Разработка модели, программы моделирования и расчет характеристик полевых транзисторов на основе графена

Впервые показано, что в баллистических полевых транзисторах с каналом из двухслойного графена может проявляться скачок проводимости при низких температурах, как в одномерных проводниках.  При комнатной температуре транзистор обладает высокой крутизной в открытом состоянии, на порядок превосходящей крутизну кремниевых полевых нанотранзисторов.

1. Svintsov, V. Vyurkov, S. Yurchenko, T. Otsuji, and V. Ryzhii. Hydrodynamic model for electron-hole plasma in graphene.J. Appl. Phys., 111, 083715 (2012).
2. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, and T. Otsuji. Effect of ‘‘Mexican Hat’’ on GrapheneBilayer Field-Effect Transistor Characteristics. JapaneseJournalofAppliedPhysics, V.50, (2011) 070112.