Предложен и исследован способ, защищенный патентом РФ, решающий проблему определения момента окончания плазмохимического травления (EPD) микроэлектронных структур при предельно малой площади окон травления. Традиционный метод, использующий эмиссионную спектроскопию активных компонентов плазмы в реакторе, не позволяет надежно выделить момент EPD из шумовой составляющей сигнала при площади окон травления менее 5-7% площади пластины. Модуляция плазмообразующего генератора и фазовое/синхронное детектирование сигнала плазмы позволили на порядок повысить чувствительность метода.
К.В. Руденко, Я.Н. Суханов, Н.И. Базаев. Возможности синхронного детектирования эмиссионного сигнала плазмы при мониторинге травления структур SiO2/Si.// Микроэлектроника, т.32, № 4, с.271-276 (2003).
К.А. Валиев, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Ю.Ф. Семин, Я.Н. Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. Патент РФ № 2248645, МКИ H01L 21/66 от 12.02.2003.