oxygen Solution in Silicon / Makhviladze, T.M., Sarychev, M.E. // Russian Microelectronics. 2018 . 47(1), с. 11-19. DOI https://doi.org/10.1134/S1063739718010043 
  35. Makhviladze, T.M. The Model of the Process of the Chemical Mechanical Polishing of the Copper Metallization, Based on the Formation of the Passivation Layer / T. M. Makhviladze, M. E. Sarychev. // Russian Microelectronics, 2018, Vol. 47, № 5. Р.344-353. DOI: 10.1134/S1063739718050050

Страницы: 1 2 3 4 5 6

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2017 год

Статьи:

  1. Amosov, G. Spectral properties of reduced fermionic density operators and parity superselection rule / Amosov, Grigori G.; Filippov, S.N. // QUANTUM INFORMATION PROCESSING. 2017. Т.16. В.1. Номер статьи: UNSP 2. — DOI: 10.1007/s11128-016-1467-9. Опубл.JAN 2017.
  2. Bakulin, I. Motor cortex maps reorganization in amyotrophic lateral sclerosis: Navigated TMS study / Bakulin I., Chervyakov A., Chernyavsky A., Sinitsyn D., Poydasheva A., Zmeykina E., Zakharova M., Suponeva N., Piradov M. // Clinical Neurophysiology, издательство Elsevier BV (Netherlands), Т.128. № 3. С. 26-27. DOI: 10.1016/j.clinph.2016.10.166 .
  3. Bogdanov, Yu. I. Multiphoton subtracted thermal states: Description, preparation, and reconstruction / Bogdanov, Yu. I.; Katamadze, K. G.; Avosopiants, G. V.; Belinsky, L. V.; Bogdanova, N. A.; Kalinkin, A. A.; Kulik, S. P.// Physical Review A. 2017. Т.97 в.6. №63803 . – DOI: 10.1103/PhysRevA.96.063803 .
  4. Borshchevskaia, N. A. Luminescence in germania–silica fibers in a 1–2 ?m region / Borshchevskaia, N. A., Katamadze, K. G., Kulik, S. P., Klyamkin, S.N., Chuvikov, S. V., Sysolyatin, A. A., Tsvetkov, S.V., Fedorov, M. V. // Optics Letters.(2017). 42(15). С.2874–2877. DOI: 10.1364/OL.42.002874 .
  5. Buchin, E.Y. Influence of a static magnetic field on the formation of silicide phases in a Cu/Si(100) structure upon isothermal annealing / Buchin E.Y., Naumov V.V., Vasilyev S.V. // Semiconductors/ 2017/ Т.51. №6. С.812-816. — DOI: 10.1134/S1063782617060069,
  6. Бучин, Э.Ю. Влияние постоянного магнитного поля на формирование силицидных фаз в структуре Cu/Si(100) при изотермическом отжиге./ Бучин Э.Ю., Наумов В.В., Васильев С.В. // Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, с. 844. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44566.8379.”
  7. Chuev, M. A. Novel insight into the effect of disappearance of the Morin transition in hematite nanoparticles / M. A. Chuev, I. N. Mishchenko, S. P. Kubrin, T. A. Lastovina // JETP Letters 2017 105 (11) 700–705 (Impact-factor: 1.235) DOI: 10.1134/S0021364017110042 .
  8. Чуев, М.А. Свежий взгляд на эффект исчезновения перехода Морина в наночастицах гематита / М.А. Чуев, И.Н. Мищенко, С.П. Кубрин, Т.А. Ластовина // Письма в ЖЭТФ, 2017, т. 105, №11, с. 668-674. DOI: 10.7868/S0370274X17110030. “
  9. Chuev, M.A. Excitation spectrum and magnetic dynamics of the Neel ensemble of antiferromagnetic nanoparticles in Mossbauer spectroscopy / Chuev, M.A. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2017. Т.81. №7. С.901-906. — DOI: 10.3103/S106287381707005X.
