2019

  1. Володин, В.А. Кристаллизация плёнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием наносекундного лазерного излучения / Володин В.А., Кривякин Г.К., Ивлев Г.Д., Прокопьев С.Л., Гусакова С.В., Попов А.А. // Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып.3, стр.423-429. DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47298.8997
  2. Vyurkov, V. Barrier-injection transit-time diodes and transistors for terahertz generation and detection / V.Vyurkov; A.Miakonkikh; A.Rogozhin; M.Rudenko; K.Rudenko; V.Lukichev // Proc. SPIE 11022, Barrier-injection transit-time diodes and transistors for terahertz generation and detection, 1102202 (15 March 2019); doi: 10.1117/12.2522493
  3. Vyurkov, V. Transit-time diodes and transistors with variable injection for generation and detection of THz radiation / V.Vyurkov, I.Semenikhin, K.Rudenko, V.Lukichev // ITM Web of Conferences, vol. 30, 08001, 2019. https://doi.org/10.1051/itmconf/20193008001
  4. Vyurkov, V. Tunnel undoped multiple-gate field-effect transistor with Schottky contacts / Vyurkov V., Krivospitsky A., Miakonkikh A., Semin Yu., Rudenko K., Lukichev V. // INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO- AND NANO-ELECTRONICS 2018 – Proceedings of SPIE – V. 11022 – 1102205 – DOI: 10.1117/12.2522495
  5. Yurenya, A. Synthesis and Mossbauer study of 57Fe-based nanoparticles biodegradation in living cells / Yurenya A., Nikitin, A.Garanina, R.Gabbasov, M.Polikarpov, V.Cherepanov, M.Chuev, A.Majouga, V.Panchenko // Journal of Magnetism and Magnetic Materials . 2019. Т.474. 2019г. – DOI: 10.1016/j.jmmm.2018.11.040
  6. Zhigunov, D.M. Near-IR Emitting Si nanocrystals fabricated by thermal annealing of SiNx/Si3N4 Multilayers / Zhigunov D.M., Popov A.A., Chesnokov Y.M.,Vasiliev A.L., Lebedev A.M., Subbotin I.A., Yakunin S.N., Shalygina O.A., Kamenskikh I.A. // Applied Sciences (Switzerland) – V. 9 – 22 – 2019 – 4725. DOI: 10.3390/app9224725
  7. Zimin, S.P. Formation of Metallic Droplets on the Surface of Indium Sulfide Films During Argon Plasma Treatment / Zimin S.P., Pipkova A.S., Mazaletskiy L.A., Amirov I.I., Gorlachev E.S., Vasilev S.V., Khoroshko V.V., Gremenok V.F., Pyatlitski A.N.// INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOSCIENCE – V.: 18 – 3-4 – 1940066. DOI: 10.1142/S0219581X19400660
  8. Zimin, S.P. Impact of plasma nanostructuring on the electrical properties of Cu(In,Ga)Se2 films / Zimin S.P., Mokrov D.A., Amirov I.I., Naumov V.V., Gorlachev E.S., Gremenok V.F., Khoroshko V.V.// J. Phys.: Conf. Ser. – 2019. – Vol. 1238. – 1- P. 012040. DOI: 10.1088/1742-6596/1238/1/012040
  9. Zimin, S.P. Nanostructuring of the CIGS Films Surface by the Plasma Treatment with Low Ion Energy / Zimin S.P., Mazaletskiy L.A., Amirov I.I., Gorlachev E.S., Gremenok, V.F., Khoroshko V. V. // International Journal of Nanoscience. 2019. V. 18 – 3-4 – 1940064. Part 2: Nanotechnology. DOI:10.1142/S0219581X19400647
  10. Zimin, S.P. Plasma-assisted surface nanostructuring of epitaxial Pb1?xSnxTe (0?x?1) films / Zimin S.P., Gorlachev E.S., Amirov I.I., Naumov V.V., Juskenas R., Skapas M., Abramof E., Rappl P.H.O. // 2019. Semicond. Sci. Technol. 34 095001 DOI: 10.1088/1361-6641/ab2e9b
  11. Вдовин, В.А. Оптические коэффициенты пленок меди нанометровой толщины в диапазоне 9–11 GHz / Вдовин В.А., Андреев В.Г., Глазунов П.С., Хорин И.А., Пинаев Ю.В. // Оптика и спектроскопия, 2019, том 127, вып. 5, с. 834-840. DOI: 10.21883/OS.2019.11.48524.132-19
  12. Ломов, А.А. Структурная диагностика кремниевых слоев после гелиевой плазменно-иммерсионной ионной имплантации и фотонного отжига / А.А. Ломов, К.Д. Щербачев // В кн.: Труды Физико-технологического института -Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование. М.: Наука. 2019. т.28. C. 87-101. ISBN 978-5-02-040185-3
  13. Маишев, Ю.П. Создание и развитие ионно-лучевых технологий // Микроэлектроника. 2019. т.48. № 6. С.403?420. DOI:10.1134/S0544126919050065
  14. Махвиладзе, Т.М. Моделирование влияния структуры межзеренной границы на эффективные заряды ионов в процессах электромиграции / Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. // Микроэлектроника. 2019. Т.48. №6. С. 430–438 DOI:10.1134/S0544126919050077
  15. Махвиладзе, Т.М. Модель генерации низкочастотного шума в поликристаллических межсоелинениях, основанная на механизме ионной электромиграции / Махвиладзе Т.М., Сарычева М.Е. — Труды ФТИАН. 2019. Т.28. С.32-40
  16. Махвиладзе, Т.М. Теория электромиграционных отказов межсоединений с учетом диффузии френкелевских пар / Махвиладзе Т.М., Сарычева М.Е. – Труды ФТИАН, 2019, Т.28. С.20-31
  17. Миннебаев, К.Ф., ЗАРЯДКА ДИЭЛЕКТРИКОВ ПРИ БОМБАРДИРОВКЕ ИОНАМИ AR+ СРЕДНИХ ЭНЕРГИЙ / МИННЕБАЕВ К.Ф., РАУ Э.И., ТАТАРИНЦЕВ А.А. // ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА – Е. 61 – 6 – 2019 – с. 1090-1093. DOI: 10.21883/FTT.2019.06.47683.356
  18. Minnebaev, K. F. Charging Dielectrics when Bombarded with Ar+ Ions of Medium Energies / K. F. Minnebaev, Rau Ed., A.Tatarintsev // Physics of the Solid State . 2019. 61(6):1013-1016 · June 2019. DOI: 10.1134/S1063783419060118
  19. Мордвинцев, В. М. Влияние давления кислорода на процесс окисления поверхности нитрида титана в плазме / Мордвинцев В. М., Наумов В. В, Симакин С. Г. // Микроэлектроника 2019. Т. 48. № 6. С. 460–466. DOI: 10.1134/S0544126919060061
  20. Привезенцев, В.В. Изменение структуры и свойств кварца, последовательно имплантированного ионами Zn и F, в процессе термических отжигов / Привезенцев В.В., Палагушкин А.Н., Штейнман Э.A., Teрeщенкo A.Н., Колесников Н.Н., Maкунин A.В., Ксенич С.В. // Труды НИИСИ РАН – Т. 9 – 2 – 2019 – с. 24-31. DOI:10.25682/NIISI.2019.2.0003
  21. Привезенцев, В.В. Структура и состав кремния, легированного ионами 64Zn+ в условиях горячей имплантации и отожженного в кислороде при повышенных температурах / Привезенцев В.В., Палагушкин А.Н., Кириленко Е.П., Горячев А.В., Зилова О.С., Бурмистров А.А., Батраков А.А. // Труды НИИСИ РАН – Т. 9 – 2 – 2019 – с. 12-23. DOI:10.25682/NIISI.2019.2.0002
  22. Проказников, А.В. Особенности магнитооптического отклика массивов металлизированных микро- и наноструктур со сложным рельефом на поверхности кремниевых структур / Проказников А.В., Папорков В.А., — Труды ФТИАН. 2019. т.28. С.57-86
  23. Цуканов, А.В. Источник фотонов на КЯ/КТ-структуре в микрорезонаторе / Цуканов А.В., Катеев И.Ю. – В кн.: Труды Физико-технологического института -Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование. М.: Наука. 2019. т.28. С. 3-19. ISBN 978-5-02-040185-3
  24. Цуканов, А.В. Одноэлектронный транзистор на линейной структуре из трех туннельно-связанных КТ с электрическим и оптическим управлением // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 5. С. 334-342. DOI: 10.1134/S0544126919050107