  10. Чуев, М.А. Спектр возбуждений и магнитная динамика неелевского ансамбля антиферромагнитных наночастиц в мессбауэровской спектроскопии / М.А. Чуев // Изв. РАН. Сер. физ., 2017, т. 81, № 7, с. 996–1001. DOI: 10.7868/S0367676517070055 .”
  11. Chuev, M.A. Excitation spectrum of the Neel ensemble of antiferromagnetic nanoparticles as revealed in Mossbauer spectroscopy / M.A. Chuev // Advances in Condensed Matter Physics, 2017, v. 2017, 6209206 (15 pp.). https://doi.org/10.1155/2017/6209206
  12. Clemente, I. Comparative study of thermal and plasma enhanced atomic layer deposition of aluminum oxide on graphene. / I Clemente, A Miakonkikh, O Kononenko, V Matveev, K Rudenko. // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 917 (2017) 032039. DOI 10.1088/1742-6596/917/3/032039.
  13. Devyatko, Yu. N. Effect of collisions on the angular distribution of ions under plasmachemical etching / Devyatko, Yu. N.; Fadeev, A. V. // Plasma Physics Report. 2017. Т43. В.8. С.838-843. DOI: 10.1134/S1063780X17080050 .
  14. Drovosekov, A. B. Magnetic anisotropy of polycrystalline high-temperature ferromagnetic MnxSi1-x (x approximate to 0.5) alloy films / Drovosekov, A. B., Kreines, N. M., Savitsky, A. O., Kapelnitsky, S. V., Rylkov, V. V., Tugushev, V. V., Prutskov, G. V., Novodvorskii, O. A., Shorokhova, A. V., Wang, Y., Zhou, S. // JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS. 2017. Т.429. С. 305-313. — DOI: 10.1016/j.jmmm.2017.01.022. Опубл. MAY 1 2017.
  15. Eidelman, K. Structural properties of the formation of zinc-containing nanoparticles obtained by ion implantation in Si (001) and subsequent thermal annealing / K. Eidelman, N. Tabachkova, K. Shcherbachev, Y. Parkhomenko, V. Privesentsev, D. Migunov. // Modern Electronic Materials. V.3, Issue 3, September 2017, P.04-109. DOI: 10.1016/j.moem.2017.10.003.
  16. Enaldiev, V. Plasmon-assisted resonant tunneling in graphene-based heterostructures / V. Enaldiev, A. Bylinkin, D. Svintsov // Physical Review B 96, p.12543 (2017) DOI: 10.1103/PhysRevB.96.125437.
  17. Fadeev, A.V. Two-view tomography of low-temperature plasma. / Fadeev A.V., Rudenko K.V. // Russian Microelectronics, v.46, iss. 1, pp. 30-38 (2017). DOI: 10.1134/S1063739717010036
  18. Filippov, S.N. Absolutely separating quantum maps and channels. / S.N. Filippov, K.Yu. Magadov, M.A. Jivulescu. // New Journal of Physics, doi: 10.1088/1367-2630/aa7e06.
  19. Filippov, S.N. Divisibility of quantum dynamical maps and collision models / Filippov S.N., Piilo J., Maniscalco S., Ziman M. // Physical Review A. 2017. Т.96. В.3. С.032111. DOI: 10.1103/PhysRevA.96.032111.
  20. Filippov, S.N. Necessary condition for incompatibility of observables in general probabilistic theories / Filippov, Sergey N.; Heinosaari, Teiko; Leppajarvi, Leevi // PHYSICAL REVIEW A. 2017. Т.95. 32127. – DOI: 10.1103/PhysRevA.95.032127.
  21. Frolov, K. V. Magnetic and structural properties of Fe-Co nanowires fabricated by matrix synthesis in the pores of track membranes / K.V. Frolov, D.L. Zagorskii, I.S. Lyubutin, M.A. Chuev, I.V. Perunov, S.A. Bedin, A.A. Lomov, V.V. Artemov and S.N. Sulyanov // JETP LETTERS. 2017. Т.105. N5. С.319-326. — DOI 10.1134/S0021364017050083.
  22. Фролов, К.В. Магнитные и структурные свойства нанопроволок Fe-Co, полученных методом матричного синтеза в порах трековых мембран./ К.В. Фролов, Д.Л. Загорский, И.С. Любутин, М.А. Чуев, И.В. Перунов, С.А. Бедин, А.А. Ломов, В.В. Артёмов, С.Н. Сульянов // Письма в ЖЭТФ, 2017, т. 105, №5, с. 297-304. DOI: 10.7868/S0370274X17050095 .”
  23. Gabbasov, R. Exogenous iron redistribution between brain and liver after administering 57Fe3O4 ferrofluid to a rat brain ventricle / Gabbasov R.R., Cherepanov V.M., Chuev M.A., Mishchenko I.N., Polikarpov D.M., Loginova N.A., Loseva E.V., Nikitin M.P., Panchenko V.Y. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2017. Т.81. №7. С.788-792. doi: 10.3103/S1062873817070127.
  24. Габбасов, Р.Р. Перераспределение экзогенного железа между мозгом и печенью после введения феррожидкости 57Fe3O4 в мозговой желудочек крысы. / Р.Р. Габбасов, В.М. Черепанов, М.А. Чуев, И.Н. Мищенко, Д.М. Поликарпов, Н.А. Логинова, Е.В. Лосева, М.П. Никитин, В.Я. Панченко. //Изв. РАН. Сер. физ., 2017, т. 81, № 7, с. 872–876. DOI: 10.7868/S0367676517070122.”
  25. Gabbasov, R. Exogenous iron redistribution between brain and spleen after the administration of the (Fe3O4)-Fe-57 ferrofluid into the ventricle of the brain / Gabbasov, Raul; Polikarpov, Dmitry; Cherepanov, Valery; Chuev, Michael; Mischenko, Ilya; Loginiva, Nadezhda; Loseva, Elena; Nikitin, Maxim; Panchenko, Vladislav // J. Magn. Magn. Mater. 2017. Т.427. С.41-47. – DOI:10.1016/j.jmmm.2016.11.029.
  26. Gabbasov, R.R. Synthesis and investigation of precipitated ensembles of magnetic nanoparticles with controlled easy axis orientation / Gabbasov R.R., Yurenya A.Y., Cherepanov V.M., Polikarpov M.A., Chuev M.A., Panchenko V.Y. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2017. Т.81. №7. С.784-787. DOI: 10.3103/S1062873817070115,
  27. Габбасов, Р.Р. Синтез и исследование ансамблей магнитных наночастиц, осажденных с контролируемой ориентацией легких осей. / Р.Р. Габбасов, А.Ю. Юреня, В.М. Черепанов, М.А. Поликарпов, М.А. Чуев, В.Я. Панченко // Изв. РАН. Сер. физ., 2017, т. 81, № 7, с. 868–871. DOI: 10.7868/S0367676517070110.”
  28. Lomov, A. A. Complementary study of the internal porous silicon layers formed under high-dose implantation of helium ions / Lomov, A. A.; Myakon’kikh, A. V.; Chesnokov, Yu. M.; Shemukhin, A. A.; Oreshko, A. P. // CRYSTALLOGRAPHY REPORTS. 2017. Т.62. С.189-194. — DOI 10.1134/S106377451702016X.
  29. Ломов, А.А. Комплементарные исследования внутренних пористых слоев кремния, образованных при высокодозовой имплантации ионов гелия. / А.А. Ломов, А.В. Мяконьких, Ю.М. Чесноков, А.А. Шемухин, А.П. Орешко // Кристаллография. 2017. Т. 62. №2. C.196-201. DOI: 10.1134/S106377451702016X .”
  30. Lomov, A. The microstructure of Si surface layers after plasma-immersion He+ ion implantation and subsequent thermal annealing / Lomov, Andrey; Shcherbachev, Kirill; Chesnokov, Yurii; Kiselev, Dmitry // JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY. – 2017/ Т.50. 2. – С.539-546. — DOI: 10.1107/S1600576717003259/

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7