Конференции:

  1. Amirov, I.I. Nanoscale patterning Si, SiO2 surface using edge lithography method / Amirov, I.I., Naumov V.V., Izyumov M.O., Mazaletsky L // IV Intern. Conf. on Modern Problems in Physics of Surface and Nanostructures (ICMPSN 2019). Book of abstracts. Yaroslavl, Russia, 26-29 August 2019. O3-6. р.47
  2. Amirov, I.I. Surface modification of the Pb1-xSnxSe films during plasma treatment near the threshold energy of sputtering / I.I.Amirov, S.P.Zimin, V.V.Naumov, K.E.Guseva // Proceed. XXIV International Conference Ion-Surface Interactions (ISI–2019). August 19–23, 2019. Moscow, Russia
  3. Амиров, И.И. Модификация поверхности пленок Pb1-xSnxSe при плазменной обработке вблизи порога распыления / Амиров И.И., Зимин С.П., Наумов В.В., Гусева К.Е. // ВИП. Труды XXIV международной конференции. Москва, Россия, 19-23 августа 2019г. Т.3. С.52-54
  4. Andreev, V. Measurement of optical coefficients of ultrathin copper films in the microwave range / V. Andreev, V. Vdovin, P. Glazuno , Yu. Pinaev, I. Khorin // IV Intern. Conf. on Modern Problems in Physics of Surface and Nanostructures (ICMPSN 2019). Book of abstracts. Yaroslavl, Russia, 26-29 August 2019. р.37
  5. Asadov, M.M. Thermodynamics and Dielectric Properties of As2S3–As2Se3–InSe / Asadov M.M., Mustafaeva S.N., Lukichev V.F. // XXII международная конференция по химической термодинамике в России. Санкт-Петербург, 19-23 июня 2019. XXII International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia (RCCN-2019). June 19-23, 2019, Saint Petersburg, Russia. BOOK OF ABSTRACTS. PII-36. P.227
  6. Asadov, S.M. Modification of the dielevctric properties of the TIGaS2 single crystal under exposure to electron irradiation / Asadov S.M., Mustafaeva S.N., Lukichev V.F. // Сб.тез.докл. International Scientific Conference Modern materials and advanced manufacturing technology (MMAMT-2019) — Современные материалы и передовые производственные технологии (СМППТ-2019), 25 – 28 June, 2019, Санкт-Петербург, Russia. Polytech-Press: 2019
  7. Avosopiants, G.V. The Photon Number Distribution of a Multimode Thermal State Subsystem Under Multiple Photon Annihilation / G.V.Avosopiants, K.G.Katamadze, N.A.Bogdanova, Yu.I.Bogdanov, S.P.Kulik // Laser Physics Workshop (LPHYS’19). Report P.S7.2, July 8- July 12, 2019, Gyeongju, South Korea (стендовый)
  8. Babushkin, A. Mechanism of influence of ion bombardment in Ar plasma on residual stress in thin Cr films / IV Intern. Conf. on Modern Problems in Physics of Surface and Nanostructures (ICMPSN 2019). Book of abstracts. Yaroslavl, Russia, 26-29 August 2019. P. 56. Устный
  9. Babushkin, A.S. A kinetic model of the effect of low energy ion-plasma treatment on residual stress in thin metal films // Proceed. XXIV International Conference Ion-Surface Interactions (ISI–2019). August 19–23, 2019. Moscow, Russia
  10. Бабушкин, А.С. Кинетическая модель влияния низкоэнергетической ионно-плазменной обработки на остаточные напряжения в тонких металлических планках / 24-я Междунар.конф. Взаимодействие ионов с поверхностью. ВИП-2019, Москва, 19-23 апреля 2019г. Труды. Москва. Т.3. С.58
  11. Bachurin, V.I. Angular dependencies of silicon sputtering by gallium focused ion beam / V.I.Bachurin, I.V.Zhuravlev, D.E.Pukhov, A.S.Rudy, M.A.Smirnova, A.B.Churilov // XXIV INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION – SURFACE INTERACTIONS (ISI-2019). 19 – 23 August 2019, Moscow. С. 80-83

Страницы: 1 2 3 4 5

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.